存儲器擴展連接理解(S3C2410為例)—NandFlash
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2. NandFlash接口信號
*NandFlash接口信號較少
*數據寬度只有8Bit，沒有地址總線。地址和數據總線復用，串行讀取
信號名稱 | 信號描述 |
IO[7..0] | 數據總線 |
CE# | 片選信號(Chip Select)，低電平有效 |
WE# | 寫有效(Write Enable)，低電平表示當前總線操作是寫操作 |
RE# | 讀有效(Read Enable)，低電平表示當前總線操作是讀操作 |
CLE | 命令鎖存(Command Latch Enable)信號，寫操作時給出此信號表示寫命令 |
ALE | 地址/數據鎖存(Address Latch Enable)信號，寫操作時給出此信號表示寫地址或數據 |
WP# | 寫保護(Write Protect)信號 |
R/B | 忙(Read/Busy)信號 |
3. NandFlash地址結構
*NandFlash設備的存儲容量是以頁(Page)和塊(Block)為單位的。
*Page=528Byte(512Byte用于存放數據，其余16Byte用于存放其他信息，如塊好壞的標記、塊的邏輯地址、頁內數據的ECC校驗和等)。
*Block=32Page
*容量為64MB的NandFlash存儲結構為：512Byte×32Page×4096Block
*NandFlash以頁為單位進行讀和編程（寫）操作，一頁為512Byte；以塊為單位進行擦除操作，一塊為512Byte*32page=16KB
*對于64MB的NAND設備，需要26根地址線，由于NAND設備數據總線寬度是8位的，因此必須經過4個時鐘周期才能把全部地址信息接收下來
I/O7 | I/O6 | I/O5 | I/O4 | I/O3 | I/O2 | I/O1 | I/O0 | |
第一個周期 | A7 | A6 | A5 | A4 | A3 | A2 | A1 | A0 |
第二個周期 | A15 | A14 | A13 | A12 | A11 | A10 | A9 | A8 |
第三個周期 | A23 | A22 | A21 | A20 | A19 | A18 | A17 | A16 |
第四個周期 | A25 | A24 |
*可以這么說，第一個時鐘周期給出的是目標地址在一個page內的偏移量，而后三個時鐘周期給出的是頁地址。
*由于一個頁內有512Byte，需要9bit的地址尋址，而第一個時鐘周期只給出了低8bit，最高位A8由不同的讀命令(Read Mode2)來區(qū)分的。
4.NandFlash的命令
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