nandflash(K9F2G08U0A)的復習--APPLE的學習筆記

2，容量計算： (要求：理解如何計算）
3，讀寫最基本時序 （要求：記?。?br />4，會配置讀寫時序timing （要求：理解如何計算）
5，MCU的nandflash配置時，主要使用的寄存器 (要求：記?。?br />6，常用操作 （要求：記?。?br />7，nandflash的boot模式 （要求：記?。?br />8，ecc工作原理 （待做）
9，壞塊基本處理方式 （要求：記?。?br />10，nandflash和norflash的基本區(qū)別 （要求：記住)

基于2440+nandflash(K9F2G08U0A)的復習

1,Nandflash的關鍵接口引腳（要求：記?。?br />CE（片選），nWE（使能寫）,nWE(使能讀)，ALE(地址/數據鎖存)，CLE（命令鎖存），RnB（忙標志），nWP（使能寫

保護）

2，容量計算：（要求：理解如何計算）
1 Page = (2K + 64)Bytes
1 Block = (2K + 64)B x 64 Pages
= (128K + 4K) Bytes
1 Device = (2K+64)B x 64Pages x 2,048 Blocks
= 2,112 Mbits
注意單位為Mbits=264Mbyte

另外，列地址A0-A11共12根線，為2^12=4K，其實要么2K，比(2K + 64)大，那么就是4K，需要12根線。 行地址17根

線，即2^17=131072，也就是64Pages x 2,048 Blocks。

3，讀寫基本最時序如下（要求：記?。?/p>

4，會配置讀寫時序timing。（要求：理解如何計算）
對比如下圖后得知TACLS=tcls-twp=0；TWRPH0=twp；TWRPH1=tclh,接著根據公式自己算寄存器值等等。
TACLS [13:12] CLE & ALE duration setting value (0~3)
Duration = HCLK x TACLS

2440nandflash接口延時命名如下：

nandflash時序及延時命名如下：

5，MCU的nandflash配置時，主要使用的寄存器（要求：記?。?br />a，配置寄存器：主要是配置timing。
b，控制寄存器：主要是控制nandflash使能等。
c，命令基礎器：向寄存器寫入命令數據后。則接口會自動產生一個寫命令的時序。
d，地址寄存器：向寄存器寫入地址數據后。則接口會自動產生一個寫地址的時序。
e，數據寄存器：向寄存器讀出數據后。則接口會自動產生一個讀數據的時序。
f，狀態(tài)寄存器：顯示RnB的狀態(tài)。

6，常用操作（要求：記?。?br />1，reset流程
當然先要片選使能，然后發(fā)生reset命令，檢測通過狀態(tài)寄存器檢測RnB腳從低到高。就算reset成功了。
2，read ID
使能片選，檢測RnB為閑后，寫readid命令，延時后，讀取data寄存器中的數據，讀5次后，則讓片選失效。
3，讀操作
使能片選，檢測RnB為閑后，寫第一個讀命令，然后寫地址（列+行），再寫第二個讀命令，等待RnB由忙到閑，則

讀取data寄存器中的數據。最后讓片選失效。
注：其中有Read Operation with CE don’t-care，即CE連接在MCU的一個普通IO口上。可以不用管。
4，寫操作
使能片選，檢測RnB為閑后，寫第一個寫命令，然后寫地址（列+行），再寫第二個寫命令，等待RnB由忙到閑后，

再讀I/O bit0是否為0，為0則說明編程沒錯誤。即完成對nandflash的編程操作。
5，擦除操作
使能片選，檢測RnB為閑后，寫第一個擦除命令，然后寫地址（列+行），再寫第二個擦除命令，等待RnB由忙到閑

后，再讀I/O bit0是否為0，為0則說明擦除沒錯誤。即完成對nandflash的擦除操作。

7，nandflash的boot模式（要求：記住）
MCU可以控制外部nandflash的boot方式。OM【1：0】=0時，則選擇從外部nandflash啟動程序。
nandflash的啟動機制：
a，前提：程序已經燒錄到nandflash的0地址開始處?？梢杂胘link間接燒錄法等。
b，2440MCU上電后，會自動讀取nandflash的前4K到它的內部sarm（該區(qū)域名稱為SteppingStone），然后在

SteppingStone中運行程序。那么假設nandflash中的數據大于4K，而自動復制大小僅為4K，怎么辦呢？所以，在這4K

代碼中需要加入copynand2ram。然后，拷貝完后，接著PC跳到下一個標志位置繼續(xù)執(zhí)行。（解釋一下標志位置，如何

一開始在內部sarm中，可能地址為0x100，但是當copynand2ram函數運行完后，此標志位置就會變成

0x30000000+0x100。那么就可以繼續(xù)執(zhí)行，而不是重復執(zhí)行了）

8，ecc工作原理（待做）

9，壞塊基本處理方式（要求：記?。?br /> 當檢測到壞塊后，nandflash會自動使用預留的block來代替。并且為此壞塊做標記。
* Step1
When an error happens in the nth page of the Block ’A’ during erase or program operation.
* Step2
Copy the data in the 1st ~ (n-1)th page to the same location of another free block. (Block ’B’)
* Step3
Then, copy the nth page data of the Block ’A’ in the buffer memory to the nth page of the Block ’B

’.
* Step4
Do not erase or program to Block ’A’ by creating an ’invalid block’ table or other appropriate

scheme.

10，nandflash和norflash的基本區(qū)別（要求：記住）
a，接口不同，nandflash是地址命令線共用的。norflash是分開的。
b，速度不同，nandflash的寫入是擦除速度比norflash快很多，norflash的讀取速度比nandflash快。
c，可靠性不同，nandflash容易出現壞塊
d，壽命不同，nandflash可擦除一百萬次，norflash可擦除十萬次。
e，文件系統(tǒng)不同。nandflash選用yaffs文件系統(tǒng)，norflash選用jffs文件系統(tǒng)
f，價格容量不同。nandflash容量大，價格偏低。norflash容量小，價格偏高。