ARM9啟動分析存儲器區(qū)分和啟動流程解析
加入技術(shù)交流群
首先，理清幾個概念。NOR flash：（概念最用我自己的語言概括了）是早期的flash，存儲量少，存儲速度慢，但是執(zhí)行速度快，可以在flash上執(zhí)行?？梢杂脕泶鎯Υa和作為SDRAM。NAND flash ：是用來做海量存儲的，一般用來存儲數(shù)據(jù)，文件系統(tǒng)等，燒寫速度快。SDRAM ：動態(tài)存儲器，用來進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲，數(shù)據(jù)刷新，和代碼執(zhí)行。但是不能存儲代碼。要理解SDRAM和NOR flash的區(qū)別，NOR flash是可以用來做為SDRAM，但是不是SDRAM。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201611/318242.htm我們開始討論代碼存放的地方了，注意的是我在這里給代碼加一個限制，（是固化的程序，區(qū)別開linux系統(tǒng)文件和bootlooder，我在這里定義bootlooder為程序而linux文件系統(tǒng)為數(shù)據(jù)）。代碼有很多存放的方式，一、存儲在單片機的flash上，像ARM7一類的單片機（LPC2478就帶有512k的flash）。二、存放在NOR flash中，就是是SDRAM中（如果是SDRAM的芯片就沒法存儲了如有的開發(fā)板用的是HY57V641620 SDRAM芯片，代碼是沒法存儲的）三、存放在NAND flash中，一般的代碼都存放在NAND flash中在。
還需要知道的知識就是，存儲器的地址映射，下面我們看一種方式的地址映射。代碼存放在NAND flash中，用SDRAM的芯片做為動態(tài)存儲的例子：如下圖：
看到這個圖，我們是否發(fā)現(xiàn)了理解了一點點啟動流程了啊？如果還有疑問讓我們再來分析一下S3C2440的存儲控制模塊，實際就是存儲地圖。如下圖所示：
解釋下上圖，有多種啟動方式的，一種是利用NAND flash啟動。一種是不用，不用的方式就是直接用SROM（S就是動態(tài)的存儲空間，其實就是NOR flash）。重點介紹利用NAND flash啟動的流程。
大家看到的是通過M[10]=00的方式設(shè)置啟動方式為用NAND flash啟動的方式，S3C2440內(nèi)部有一個4K的SRAM。這個是芯片自帶的。為了支持NAND flash起動，S3C2410內(nèi)建了內(nèi)部的4k的SRAM緩存“Steppingstone”。當(dāng)起動時，NAND flash最初的4k字節(jié)將被讀入”Steppingstone”然后開始執(zhí)行起動代碼。通常起動代碼會把NAND flash中的內(nèi)容拷到SDRAM中以便執(zhí)行主代碼。注意boot過程是要設(shè)置成autoboot的，是通過硬件來設(shè)置的。在復(fù)位和上電啟動過程都要經(jīng)過這樣的一個啟動過程，這是最初一步的啟動過程。下面就是在通過bootlooder的代碼設(shè)置系統(tǒng)時鐘和初始化寄存器等一系列的工作，在完成后通過跳轉(zhuǎn)指令跳轉(zhuǎn)到系統(tǒng)引導(dǎo)階段。完成啟動。最近還移植了一個最新的u-boot，支持的東西還是挺多的。對這個整體了解也有了一些加深。
在我理解了這么多了后，后來我就解決了那個問題，我的錯誤是沒認(rèn)真分析，我一直在用j-link flasher燒寫SDRAM，難怪問題一直解決不了?。∑鋵嵕褪菦]有好好的去總結(jié)自己所看到的東西！做產(chǎn)品設(shè)計還真的是要脫了幾層皮你的東西才能過關(guān)！！
評論