AVR單片機(jī)內(nèi)部EEPROM詳解

使用EEPROM倒是挺簡單的，無非是讀和寫操作，首先需要判斷是否在讀寫中，判斷讀寫忙標(biāo)志，然后要保證讀寫時(shí)不能被打斷即要關(guān)中斷，接著要寫入到寫數(shù)據(jù)的地址，接著寫數(shù)據(jù)，再將地址和數(shù)據(jù)控制位置位下，數(shù)據(jù)就寫進(jìn)了，最后別忘了開中斷。讀數(shù)據(jù)時(shí)，只要寫入地址，然后將讀控制位置位，再從寄存器EEDR中讀出數(shù)據(jù)即可。

以上用法是簡單用法，當(dāng)然這種用法不能用在實(shí)際工程應(yīng)用中的，因?yàn)閷憯?shù)據(jù)需要8ms的時(shí)間，系統(tǒng)當(dāng)然不允許一直等待這8ms的，在本文下面介紹了一種比較好的方式，來安排系統(tǒng)工作的時(shí)間。當(dāng)然前提是要理解清楚最簡單的工作模式。

一、簡單的工作模式

void EEPROM_write(unsigned int uiAddress,unsigned char ucData)
{
while(EECR&(1< //判斷讀寫忙標(biāo)志

CLI();
EEAR = uiAddress; //寫入地址
EEDR = ucData; //送入數(shù)據(jù)
EECR |=(1< //地址和寫控制位鎖存，即可
EECR |=(1<

SEI();
}

unsigned char EEPROM_read(unsigned int uiAddress)
{
while(EECR&(1< //判斷讀寫忙標(biāo)志

CLI();
EEAR = uiAddress; //送入地址
EECR |=(1< //讀位置位

SEI();
return EEDR;//返回?cái)?shù)據(jù)
}

讀和寫的操作如下面所示 讀寫數(shù)據(jù)時(shí)要從0x01開始 ，00地址有bug（數(shù)據(jù)手冊上講的）

temp=EEPROM_read(0x01);
EEPROM_write(0x01,temp);

二、提升篇-使用緩沖機(jī)構(gòu)的操作

思路是這樣的：首先建立讀寫緩沖區(qū)，把需要寫的數(shù)據(jù)放入到寫緩沖區(qū)中，由于在AVR單片機(jī)中，寫一個(gè)數(shù)據(jù)時(shí)比較慢的大概要8ms吧，這么長的時(shí)間肯定不能一直while等下去，因此我們用中斷在處理，等單片機(jī)EEPROM程序?qū)懞昧司陀衦eady中斷，這時(shí)就能讀寫操作了，寫的時(shí)候從寫緩沖區(qū)中取出數(shù)據(jù)，寫的時(shí)候要注意不允許讀，經(jīng)過一段時(shí)間后就完成了,而且我們發(fā)現(xiàn)寫的時(shí)候只是把數(shù)據(jù)送入到單片機(jī)中的一個(gè)寄存器中，至于EEPROM什么時(shí)候來讀這個(gè)寄存器直至寫完，我們也沒有必要管他，因?yàn)樗僮骱昧藭?huì)中斷告訴我們，從而這8ms還可以用來執(zhí)行其它的程序了，就這樣直到所有的數(shù)據(jù)都寫完了。

#pragma interrupt_handler vIvEeReady:iv_EE_READY
void vIvEeReady(void)
{
if(!fgEepromBufEmpty()) //緩沖區(qū)數(shù)據(jù)還沒完全寫到EPPROM中
{
CLI(); //寫的時(shí)候不希望有別的中斷
EEAR = _sEepromBuf[_bEepromBufRdPtr].wAddress;
EEDR = _sEepromBuf[_bEepromBufRdPtr].bVal; //數(shù)據(jù)寫入
EECR |= BIT(EEMWE);
EECR |= BIT(EEWE);
SEI(); //寫好這個(gè)就打開，盡可能滿足實(shí)時(shí)性
_bEepromBufRdPtr++; //指向下一個(gè)緩沖數(shù)據(jù)
if(_bEepromBufRdPtr >= EEPROM_WRITE_BUF_SIZE) //到了緩沖區(qū)頂了
{
_bEepromBufRdPtr = 0; //從頭部開始計(jì)數(shù)
}
_bEepromBufNs--; //當(dāng)前還沒有寫入EEPROM的數(shù)
}
else
{
EECR &= ~BIT(EERIE); //都寫好了就把中斷關(guān)閉掉
}
}

uchar bWriteData2Eeprom(uint wAddress, uchar bVal)
{
if(fgEepromBufFull()) //是否達(dá)到緩沖定義的最大值
{
return RET_BUSY;
}

CLI(); //關(guān)中斷？這里應(yīng)該放在中斷函數(shù)里面的
_sEepromBuf[_bEepromBufWrPtr].wAddress = wAddress;
_sEepromBuf[_bEepromBufWrPtr].bVal = bVal;
_bEepromBufWrPtr++;
if(_bEepromBufWrPtr >= EEPROM_WRITE_BUF_SIZE) //寫滿了就從頭開始寫
{ //需要保證數(shù)據(jù)不丟失
_bEepromBufWrPtr = 0;
}
_bEepromBufNs++; //寫一個(gè)計(jì)數(shù)就加一下
EECR |= BIT(EERIE); //寫一個(gè)數(shù)據(jù)后這里打開了中斷
SEI();

return RET_SUCCESS;
}

// Notice! The programer must ensure the EEPROM is NOT in writing state.
uchar bReadDataFromEeprom(uint wAddress, uchar *pbVal)
{
if(EECR & BIT(EEWE)) //沒有在寫時(shí)才能讀取，一般放在程序開始時(shí)
{
return RET_BUSY;
}

EEAR = wAddress; //送入地址
EECR |= BIT(EERE); //讀鎖存
*pbVal = EEDR; //取出數(shù)據(jù)
return RET_SUCCESS; //讀取成功
}

BYTE bGetEepromWrBuf(void)
{
return _bEepromBufNs; //讀取當(dāng)前剩余的沒寫入的數(shù)據(jù)
}

void bClrEepromBuf(void)
{
CLI();
_bEepromBufNs = 0;
_bEepromBufRdPtr = _bEepromBufWrPtr;
EECR &= ~BIT(EERIE);
SEI();
}

BOOL fgEepromWizard(void)
{
BOOL fgRet = FALSE;

return fgRet;
}

void vInitEeprom(void)
{
EECR = 0x00; //EEPROM控制寄存器清零
_bEepromBufWrPtr = 0; //讀寫指針和數(shù)據(jù)計(jì)數(shù)清零
_bEepromBufRdPtr = 0;
_bEepromBufNs = 0;
}