單片機(jī)內(nèi)存尋址XDATA/PDATA回答
1、pdata 空間不夠用溢出 直接換成xdata pdata 就是最后的一點(diǎn)空間很容易溢出至于用pdata 有什么好處暫時(shí)沒(méi)有找到相關(guān)的正面解釋。
關(guān)于51單片機(jī)內(nèi)存問(wèn)題,一直是個(gè)疑惑大家的問(wèn)題,因?yàn)?1單片機(jī)是個(gè)很另類的單片機(jī)。下面我給網(wǎng)上取到一部分講解一下:51單片機(jī)之所以另類,是因?yàn)?,他尋址?nèi)存的空間,不是靠總線,是用指令的方式。51單片機(jī)有以下幾個(gè)內(nèi)存模塊組成:1】ROM或者Flash,叫程序存儲(chǔ)區(qū),你寫的程序是存在這里面的,上電后從這里面執(zhí)行。程序存儲(chǔ)區(qū)也分為片內(nèi)和片外,一般來(lái)說(shuō),現(xiàn)在的51很多已經(jīng)做到了64K,所以很少有外擴(kuò)片外Flash或者片外的Rom了,F(xiàn)lash或者Rom不管是片內(nèi)還是片外的,只能用來(lái)定義常量,是用code來(lái)修飾,也就是說(shuō),用code來(lái)修飾的東西,在程序運(yùn)行過(guò)程中,不能修改;2】RAM有------內(nèi)部RAM的低128位(00-7F),對(duì)應(yīng)C語(yǔ)言就是data,比如我定義一個(gè)變量,data unsigned char Var = 0;那么,這個(gè) Var變量就是放在內(nèi)部的低128位Ram中-------內(nèi)部RAM的高128位(80-FF),對(duì)應(yīng)C語(yǔ)言就是idata,比如我定義一個(gè)變量,idata unsigned char Var = 0;那么,這個(gè) Var變量就是放在內(nèi)部的高128位Ram中-------特殊功能寄存器(SFR)(80-FF),對(duì)應(yīng)C語(yǔ)言就是Sfr比如我定義一個(gè)變量,Sfr unsigned char Var = 0x90;那么,這個(gè) Var變量就是放在內(nèi)部的特殊功能寄存器中,這是你對(duì)Var操作,相當(dāng)于操作一個(gè)特殊的寄存器,但是小心,不能隨便定義Sfr變量,很危險(xiǎn)------外部RAM 64K(0000-FFFF)外部的RAM可以擴(kuò)展到65536個(gè),但是前256個(gè)算是一頁(yè),這一頁(yè)比較特殊,是用pdata來(lái)修飾的,當(dāng)然,也可以用xdata來(lái)修飾。除了第一頁(yè)的256個(gè)以外的其他65280個(gè)空間,只能用xdata來(lái)修飾;回過(guò)頭來(lái)討論pdata和xdata,這兩個(gè)都能修飾外部Ram的第一頁(yè),但是,Pdata只能修飾第一頁(yè),即最前面的256個(gè)外部Ram,那么,這最前面的256個(gè)到底用Pdata還是Xdata好的呢?答案是Pdata,因?yàn)閄data修飾的變量,用的是DPTR尋址,Pdata用的是R0和R1.DPTR因?yàn)槭?6位的,所以可以覆蓋整個(gè)的64K外部Ram,R0和R1是8位,所以只能尋址最前面的256個(gè),也就是外部Ram的第一頁(yè),但是,用R0尋址,比DPTR快一倍,代碼也小的很多樓主又疑惑了,好多地址是重復(fù)的,比如,我向80H地址寫一個(gè)數(shù)值,單片機(jī)怎么知道讀的是內(nèi)部的高128位RAM?還是SFR?還是外部64K的RAM呢?答案是用指令,如果是直接尋址,那么訪問(wèn)的就是SFR,如果是R0或者R1間接尋址,就是內(nèi)部高128位RAM,如果是DPTR或者是R0,R1間接尋址,且配合的是MovX指令,那么就是訪問(wèn)外部64KRAM中的第80H個(gè)地址。概括一下來(lái)說(shuō),51的內(nèi)存由以下組成:1----程序存儲(chǔ)器(包括片內(nèi)Flash或Rom,也包括片外Flash或Rom,C語(yǔ)言用Code定義)2----內(nèi)部低128位Ram,C語(yǔ)言用data定義3---內(nèi)部高128位Ram,C語(yǔ)言用idata定義4---內(nèi)部SFR,C語(yǔ)言用Sfr定義5---外部65536個(gè)Ram(通常,很多單片機(jī)廠家不會(huì)給你擴(kuò)展那么多的,一般來(lái)說(shuō)擴(kuò)展256個(gè)字節(jié)或者1024個(gè)字節(jié)就差不多了,最近宏晶的出了個(gè)擴(kuò)展4096字節(jié)的。這65536字節(jié)的Ram,前256個(gè)可以用Pdata修飾,也可以用Xdata修飾,超過(guò)256個(gè)之后的,只能用Xdata修飾)以上所說(shuō)的只是針對(duì)51內(nèi)核的單片機(jī),其他內(nèi)核的,像ARM之類的,不是這種結(jié)構(gòu)的。最后,回答我們的大家的問(wèn)題:片外存儲(chǔ)區(qū)是什么?這個(gè)問(wèn)題太模糊,答案可以是外擴(kuò)的Flash,也可以說(shuō)是外擴(kuò)的RAM,如果問(wèn)題是這么問(wèn)的:程序或者常量存儲(chǔ)在片外存儲(chǔ)區(qū),這個(gè)片外存儲(chǔ)區(qū)指的是什么?答案是外擴(kuò)Flash;如果問(wèn)題是---變量存儲(chǔ)在片外存儲(chǔ)區(qū),這個(gè)片外存儲(chǔ)區(qū)指的是什么?答案是外擴(kuò)RAM;一般來(lái)說(shuō),如果不指明的話,外內(nèi)存儲(chǔ)區(qū),行業(yè)內(nèi)人士指的是外部的Ram。片內(nèi)存儲(chǔ)器是什么?是不是就是內(nèi)部的E2PROM?片內(nèi)存儲(chǔ)區(qū)一般來(lái)說(shuō),指的是內(nèi)部的Ram,包括高128位(idata)和低128位(data)片內(nèi)存儲(chǔ)器,這個(gè)說(shuō)法我沒(méi)聽說(shuō)過(guò),可能是EEPROM吧。
評(píng)論