寫MSP430片內(nèi)flash
Flash 存儲器被分割成兩部分:主存儲器和信息存儲器,兩者在操作上沒有什么區(qū)別。兩部分的區(qū)別在于段的大小和物理地址的不同。
以Msp430F149為例,信息存儲器有兩個128字節(jié)的段,即segmentA和segmentB,主存儲器有多個512字節(jié)的段。Msp430F149內(nèi)部Flash的地址為0x1000H~0xFFFFH,計60K。信息段SegA的起始地址為0x1080H,信息段SegB的起始地址為0x1000H。
3 Flash存儲器的操作
在默認狀態(tài)下,處于讀操作模式。在讀操作模式中,F(xiàn)lash存儲器不能被擦除和寫入,時序發(fā)生器和電壓發(fā)生被關閉,存儲器操作指向ROM區(qū)。
Msp430 Flash存儲器在系統(tǒng)編程ISP(in-system programmable)不需要額外的外部電壓。CPU能夠?qū)lash直接編程。Flash存儲器的寫入/擦除通過BLKWRT、WRT、MERAS、ERASE等位確定。
3.1 擦除
Flash存儲器各位的缺省值為1,每一位都可以單獨編程為0,但只有擦除操作才能將其恢復為1。擦除操作的最小單位是段。通過erase和meras位設置可選擇3種擦除模式。
MERAS | ERASE | 擦除模式 |
0 | 1 | 段擦除 |
1 | 0 | 多段擦除(所有主存儲器的段) |
1 | 1 | 整體擦除(LOCKA=0時,擦除所有主存儲器和信息存儲器的段;主存儲器的段只有當LOCKA=0時可以擦除) |
擦除操作開始于對擦除的地址范圍內(nèi)的任意位置執(zhí)行一次空寫入??諏懭氲哪康氖菃訒r序發(fā)生器和擦除操作。在空寫入操作之后,BUSY位自動置位,并保持到擦除周期結(jié)束。BUSY、MERAS、ERASE在擦除周期結(jié)束后自動復位。
3.2 寫入
寫入模式由WRT和BLKWRT位進行設置。
BLKWRT(塊寫入模式選擇) | WRT(寫模式選擇位) | 寫入模式 |
0 | 1 | 單字節(jié)、單字寫入 |
1 | 1 | 塊寫入 |
倍,因為電壓發(fā)生器在塊寫入完成器件均能保持。對于這兩種寫入模式,任何能修改目的操作數(shù)的指令均能用于修改地址。一個Flash字不能再擦除器件進行兩次以上的寫入。
當啟動寫入操作時,BUSY置位,寫入結(jié)束時復位。
4 操作編程
4.1 Flash擦除
對Flash要寫入數(shù)據(jù),必須先擦除相應的段,且對Flash存儲器的擦除必須是整段進行的,可以一段一段擦,也可以多段一起擦除。擦除操作的順序如下:
1)
2)
3)
4)
5)
6)
7)
根據(jù)上述操作順序,編寫程序代碼如下:
void FlashErase(unsigned int adr)
{
(關閉中斷:_DINT();//關閉總中斷 本人注)
}
4.2 寫入
對Flash的寫入數(shù)據(jù)可以是單字、單字節(jié),也可以是連續(xù)多個字或字節(jié)(即塊操作)。編程寫入操作的順序如下:
1)
2)
3)
4)
5)
6)
7)
根據(jù)上述操作順序,編寫程序代碼如下:
//write single byte
//Adr 為要編程的地址,沒有奇偶地址要求、DataB為要編程的字節(jié)數(shù)據(jù)
void FlashWB(unsigned char Adr,unsigned char DataB)
{
}
//write single word
//Adr 為要編程的地址,應該是偶地址、DataW為要編程的字數(shù)據(jù)
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