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          單片機內(nèi)的Flash與EEPROM作用及區(qū)別

          作者: 時間:2016-11-25 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          最近對各種單片機狂熱,近期在看AVR單片機,發(fā)現(xiàn)單片機內(nèi)除了FALSH,和SRAM還有片內(nèi)EEPROM這個東西沒有遇到過啊,好像沒有用啊,一般感覺都是外接IIC的EEPROM的來進行數(shù)據(jù)的保存。

          查了下總結(jié)下:

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201611/321347.htm
          flash是用來放程序的,可以稱之為程序存儲器,可以擦出寫入但是基本都是整個扇區(qū)進行的.
          一般來說 單片機里的flash都用于存放運行代碼,在運行過程中不能改;

          EEPROM是用來保存用戶數(shù)據(jù),運行過程中可以改變,比如一個時鐘的鬧鈴時間初始化設(shè)定為12:00,后來在運行中改為6:00,這是保存在EEPROM里,不怕掉電,就算重新上電也不需要重新調(diào)整到6:00
          下面是網(wǎng)上詳細的說法,感覺不錯:
          FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同,F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單,同樣容量占芯片面積較小,成本自然比EEPROM低,因而適合用作程序存儲器,EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行,但操作比EEPROM麻煩的多,所以更“人性化”的MCU設(shè)計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器,而廉價型設(shè)計往往只有 FLASH,早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu),現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
          在芯片的內(nèi)電路中,F(xiàn)LASH和EEPROM不僅電路不同,地址空間也不同,操作方法和指令自然也不同,不論馮諾伊曼結(jié)構(gòu)還是哈佛結(jié)構(gòu)都是這樣。技術(shù)上,程序存儲器和非易失數(shù)據(jù)存儲器都可以只用FALSH結(jié)構(gòu)或EEPROM結(jié)構(gòu),甚至可以用“變通”的技術(shù)手段在程序存儲區(qū)模擬“數(shù)據(jù)存儲區(qū)”,但就算如此,概念上二者依然不同,這是基本常識問題。
          EEPROM:電可擦除可編程只讀存儲器,Flash的操作特性完全符合EEPROM的定義,屬EEPROM無疑,首款Flash推出時其數(shù)據(jù)手冊上也清楚的標明是EEPROM,現(xiàn)在的多數(shù)Flash手冊上也是這么標明的,二者的關(guān)系是“白馬”和“馬”。至于為什么業(yè)界要區(qū)分二者,主要的原因是 Flash EEPROM的操作方法和傳統(tǒng)EEPROM截然不同,次要的原因是為了語言的簡練,非正式文件和口語中Flash EEPROM就簡稱為Flash,這里要強調(diào)的是白馬的“白”屬性而非其“馬”屬性以區(qū)別Flash和傳統(tǒng)EEPROM。
          Flash的特點是結(jié)構(gòu)簡單,同樣工藝和同樣晶元面積下可以得到更高容量且大數(shù)據(jù)量下的操作速度更快,但缺點是操作過程麻煩,特別是在小數(shù)據(jù)量反復(fù)重寫時,所以在MCU中Flash結(jié)構(gòu)適于不需頻繁改寫的程序存儲器。
          很多應(yīng)用中,需要頻繁的改寫某些小量數(shù)據(jù)且需掉電非易失,傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的EEPROM在此非常適合,所以很多MCU內(nèi)部設(shè)計了兩種EEPROM結(jié)構(gòu),F(xiàn)LASH的和傳統(tǒng)的以期獲得成本和功能的均衡,這極大的方便了使用者。隨著ISP、IAP的流行,特別是在程序存儲地址空間和數(shù)據(jù)存儲地址空間重疊的MCU系中,現(xiàn)在越來越多的MCU生產(chǎn)商用支持IAP的程序存儲器來模擬EEPROM對應(yīng)的數(shù)據(jù)存儲器,這是低成本下實現(xiàn)非易失數(shù)據(jù)存儲器的一種變通方法。為在商業(yè)宣傳上取得和雙EEPROM工藝的“等效”性,不少采用Flash程序存儲器“模擬”(注意,技術(shù)概念上并非真正的模擬)EEPROM數(shù)據(jù)存儲器的廠家紛紛宣稱其產(chǎn)品是帶EEPROM的,嚴格說,這是非常不嚴謹?shù)?,但商人有商人的目的和方法,用Flash“模擬”EEPROM可以獲取更大商業(yè)利益,所以在事實上,技術(shù)概念混淆的始作俑者正是他們。
          從成本上講,用Flash“模擬”EEPROM是合算的,反之不會有人干,用EEPROM模擬Flash是怎么回事呢?這可能出在某些程序存儲空間和數(shù)據(jù)存儲空間連續(xù)的MCU上。這類MCU中特別是存儲容量不大的低端MCU依然采用EEPROM作為非易失存儲器,這在成本上反而比采用Flash和傳統(tǒng)EEPROM雙工藝的設(shè)計更低,但這種現(xiàn)象僅僅限于小容量前提下。因Flash工藝的流行,現(xiàn)在很多商人和不夠嚴謹?shù)募夹g(shù)人員將程序存儲器稱為Flash,對于那些僅采用傳統(tǒng)EEPROM工藝的MCU而言,他們不求甚解,故而錯誤的將EEPROM程序存儲器稱為“ 模擬Flash”,根本的原因是他們未理解Flash只是一種存儲器結(jié)構(gòu)而非存儲器的用途,錯誤的前提自然導(dǎo)致錯誤的結(jié)論。商業(yè)上講,用EEPROM模擬 Flash是不會有人真去做的愚蠢行為,這違背商業(yè)追求最大利益的原則,技術(shù)上也不可行,而對于技術(shù)人員而言。本質(zhì)的問題是Flash是一種存儲器類型而非MCU中的程序存儲器,即使MCU的程序存儲器用的是Flash,但其逆命題不成立。


          關(guān)鍵詞: 單片機FlashEEPRO

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