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          S3C2410 SDRAM寄存器初始化設(shè)置

          作者: 時間:2016-11-25 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          幾天前看初始化SDRAM代碼時覺得比較困難,主要是因為之前沒有接觸過這方面,毫無經(jīng)驗,現(xiàn)在看來不難,麻煩在需要根據(jù)datasheet進(jìn)行設(shè)置,好在是移植,很多強(qiáng)人的文章可參考。自己很容易忘事,就記錄下來吧。


          我的板子是s3c2410,使用兩片容量為32MB、位寬16bit的HY57V561620CT-H芯片拼成容量為64M、32bit的SDRAM存儲器。根據(jù)2410datasheet,要使用SDRAM需配置13個寄存器,以下逐個來看:

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201611/321523.htm

          1、 BWSCON:Bus width & wait status control register總線位寬和等待狀態(tài)控制寄存器。

          此寄存器用于配置BANK0 – BANK7的位寬和狀態(tài)控制,每個BANK用4位來配置,分別是:

          ● ST(啟動/禁止SDRAM的數(shù)據(jù)掩碼引腳。對于SDRAM,此位置0;對于SRAM,此位置1)

          ● WS(是否使用存儲器的WAIT信號,通常置0為不使用)

          ● DW(兩位,設(shè)置位寬。此板子的SDRAM是32位,故將DW6設(shè)為10)

          特殊的是bit[2:1],即DW0,設(shè)置BANK0的位寬,又板上的跳線決定,只讀的。我這板子BWSCON可設(shè)置為0x22111110。其實只需將BANK6對應(yīng)的4位設(shè)為0010即可。

          2、 BANKCON0 – BANKCON7

          用來分別配置8個BANK的時序等參數(shù)。SDRAM是映射到BANK6和BANK7上的(內(nèi)存只能映射到這兩個BANK,具體映射多大的空間,可用BANKSIZE寄存器設(shè)置),所以只需參照SDRAM芯片的datasheet配置好BANK6和BANK7,BANKCON0 – BANKCON5使用默認(rèn)值0x00000700即可。

          對于BANKCON6和BANKCON7中的各個位的描述:

          (1)MT(bit[16:15]):設(shè)置本BANK映射的物理內(nèi)存是SRAM還是SDRAM,后面的低位就根據(jù)此MT的選擇而分開設(shè)置。本板子應(yīng)置0b11,所以只需要再設(shè)置下面兩個參數(shù)

          (2)Trcd(bit[3:2]):RAS to CAS delay(00=2 clocks,01=3 clocks,10=4 clocks),推2410手冊上的薦值是0b01。我們PC的BIOS里也可以調(diào)節(jié)的,應(yīng)該玩過吧。

          (3)SCAN(bit[1:0]):Column address number(00 = 8-bit,01 = 9-bit,10= 10-bit),SDRAM列地址位數(shù)。查閱HY57V561620CT-H芯片手冊得知此值是9,所以SCAN=0b01。

          綜合以上各值,BANKCON6 – 7設(shè)為0x00018005。

          3、 REFRESH:刷新控制寄存器。

          此寄存器的bit[23:11]可參考默認(rèn)值,或自己根據(jù)經(jīng)驗修改,這里用0x008e0000,關(guān)鍵是最后的Refresh Counter(簡稱R_CNT,bit[10:0])的設(shè)置,2410手冊上給出了公式計算方法。SDRAM手冊上“8192 refresh cycles / 64ms”的描述,得到刷新周期為64ms/8192=7.8125us,結(jié)合公式,R_CNT=2^11 + 1 – 12 * 7.8125 = 1955。所以可得REFRESH=0x008e0000+1995=0x008e07a3。

          4、 BANKSIZE:設(shè)置SDRAM的一些參數(shù)。其中BK76MAP(bit[2:0])配置BANK6/7映射的大小,可設(shè)置為010 = 128MB/128MB或001 = 64MB/64MB,只要比實際RAM大都行,因為bootloader和linux內(nèi)核都可以檢測可用空間的。BANKSIZE=0x000000b2。

          5、 MRSRB6、MRSRB7:Mode register set register bank6/7

          可以修改的只有CL[6:4](CAS latency,000 = 1 clock, 010 = 2 clocks, 011=3 clocks),其他的全部是固定的(fixed),故值為0x00000030。這個CAS在BIOS中應(yīng)該也設(shè)置過吧,對PC的速度提升很明顯哦J

          至此,13個寄存器全部配置好了,下面就可以把代碼復(fù)制到SDRAM中執(zhí)行了,同樣的程序速度要比片內(nèi)SRAM運(yùn)行的慢不少。

          ————————————————————

          1。關(guān)于CPU和SDRAM的硬件連接參考s3c2410datasheet的“MEMORY (SROM/SDRAM) ADDRESS PIN CONNECTIONS”可以得知,那么復(fù)制4K以后的代碼需要使用NANDFLASH控制器來讀取NANDFLASH,以后的實驗中將列舉,本實驗系統(tǒng)啟動后將NANDFLASH開始的4K數(shù)據(jù)復(fù)制到SRAM中,然后跳轉(zhuǎn)到0地址開始執(zhí)行,然后初始化存儲控制器,把程序本身從SRAM中復(fù)制到SDRAM中,最后跳轉(zhuǎn)到SDRAM中運(yùn)行,程序的標(biāo)號:on_sdram,這個地址在連接程序時被確定為30000010,這個是SDRAM的地址,通過ldr pc,on_sdram,程序就可以跳轉(zhuǎn)到SDRAM去了。那么on_sdram的值為什么等于31000010呢?原因在于Makefile中連接程序的命令為arm-softfloat-linux-gnu-ld -Ttext 30000000 head_yoyo.o leds_yoyo.o -o sdram_elf,意思就是代碼段的起始地址為30000000,即程序的第一條指令( bl disable_watchdog)的連接地址為30000000,其他類推,其程序標(biāo)號為on_sdram的值為30000010,雖然 bl disable_watchdog,bl memsetup, bl copy_steppingstone_to_sdram,的連接地址都在SDRAM中,但是由于他們都是位置無關(guān)的相對跳轉(zhuǎn)指令,所以可以在SRAM中運(yùn)行。

          @**********************************************************
          2 @ File : head_yoyo.S
          3 @ 功能 : 設(shè)置SDRAM,將程序復(fù)制到SDRAM中,并跳轉(zhuǎn)到SDRAM中運(yùn)行
          4 @**********************************************************
          5
          6 .equ MEM_CTL_BASE, 0x48000000
          7 .equ SDRAM_BASE, 0x30000000
          8 .text
          9 .global _start
          10 _start:
          11 bl disable_watchdog @關(guān)閉看門狗,否則CPU不斷重啟
          12 bl memsetup @初始化SDRAM控制器
          13 bl copy_steppingstone_to_sdram @復(fù)制代碼到SDRAM
          14 ldr pc,=on_sdram
          15
          16
          17 @*********************************************************
          18 @ 子函數(shù)說明:跳轉(zhuǎn)到SDRAM中運(yùn)行
          19 @*********************************************************
          20
          21 on_sdram:
          22 ldr sp,=0x34000000 @設(shè)置棧,由于棧是向下增長,實際的使用為0x340 00000-4(棧在使用之前要減4)
          bl main @跳轉(zhuǎn)到C語言
          24
          25
          26 halt_loop:
          27 b halt_loop @死循環(huán)
          28
          29 @*********************************************************
          30 @ 子函數(shù)說明:關(guān)閉看門狗
          31 @*********************************************************
          32
          33 disable_watchdog:
          34 ldr r0,=0x53000000
          35 mov r1,#0x0
          36 str r1,[r0]
          37 mov pc,lr
          38
          39 @*********************************************************
          40 @子函數(shù)說明:初始化內(nèi)存控制器
          41 @*********************************************************
          42
          43 memsetup:
          mov r1,#MEM_CTL_BASE
          45 adrl r2,mem_cfg_val
          46 add r3,r1,#52
          47 1:
          48 ldr r4,[r2],#4 @將地址為R2的內(nèi)存單元數(shù)據(jù)讀取到R4中,然后r2=r2 +4
          49 str r4,[r1],#4 @將r4的數(shù)據(jù)寫入到r1的內(nèi)存單元,然后r1=r1+4
          50 cmp r1,r3 @比較R1,R3是否設(shè)置完所有的13個寄存器。
          51 bne 1b @如果沒有復(fù)制完,就繼續(xù)
          52 mov pc,lr @復(fù)制完后返回,b指令則不行。區(qū)別bl。
          53
          54
          55 @*****************************************************************
          56 @子函數(shù)說明:復(fù)制代碼到SDRAM,將SRAM中的4K數(shù)據(jù)全部復(fù)制到SDRAM,
          57 @ SRAM起始地址為0x00000000,SDRAM的起始地址為0x30000000
          58 @*****************************************************************
          59
          60 copy_steppingstone_to_sdram:
          61 mov r1,#0 @設(shè)置R1為SRAM的起始地址為0x00000000
          62 ldr r2,=SDRAM_BASE @設(shè)置R2為SDRAM的起始地址為0設(shè)置R1為0X300 00000
          63 mov r3 ,#4*1024 @設(shè)置R3為4K
          1:
          65 ldr r4,[r1],#4 @從SRAM中讀取4字節(jié)的數(shù)據(jù)到R4中,然后r1=r 1+4
          66 str r4,[r2],#4 @將r4中的4字節(jié)數(shù)據(jù)復(fù)制到SDRAM中,然后r2= r2+4
          67 cmp r1,r3 @判斷是否完成:SRAM的地址是否等于末地址>
          68 bne 1b @若沒有完成,繼續(xù)復(fù)制
          69 mov pc,lr @返回
          70
          71 .align 4
          72
          73 @******************************************************
          74 @存儲控制器13個寄存器的設(shè)置值
          75 @******************************************************
          76 mem_cfg_val:
          77 .long 0x22011110 @BWSCON :
          78 .long 0x00000700 @BANKCON0
          79 .long 0x00000700 @BANKCON1
          80 .long 0x00000700 @BANKCON2
          81 .long 0x00000700 @BANKCON3
          82 .long 0x00000700 @BANKCON4
          .long 0x00000700 @BANKCON5
          84 .long 0x00018005 @BANKCON6
          85 .long 0x00018005 @BANKCON7
          86 .long 0x008e07a3 @REFRESH
          87 .long 0x000000b1 @BANKSIZE
          88 .long 0x00000030 @MRSRB6
          89 .long 0x00000030 @MRSRB7
          說明:
          BWSCON:對應(yīng)BANK0-BANK7,每BANK使用4位。這4位分別表示:
          a.STx:啟動/禁止SDRAM的數(shù)據(jù)掩碼引腳,對于SDRAM,此位為0;對于SRAM,此位為1。有原理圖可知Not using UB/LB (The pins are dedicated nWBE[3:0])。
          b.WSx:是否使用存儲器的WAIT信號,通常設(shè)為0
          c.DWx:使用兩位來設(shè)置存儲器的位寬:00-8位,01-16位,10-32位,11-保留。
          d.比較特殊的是BANK0對應(yīng)的4位,它們由硬件跳線決定,只讀。
          對于本開發(fā)板,使用兩片容量為32Mbyte、位寬為16的SDRAM組成容量為64Mbyte、位寬為32的存儲器,所以其BWSCON相應(yīng)位為: 0010。對于本開發(fā)板,BWSCON可設(shè)為0x22111110:其實我們只需要將BANK6對應(yīng)的4位設(shè)為0010即可,其它的是什么值沒什么影響,這個值是參考手冊上給出的。

          BANKCON0-BANKCON5:我們沒用到,使用默認(rèn)值0x00000700;

          BANKCON6-BANKCON7:設(shè)為0x00018005 在8個BANK中,只有BANK6和BANK7可以使用SRAM或SDRAM,所以BANKCON6-7與BANKCON0-5有點不同:
          a.MT([16:15]):用于設(shè)置本BANK外接的是SRAM還是SDRAM:SRAM-0b00,SDRAM-0b11
          b.當(dāng)MT=0b11時,還需要設(shè)置兩個參數(shù):
          Trcd([3:2]):RAS to CAS delay(00=2 clocks,01=3 clocks,10=4 clocks),由于使用的是HY57V561620(L)T-H,查看其手冊具體在“DEVICE OPERATING OPTION TABLE”,在100M的工作頻率下的推薦值為3clocks,所以設(shè)為推薦值0b01。
          SCAN([1:0]):SDRAM的列地址位數(shù),(00 = 8-bit,01 = 9-bit,10= 10-bit)對于本開發(fā)板使用的SDRAM HY57V561620(L)T-H(Column Address : CA0 ~ CA8),列地址位數(shù)為9,所以SCAN=0b01。
          如果使用其他型號的SDRAM,您需要查看它的數(shù)據(jù)手冊來決定SCAN的取值:00-8位,01-9位,10-10位.

          REFRESH:設(shè)為0x008e0000+ R_CNT 其中R_CNT用于控制SDRAM的刷新周期,占用REFRESH寄存器的[10:0]位,它的取值可如下計算(SDRAM時鐘頻率就是HCLK):
          R_CNT = 2^11 + 1 – SDRAM時鐘頻率(MHz) * SDRAM刷新周期(uS)
          在未使用PLL時,SDRAM時鐘頻率等于晶振頻率12MHz;
          SDRAM 的刷新周期在SDRAM的數(shù)據(jù)手冊上有標(biāo)明,在本開發(fā)板使用的SDRAM HY57V561620(L)-H的數(shù)據(jù)手冊上,可看見這么一行“8192 refresh cycles / 64ms”:所以,刷新周期=64ms/8192 = 7.8125 uS。
          對于本實驗,R_CNT = 2^11 + 1 – 12 * 7.8125 = 1955, REFRESH=0x008e0000 + 1955 = 0x008e07a3
          Trp([21:20]):設(shè)置為0即可
          Tsrc([19:18]):設(shè)置默認(rèn)值即可。

          BANKSIZE:
          位[7]=1:Enable burst operation (0=ARM核禁止突發(fā)傳輸,1=ARM核支持突發(fā)傳輸)
          位[5]=1:SDRAM power down mode enable(0=不使用SCKE信號令SDRAM進(jìn)入省電模式,1=使用SCKE信號令SDRAM進(jìn)入省電模式)
          位[4]=1:SCLK is active only during the access (recommended)
          位 [2:1]=010:BANK6、BANK7對應(yīng)的地址空間與BANK0-5不同。BANK0-5的地址空間都是固定的128M,地址范圍是 (x*128M)到(x+1)*128M-1,x表示0到5。但是BANK7的起始地址是可變的,您可以從S3C2410數(shù)據(jù)手冊第5章“Table 5-1. Bank 6/7 Addresses”中了解到BANK6、7的地址范圍與地址空間的關(guān)系。本開發(fā)板僅使用BANK6的64M空間,我們可以令位 [2:1]=010(128M/128M)或001(64M/64M):這沒關(guān)系,多出來的空間程序會檢測出來,不會發(fā)生使用不存在的內(nèi)存的情況——后面介紹到的bootloader和linux內(nèi)核都會作內(nèi)存檢測。
          位[6]、位[3]沒有使用。

          MRSRBx:
          能讓我們修改的只有位[6:4](CL=CAS latency,查看SDRAM的DATASHEET)這是SDRAM時序的一個時間參數(shù),SDRAM 不支持CL=1的情況,所以位[6:4]取值為010(CL=2)或011(CL=3)。開發(fā)板保守的值為0b11。

          NOTE:
          In Power_OFF mode, SDRAM has to enter SDRAM self-refresh mode.


          1
          18
          19 #define rGPFCON (*(volatile unsigned long *)0x56000050)
          20 #define rGPFDAT (*(volatile unsigned long *)0x56000054)

          #define GPF4_OUTP (0x01<<8)
          23 #define GPF5_OUTP (0x01<<10)
          24 #define GPF6_OUTP (0x01<<12)
          25 #define GPF7_OUTP (0x01<<14)
          26
          27 void wait(unsigned long time)
          28 {
          29 for(;time>0;time--);
          30 }
          31
          32 int main()
          33 {
          34
          35 rGPFCON = GPF4_OUTP|GPF5_OUTP|GPF6_OUTP|GPF7_OUTP;
          36
          37 while(1)
          38 {
          39 wait(30000);
          40 rGPFDAT = (~1<<4);
          41 wait(30000);
          42 rGPFDAT = (~1<<5);
          43 wait(30000);
          44 rGPFDAT = (~1<<6);
          45 wait(30000);
          46 rGPFDAT = (~1<<7);
          47
          48 }
          49 }



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