S3C2440對Nand Flash操作和電路原理(基于K9F2G08U0A)

該段程序先判斷該頁所在的壞是否為壞塊，如果是則退出。在最后寫操作失敗后，還要標(biāo)注該頁所在的塊為壞塊，其中所用到的函數(shù)rNF_IsBadBlock和rNF_MarkBadBlock，我們在后面介紹。我們再總結(jié)一下該程序所返回數(shù)值的含義，0x42：表示該頁所在的塊為壞塊；0x43：表示寫操作失敗，并且在標(biāo)注該頁所在的塊為壞塊時也失??；0x44：表示寫操作失敗，但是標(biāo)注壞塊成功；0x66：寫操作成功。

擦除是以塊為單位進行的，因此在寫地址周期是，只需寫三個行周期，并且要從A18開始寫起。與寫操作一樣，在擦除結(jié)束前還要判斷是否擦除操作成功，另外同樣也存在需要判斷是否為壞塊以及要標(biāo)注壞塊的問題。下面就給出一段具體的塊擦除操作程序：

U8 rNF_EraseBlock(U32 block_number)

{

char stat, temp;

temp = rNF_IsBadBlock(block_number); //判斷該塊是否為壞塊

if(temp == 0x33)

return 0x42; //是壞塊，返回

NF_nFCE_L(); //打開片選

NF_CLEAR_RB(); //清RnB信號

NF_CMD(CMD_ERASE1); //擦除命令周期1

//寫入3個地址周期，從A18開始寫起

NF_ADDR((block_number << 6) & 0xff); //行地址A18~A19

NF_ADDR((block_number >> 2) & 0xff); //行地址A20~A27

NF_ADDR((block_number >> 10) & 0xff); //行地址A28

NF_CMD(CMD_ERASE2); //擦除命令周期2

delay(1000); //延時一段時間

NF_CMD(CMD_STATUS); //讀狀態(tài)命令

//判斷狀態(tài)值的第6位是否為1，即是否在忙，該語句的作用與NF_DETECT_RB();相同

do{

stat = NF_RDDATA8();

}while(!(stat&0x40));

NF_nFCE_H(); //關(guān)閉Nand Flash片選

//判斷狀態(tài)值的第0位是否為0，為0則擦除操作正確，否則錯誤

if (stat & 0x1)

{

temp = rNF_MarkBadBlock(page_number>>6);//標(biāo)注該塊為壞塊

if (temp == 0x21)

return 0x43 //標(biāo)注壞塊失敗

else

return 0x44; //擦除操作失敗

}

else

return 0x66; //擦除操作成功

}

該程序的輸入?yún)?shù)為K9F2G08U0A的第幾塊，例如我們要擦除第2001塊，則調(diào)用該函數(shù)為：rNF_EraseBlock(2001)。

K9F2G08U0A除了提供了頁讀和頁寫功能外，還提供了頁內(nèi)地址隨意讀、寫功能。頁讀和頁寫是從頁的首地址開始讀、寫，而隨意讀、寫實現(xiàn)了在一頁范圍內(nèi)任意地址的讀、寫。隨意讀操作是在頁讀操作后輸入隨意讀命令和頁內(nèi)列地址，這樣就可以讀取到列地址所指定地址的數(shù)據(jù)。隨意寫操作是在頁寫操作的第二個頁寫命令周期前，輸入隨意寫命令和頁內(nèi)列地址，以及要寫入的數(shù)據(jù)，這樣就可以把數(shù)據(jù)寫入到列地址所指定的地址內(nèi)。下面兩段程序?qū)崿F(xiàn)了隨意讀和隨意寫功能，其中隨意讀程序的輸入?yún)?shù)分別為頁地址和頁內(nèi)地址，輸出參數(shù)為所讀取到的數(shù)據(jù)，隨意寫程序的輸入?yún)?shù)分別為頁地址，頁內(nèi)地址，以及要寫入的數(shù)據(jù)。

U8 rNF_RamdomRead(U32 page_number, U32 add)

{

NF_nFCE_L(); //打開Nand Flash片選

NF_CLEAR_RB(); //清RnB信號

NF_CMD(CMD_READ1); //頁讀命令周期1

//寫入5個地址周期

NF_ADDR(0x00); //列地址A0~A7

NF_ADDR(0x00); //列地址A8~A11

NF_ADDR((page_number) & 0xff); //行地址A12~A19

NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff); //行地址A20~A27

NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff); //行地址A28

NF_CMD(CMD_READ2); //頁讀命令周期2

NF_DETECT_RB(); //等待RnB信號變高，即不忙

NF_CMD(CMD_RANDOMREAD1); //隨意讀命令周期1

//頁內(nèi)地址

NF_ADDR((char)(add&0xff)); //列地址A0~A7

NF_ADDR((char)((add>>8)&0x0f)); //列地址A8~A11

NF_CMD(CMD_RANDOMREAD2); //隨意讀命令周期2

return NF_RDDATA8(); //讀取數(shù)據(jù)

}

U8 rNF_RamdomWrite(U32 page_number, U32 add, U8 dat)

{

U8 temp,stat;

NF_nFCE_L(); //打開Nand Flash片選

NF_CLEAR_RB(); //清RnB信號

NF_CMD(CMD_WRITE1); //頁寫命令周期1

//寫入5個地址周期

NF_ADDR(0x00); //列地址A0~A7

NF_ADDR(0x00); //列地址A8~A11

NF_ADDR((page_number) & 0xff); //行地址A12~A19

NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff); //行地址A20~A27

NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff); //行地址A28

NF_CMD(CMD_RANDOMWRITE); //隨意寫命令

//頁內(nèi)地址

NF_ADDR((char)(add&0xff)); //列地址A0~A7

NF_ADDR((char)((add>>8)&0x0f)); //列地址A8~A11

NF_WRDATA8(dat); //寫入數(shù)據(jù)

NF_CMD(CMD_WRITE2); //頁寫命令周期2

delay(1000); //延時一段時間

NF_CMD(CMD_STATUS); //讀狀態(tài)命令

//判斷狀態(tài)值的第6位是否為1，即是否在忙，該語句的作用與NF_DETECT_RB();相同

do{

stat = NF_RDDATA8();

}while(!(stat&0x40));

NF_nFCE_H(); //關(guān)閉Nand Flash片選

//判斷狀態(tài)值的第0位是否為0，為0則寫操作正確，否則錯誤

if (stat & 0x1)

return 0x44; //失敗

else

return 0x66; //成功

}

下面介紹上文中提到的判斷壞塊以及標(biāo)注壞塊的那兩個程序：rNF_IsBadBlock和rNF_MarkBadBlock。在這里，我們定義在spare區(qū)的第6個地址（即每頁的第2054地址）用來標(biāo)注壞塊，0x44表示該塊為壞塊。要判斷壞塊時，利用隨意讀命令來讀取2054地址的內(nèi)容是否為0x44，要標(biāo)注壞塊時，利用隨意寫命令來向2054地址寫0x33。下面就給出這兩個程序，它們的輸入?yún)?shù)都為塊地址，也就是即使僅僅一頁出現(xiàn)問題，我們也標(biāo)注整個塊為壞塊。

U8 rNF_IsBadBlock(U32 block)

{

return rNF_RamdomRead(block*64, 2054);

}

U8 rNF_MarkBadBlock(U32 block)

{

U8 result;

result = rNF_RamdomWrite(block*64, 2054, 0x33);

if(result == 0x44)

return 0x21; //寫壞塊標(biāo)注失敗

else

return 0x60; //寫壞塊標(biāo)注成功

}

關(guān)于Nand Flash的基本操作就介紹到這吧