ARM的啟動(dòng)方式
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二,處理器模式
ARM的處理器可工作于多種模式,不同模式有不同的堆棧 ,以下設(shè)置各模式及其堆棧.
預(yù)定義一些參數(shù):
MODUSR EQU 0x10
MODSYS EQU 0x1F
MODSVC EQU 0x13
MODABT EQU 0x17
MODUDF EQU 0x1B
MODIRQ EQU 0x12
MODFIQ EQU 0x11
IRQBIT EQU 0x80
FIQBIT EQU 0x40
RAMEND EQU 0x00204000 ; S64 : 16KB RAM
VECTSIZE EQU 0x100 ;
UsrStkSz EQU 8 ; size of USR stack
SysStkSz EQU 128 ; size of SYS stack
SvcStkSz EQU 8 ; size of SVC stack
UdfStkSz EQU 8 ; size of UDF stack
AbtStkSz EQU 8 ; size of ABT stack
IrqStkSz EQU 128 ; size of IRQ stack
FiqStkSz EQU 16 ; size of FIQ stack
修改這些值即可修改相應(yīng)模式堆棧的尺寸.
以下為各模式代碼:
SYSINIT
;
MRS R0,CPSR
BIC R0,R0,#0x1F
MOV R2,#RAMEND
ORR R1,R0,#(MODSVC :OR: IRQBIT :OR: FIQBIT)
MSR cpsr_cxsf,R1 ; ENTER SVC MODE
MOV sp,R2
SUB R2,R2,#SvcStkSz
ORR R1,R0,#(MODFIQ :OR: IRQBIT :OR: FIQBIT)
MSR CPSR_cxsf,R1 ; ENTER FIQ MODE
MOV sp,R2
SUB R2,R2,#FiqStkSz
ORR R1,R0,#(MODIRQ :OR: IRQBIT :OR: FIQBIT)
MSR CPSR_cxsf,R1 ; ENTER IRQ MODE
MOV sp,R2
SUB R2,R2,#IrqStkSz
ORR R1,R0,#(MODUDF :OR: IRQBIT :OR: FIQBIT)
MSR CPSR_cxsf,R1 ; ENTER UDF MODE
MOV sp,R2
SUB R2,R2,#UdfStkSz
ORR R1,R0,#(MODABT :OR: IRQBIT :OR: FIQBIT)
MSR CPSR_cxsf,R1 ; ENTER ABT MODE
MOV sp,R2
SUB R2,R2,#AbtStkSz
;ORR R1,R0,#(MODUSR :OR: IRQBIT :OR: FIQBIT)
;MSR CPSR_cxsf,R1 ; ENTER USR MODE
;MOV sp,R2
;SUB R2,R2,#UsrStkSz
ORR R1,R0,#(MODSYS :OR: IRQBIT :OR: FIQBIT)
MSR CPSR_cxsf,R1 ; ENTER SYS MODE
MOV sp,R2 ;
三,初始化變量
編譯完成之后,連接器會(huì)生成三個(gè)基本的段,分別是RO,RW,ZI,并會(huì)在image中順序擺放.顯然,RW,ZI在運(yùn)行開(kāi)始時(shí)并不位于指定的RW位置,因此必須初始化
LDR R0,=|Image$$RO$$Limit|
LDR R1,=|Image$$RW$$Base|
LDR R2,=|Image$$ZI$$Base|
1
CMP R1,R2
LDRLO R3,[R0],#4
STRLO R3,[R1],#4
BLO %B1
MOV R3,#0
LDR R1,=|Image$$ZI$$Limit|
2
CMP R2,R1
STRLO R3,[R2],#4
BLO %B2
四,復(fù)制異常向量
由于代碼于RAM運(yùn)行時(shí),有明顯的速度優(yōu)勢(shì),而且變量可以動(dòng)態(tài)配置,因此可以通過(guò)remap將RAM映射到0,使得出現(xiàn)異常時(shí)ARM從RAM中取得向量.
IMPORT |Image$$RO$$Base|
IMPORT |Image$$RO$$Limit|
IMPORT |Image$$RW$$Base|
IMPORT |Image$$RW$$Limit|
IMPORT |Image$$ZI$$Base|
IMPORT |Image$$ZI$$Limit|
COPY_VECT_TO_RAM
LDR R0,=|Image$$RO$$Base|
LDR R1,=SYSINIT
LDR R2,=0x200000 ; RAM START
0
CMP R0,R1
LDRLO R3,[R0],#4
STRLO R3,[R2],#4
BLO %B0
這段程序?qū)YSINIT之前的代碼,也就是異常處理函數(shù),全部復(fù)制到RAM中, 這就意味著不能將RW設(shè)置為0x200000,這樣會(huì)使得向量被沖掉.
四,在RAM中運(yùn)行
如果有必要,且代碼足夠小,可以將代碼置于RAM中運(yùn)行,由于RAM中本身沒(méi)有代碼,就需要將代碼復(fù)制到RAM中:
COPY_BEGIN
LDR R0,=0x200000
LDR R1,=RESET ; =|Image$$RO$$Base|
CMP R1,R0 ;
BLO COPY_END ;
ADR R0,RESET
ADR R2,COPY_END
SUB R0,R2,R0
ADD R1,R1,R0
LDR R3,=|Image$$RO$$Limit|
3
CMP R1,R3
LDRLO R4,[R2],#4
STRLO R4,[R1],#4
BLO %B3
LDR PC,=COPY_END
COPY_END
程序首先取得RESET的連接地址,判斷程序是否時(shí)是在RAM中運(yùn)行,方法是與RAM起始地址比較,如果小于,那么就跳過(guò)代碼復(fù)制.
在復(fù)制代碼的時(shí)候需要注意,在這段程序結(jié)束之前的代碼沒(méi)有必要復(fù)制,因?yàn)檫@些代碼都已經(jīng)執(zhí)行過(guò)了,所以,先取得COPY_END,作為復(fù)制起始地址,然后計(jì)算其相對(duì)RESET的偏移,然后以RO的值加上這個(gè)偏移,就是復(fù)制目的地的起始地址,然后開(kāi)始復(fù)制.
五,開(kāi)始主程序
以上步驟完成,就可以跳轉(zhuǎn)到main運(yùn)行
IMPORT Main
LDR PC,=Main
B .
六,器件初始化
主程序首先要進(jìn)行器件的初始化,對(duì)S64而言,應(yīng)該先初始化WDT,因?yàn)槟J(rèn)情況下,WDT是打開(kāi)的,然后是各設(shè)備的時(shí)鐘分配,最后應(yīng)該remap本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201611/321700.htm
如果是驅(qū)動(dòng)led，那么用1K左右的就行了。如果希望亮度大一些，電阻可減小，最小不要小于200歐姆，否則電流太大；如果希望亮度小一些，電阻可增大，增加到多少呢，主要看亮度情況，以亮度合適為準(zhǔn)，一般來(lái)說(shuō)超過(guò)3K以上時(shí)，亮度就很弱了，但是對(duì)于超高亮度的LED，有時(shí)候電阻為10K時(shí)覺(jué)得亮度還能夠用。通常就用1k的。
對(duì)于驅(qū)動(dòng)光耦合器，如果是高電位有效，即耦合器輸入端接端口和地之間，那么和LED的情況是一樣的；如果是低電位有效，即耦合器輸入端接端口和VCC之間，那么除了要串接一個(gè)1——4.7k之間的電阻以外，同時(shí)上拉電阻的阻值就可以用的特別大，用100k——500K之間的都行，當(dāng)然用10K的也可以，但是考慮到省電問(wèn)題，沒(méi)有必要用那么小的。
對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管，又分為PNP和NPN管兩種情況：對(duì)于NPN，毫無(wú)疑問(wèn)NPN管是高電平有效的，因此上拉電阻的阻值用2K——20K之間的，具體的大小還要看晶體管的集電極接的是什么負(fù)載，對(duì)于LED類負(fù)載，由于發(fā)管電流很小，因此上拉電阻的阻值可以用20k的，但是對(duì)于管子的集電極為繼電器負(fù)載時(shí)，由于集電極電流大，因此上拉電阻的阻值最好不要大于4.7K，有時(shí)候甚至用2K的。對(duì)于PNP管，毫無(wú)疑問(wèn)PNP管是低電平有效的，因此上拉電阻的阻值用100K以上的就行了，且管子的基極必須串接一個(gè)1——10K的電阻，阻值的大小要看管子集電極的負(fù)載是什么，對(duì)于LED類負(fù)載，由于發(fā)光電流很小，因此基極串接的電阻的阻值可以用20k的，但是對(duì)于管子的集電極為繼電器負(fù)載時(shí)，由于集電極電流大，因此基極電阻的阻值最好不要大于4.7K。
對(duì)于驅(qū)動(dòng)TTL集成電路，上拉電阻的阻值要用1——10K之間的，有時(shí)候電阻太大的話是拉不起來(lái)的，因此用的阻值較小。但是對(duì)于CMOS集成電路，上拉電阻的阻值就可以用的很大，一般不小于20K，我通常用100K的，實(shí)際上對(duì)于CMOS電路，上拉電阻的阻值用1M的也是可以的，但是要注意上拉電阻的阻值太大的時(shí)候，容易產(chǎn)生干擾，尤其是線路板的線條很長(zhǎng)的時(shí)候，這種干擾更嚴(yán)重，這種情況下上拉電阻不宜過(guò)大，一般要小于100K，有時(shí)候甚至小于10K。
根據(jù)以上分析，上拉電阻的阻值的選取是有很多講究的，不能亂用
評(píng)論