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          Msp430Flash型單片機內(nèi)部Flash存儲器介紹

          作者: 時間:2016-11-26 來源:網(wǎng)絡 收藏
          MSP430的Flash存儲器是可位、字節(jié)、字尋址和編程的存儲器。該模塊由一個集成控制器來控制編程和擦除的操作??刂破靼ㄈ齻€寄存器,一個時序發(fā)生器及一個提供編程、擦除電壓的電壓發(fā)生器。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201611/322017.htm

          Msp430的Flash存儲器的特點有:

          1) 產(chǎn)生內(nèi)部編程電壓

          2) 可位、字節(jié)、字編程,可以單個操作,也可以連續(xù)多個操作

          3) 低功耗操作

          4) 支持段擦除和多段模塊擦除

          2 Flash存儲器的分割

          Msp430 Flash存儲器分成多個段。可對其進行單個字節(jié)、字的寫入,也可以進行連續(xù)多個字、字節(jié)的寫入操作,但是最小的擦除單位是段。

          Flash 存儲器被分割成兩部分:主存儲器和信息存儲器,兩者在操作上沒有什么區(qū)別。兩部分的區(qū)別在于段的大小和物理地址的不同。

          以Msp430F149為例,信息存儲器有兩個128字節(jié)的段,即segmentA和segmentB,主存儲器有多個512字節(jié)的段。Msp430F149內(nèi)部Flash的地址為0x1000H~0xFFFFH,計60K。信息段SegA的起始地址為0x1080H,信息段SegB的起始地址為0x1000H。

          3 Flash存儲器的操作

          在默認狀態(tài)下,處于讀操作模式。在讀操作模式中,F(xiàn)lash存儲器不能被擦除和寫入,時序發(fā)生器和電壓發(fā)生被關閉,存儲器操作指向ROM區(qū)。

          Msp430 Flash存儲器在系統(tǒng)編程ISP(in-system programmable)不需要額外的外部電壓。CPU能夠?qū)lash直接編程。Flash存儲器的寫入/擦除通過BLKWRT、WRT、MERAS、ERASE等位確定。

          3.1 擦除

          Flash存儲器各位的缺省值為1,每一位都可以單獨編程為0,但只有擦除操作才能將其恢復為1。擦除操作的最小單位是段。通過erase和meras位設置可選擇3種擦除模式。

          MERAS

          ERASE

          擦除模式

          0

          1

          段擦除

          1

          0

          多段擦除(所有主存儲器的段)

          1

          1

          整體擦除(LOCKA=0時,擦除所有主存儲器和信息存儲器的段;主存儲器的段只有當LOCKA=0時可以擦除)

          擦除操作開始于對擦除的地址范圍內(nèi)的任意位置執(zhí)行一次空寫入??諏懭氲哪康氖菃訒r序發(fā)生器和擦除操作。在空寫入操作之后,BUSY位自動置位,并保持到擦除周期結(jié)束。BUSY、MERAS、ERASE在擦除周期結(jié)束后自動復位。

          3.2 寫入

          寫入模式由WRT和BLKWRT位進行設置。

          BLKWRT(塊寫入模式選擇)

          WRT(寫模式選擇位)

          寫入模式

          0

          1

          單字節(jié)、單字寫入

          1

          1

          塊寫入

          所有的寫入模式使用一系列特有的寫入命令,采用塊寫入的速度大約是單個寫入的2

          倍,因為電壓發(fā)生器在塊寫入完成器件均能保持。對于這兩種寫入模式,任何能修改目的操作數(shù)的指令均能用于修改地址。一個Flash字不能再擦除器件進行兩次以上的寫入。

          當啟動寫入操作時,BUSY置位,寫入結(jié)束時復位。

          4 操作編程

          4.1 Flash擦除

          對Flash要寫入數(shù)據(jù),必須先擦除相應的段,且對Flash存儲器的擦除必須是整段進行的,可以一段一段擦,也可以多段一起擦除。擦除操作的順序如下:

          1) 選擇適當?shù)臅r鐘源和分頻因子;

          2) 清除LOCK位

          3) 判斷BUSY位,只有當BUSY=0時才可以執(zhí)行下一步

          4) 使能段操作,設置ERASE、MERAS位等(如果是擦除一段,則ERASE=1,如果擦除多段,則MERAS=1,如果擦除整個Flash,則ERASE=1,MERAS=1)

          5) 對擦除的地址范圍內(nèi)的任意位置作一次空寫入,以啟動擦除操作

          6) 在擦除周期內(nèi),時鐘源始終有效,不修改分頻因子

          7) 操作完成后,置位LOCK

          根據(jù)上述操作順序,編寫程序代碼如下:

          void FlashErase(unsigned int adr)

          {

          uchar *p0;

          FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//選擇時鐘源,分頻

          FCTL3 = FWKEY;//清除LOCK

          while(FCTL3 & BUSY);//如果出于忙,則等待

          FCTL1 = FWKEY + ERASE;//使能段操作

          p0 = (unsigned char *)adr;//數(shù)值強制轉(zhuǎn)換成指針

          *p0 = 0; //向段內(nèi)任意地址寫0,即空寫入,啟動擦除操作

          FCTL1 = FWKEY;

          FCTL3 = FWKEY + LOCK;

          while(FCTL3 & BUSY);

          }

          4.2 寫入

          對Flash的寫入數(shù)據(jù)可以是單字、單字節(jié),也可以是連續(xù)多個字或字節(jié)(即塊操作)。編程寫入操作的順序如下:

          1) 選擇適當?shù)臅r鐘源和分頻因子;

          2) 清除LOCK位

          3) 判斷BUSY位,只有當BUSY=0時才可以執(zhí)行下一步操作

          4) 使能寫入功能,設置WRT、BLKWRT(如果寫入單字或單字節(jié)則WRT=1,如果是塊寫入,或者是多字、多字節(jié)連續(xù)寫入則WRT=1,BLKWRT=1);

          5) 判斷BUSY位,只有當BUSY=0時才可以執(zhí)行下一步操作

          6) 寫入數(shù)據(jù)

          7) 判忙,完了之后清除WRT,置位LOCK

          根據(jù)上述操作順序,編寫程序代碼如下:

          //write single byte

          //Adr 為要編程的地址,沒有奇偶地址要求、DataB為要編程的字節(jié)數(shù)據(jù)

          void FlashWB(unsigned char Adr,unsigned char DataB)

          {

          FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK 16*FN4 + 8*FN3

          FCTL3 = FWKEY;

          FCTL1 = FWKEY + WRT;

          while(FCTL3 & BUSY);

          *((unsigned int *)Adr)=DataB;//數(shù)值強制轉(zhuǎn)換成指針,指向地址數(shù)據(jù)Adr所表示的內(nèi)存單元

          //將數(shù)據(jù)字DataW賦值給內(nèi)存單元

          FCTL1 = FWKEY;

          FCTL3 = FWKEY + LOCK;

          while(FCTL3 & BUSY);

          }

          //write single word

          //Adr 為要編程的地址,應該是偶地址、DataW為要編程的字數(shù)據(jù)

          void FlashWW(unsigned int Adr,unsigned int DataW)

          {

          FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK 16*FN4 + 8*FN3

          FCTL3 = FWKEY;

          FCTL1 = FWKEY + WRT;

          while(FCTL3 & BUSY);

          *((unsigned int *)Adr)=DataW;//數(shù)值強制轉(zhuǎn)換成指針,指向地址數(shù)據(jù)Adr所表示的內(nèi)存單元

          //將數(shù)據(jù)字DataW賦值給內(nèi)存單元

          FCTL1 = FWKEY;

          FCTL3 = FWKEY + LOCK;

          while(FCTL3 & BUSY);

          }

          void FlashWrite(uchar *pc_byte,uchar *Datain,uint count)

          {

          FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK 16*FN4 + 8*FN3

          FCTL3 = FWKEY;

          FCTL1 = FWKEY + WRT;

          while(FCTL3 & BUSY); //如果處于忙狀態(tài),則等待

          while(count--)

          {

          while(FCTL3 & BUSY);

          *pc_byte++ = *Datain++;

          }

          FCTL1 = FWKEY;

          FCTL3 = FWKEY + LOCK;

          while(FCTL3 & BUSY);

          }

          注意:在對字寫入和字節(jié)寫入的時候,用于指向信息區(qū)數(shù)據(jù)指針類型的區(qū)別,字寫入時候為*((unsigned int *)Adr),字節(jié)寫入時候為*((unsigned char *)Adr)。

          4.3 讀取

          根據(jù)查看的書籍資料和網(wǎng)絡資料得出,內(nèi)部Flash的讀取操作沒有順序的要求,一般Flash默認的操作方式即為讀模式。讀取Flash的程序代碼如下:

          void FlashRead(uchar *pc_byte,uchar *Dataout,uint count)

          {

          while(count--)

          {

          *Dataout = *pc_byte;

          Dataout++;

          pc_byte++;

          }

          }

          在網(wǎng)上查找資料的時候,好像看到過有位網(wǎng)友的博客說,內(nèi)部Flash的地址是自動加1的,按照他的理解,函數(shù)中pc_byte++語句就沒有用處了,可是事實不然,我在調(diào)試過程中,發(fā)現(xiàn)并不能自動加1,pc_byte++語句還是有必要的。調(diào)用上述函數(shù),可以通過這樣的方式FlashRead((uchar *)0x1000,a,4);即從0x1080地址處開始,連續(xù)讀取4個字節(jié)的數(shù)據(jù),送給數(shù)組a。

          5 小結(jié)

          對Msp430 片內(nèi)Flash的操作是通過對3個控制字中的相應位來完成的,只有控制位的正確組合,才能實現(xiàn)相應的功能。



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