TTL電平和CMOS電平的區(qū)別

輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，噪聲容限是 0.4V。
2.CMOS電平：
1邏輯電平電壓接近于電源電壓，0邏輯電平接近于0V。而且具有很寬的噪聲容限。
3.電平轉(zhuǎn)換電路：
因?yàn)門TL和COMS的高低電平的值不一樣,所以互相連接時(shí)需要電平的轉(zhuǎn)換：就是用兩個(gè)電阻對(duì)電平分壓!
4.TTL和COMS電路比較：
（1）TTL電路是電流控制器件，而coms電路是電壓控制器件。
（2）TTL電路的速度快，傳輸延遲時(shí)間短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS電路的速度慢，傳輸延遲時(shí)間長(zhǎng)(25-50ns),但功耗低。
COMS電路本身的功耗與輸入信號(hào)的脈沖頻率有關(guān)，頻率越高，芯片集越熱，這是正常現(xiàn)象。
（3）COMS電路的鎖定效應(yīng)：
COMS電路由于輸入太大的電流，內(nèi)部的電流急劇增大，除非切斷電源，電流一直在增大。這種效應(yīng)就是鎖定效應(yīng)。當(dāng)產(chǎn)生鎖定效應(yīng)時(shí)，COMS的內(nèi)部電流能達(dá)到40mA以上，很容易燒毀芯片。
防御措施：
（1）在輸入端和輸出端加鉗位電路，使輸入和輸出不超過(guò)不超過(guò)規(guī)定電壓。
（2）芯片的電源輸入端加去耦電路，防止VDD端出現(xiàn)瞬間的高壓。
（3）在VDD和外電源之間加線流電阻，即使有大的電流也不讓它進(jìn)去。
（4）當(dāng)系統(tǒng)由幾個(gè)電源分別供電時(shí)，開(kāi)關(guān)要按下列順序：開(kāi)啟時(shí)，先開(kāi)啟COMS電路得電源，再開(kāi)啟輸入和負(fù)載的電源；關(guān)閉時(shí)，先關(guān)閉輸入信號(hào)和負(fù)載的電源，再關(guān)閉COMS

5.兼容性：
CMOS集成電路電源電壓可以在較大范圍內(nèi)變化，因而對(duì)電源的要求不像TTL集成電路那樣嚴(yán)格。所以，用TTL電平在條件允許下他們就可以兼容。要注意到他們的驅(qū)動(dòng)能力是不一樣的，CMOS的驅(qū)動(dòng)能力會(huì)大一些，有時(shí)候TTL的低電平觸發(fā)不了CMOS電路，有時(shí)CMOS的高電平會(huì)損壞TTL電路，在兼容性上需注意。
注：
1.CMOS是場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，TTL為雙極晶體管構(gòu)成
2.COMS的邏輯電平范圍比較大（5～15V），TTL只能在5V下工作
3.CMOS的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強(qiáng)，TTL則相差小，抗干擾能力差
4.CMOS功耗很小，TTL功耗較大（1～5mA/門）
5.CMOS的工作頻率較TTL略低，但是高速CMOS速度與TTL差不多相當(dāng)。

舉例哪些是TTL？哪些是CMOS？

74系列；74S系列；74LS系列；74AS系列；74ALS系列等屬于TTL類型的集成電路

CD系列；74HC系列；74HCT系列；74BCT系列等屬于CMOS集成電路


LS、 HC 二者高電平低電平定義不同，HC高電平規(guī)定為0.7倍電源電壓，低電平規(guī)定為0.3倍電源電壓。LS規(guī)定高電平為2.0V，低電平為0.8V。 帶負(fù)載特性不同。HC上拉下拉能力相同，LS上拉弱而下拉強(qiáng)。 輸入特性不同。HC輸入電阻很高，輸入開(kāi)路時(shí)電平不定。LS輸入內(nèi)部有上拉，輸入開(kāi)路時(shí)為高電平。

74HC是CMOS電路，CMOS電路是MOS電路中的主導(dǎo)產(chǎn)品。MOS電路以絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管為開(kāi)關(guān)元件。所以又稱單極型集成電路。按其導(dǎo)電溝道的類型，MOS電路可分為PMOST 、NMOS和CMOS電路。CMOS電路沿著4000A--4000B/4500B（統(tǒng)一稱為4000B）--74HC--74HCT系列高速發(fā)展。 HCT系列還同TTL電平兼容，擴(kuò)大了應(yīng)用范圍。