ATMEGE32在bootloader區(qū)對Flash進行讀寫操作

注明：本程序采用官方的boot庫函數(shù)進行實驗，開發(fā)環(huán)境是 atmelstudio6( avrstudio6 )。

官方提供了bootloader相關的寫入擦除函數(shù)。

主函數(shù)如下：

int main(void)

{

USARTInit(115200);

for (int i=0;i<256;i++)

{//此處數(shù)據(jù)均為00010203形式

if ((i&3)==0)

{

databuff.databuff8[i]=0;

}

else if ((i&3)==1)

{

databuff.databuff8[i]=1;

}

else if ((i&3)==2)

{

databuff.databuff8[i]=2;

}

else if ((i&3)==3)

{

databuff.databuff8[i]=3;

}

}

address = 0;

boot_write_one_page();

for (int i=0;i<256;i++)

{//此處數(shù)據(jù)均為00ff00ff形式

if (i&1)

{

databuff.databuff8[i]=0XFF;

}

else

{

databuff.databuff8[i]=0;

}

}

address += 256;

boot_write_one_page();

address = 0;

boot_check_flash();

address += 256;

boot_check_flash();

while(1);

}

下面是寫入一頁的程序：

void boot_write_one_page(void)

{

int i;

DataUnionByte TempData;

boot_page_erase(address);// 擦除一頁

boot_spm_busy_wait();// 等待擦除完成

for (i=0;i

{

TempData.databuff8[0]=databuff.databuff8[i];

TempData.databuff8[1]=databuff.databuff8[i+1];

boot_page_fill_safe(i,TempData.databuff16);

}

boot_page_write_safe(address);

boot_rww_enable_safe();

}

unsigned int read_program_memory (unsigned int adr ,unsigned char cmd)

{

asm("movw r30, r24");//復制地址到z寄存器

asm("SBRC r22, 0");

asm("STS 0x37, r22");//r22->0x37(SPMCR)

asm("LPM r24, Z+");

asm("LPM r25, Z");//獲取返回數(shù)據(jù)

asm("ret");

}

下面是對flash數(shù)據(jù)進行讀取并串口打印的函數(shù)

void boot_check_flash(void)

{

DataUnionByte TempData;

for (int i=0;i<128;i+=2)

{

TempData.databuff16 = read_program_memory(address+i,0x00);

USARTTransmit(TempData.databuff8[0]);

USARTTransmit(TempData.databuff8[1]);

}

}

運行結(jié)果如下：