STM32學(xué)習(xí) 存儲(chǔ)器和總線構(gòu)架

1.四個(gè)驅(qū)動(dòng)單元：

Cortex－M3內(nèi)核，DCode總線和系統(tǒng)總線（S-Bus）,通用DMA1和通用DMA2

2四個(gè)被動(dòng)單元

內(nèi)部SRAM,內(nèi)部閃存存儲(chǔ)器，F(xiàn)SMC,AHB到APB的橋，它鏈接所有的APB設(shè)備。

程序存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，寄存器和輸入輸出端口被組織在同一個(gè)4GB的線性地址空間內(nèi)。數(shù)據(jù)字節(jié)以小端格式存放在存儲(chǔ)器中。

可訪問(wèn)的存儲(chǔ)器空間被分成8個(gè)主要塊，每一個(gè)塊為512M。

STM32F10XX內(nèi)置64K字節(jié)的靜態(tài)SRAM,它可以以字節(jié)，半字，或字訪問(wèn)。

SRAM的起始地址是0x2000000

Cortex-M3存儲(chǔ)器映像包括兩個(gè)位段區(qū)。這兩個(gè)位段區(qū)將別外存儲(chǔ)區(qū)中的每個(gè)字映射到位段存儲(chǔ)器區(qū)的一個(gè)位，在別名存儲(chǔ)區(qū)寫(xiě)入一個(gè)具有對(duì)位段區(qū)的目標(biāo)位執(zhí)行讀－改－寫(xiě)操作的相同效果。

閃存的指令和數(shù)據(jù)訪問(wèn)是通過(guò)AHB總線完成的。預(yù)取模塊是用于通過(guò)ICODE總線讀取指令的。仲裁是作用在閃存接口，并且DCODE總線上的數(shù)據(jù)訪問(wèn)優(yōu)先。

閃存編程一次可以寫(xiě)入16位。

閃存擦除操作可以按頁(yè)面擦除或完全擦除。全擦除不影響信息塊。

啟動(dòng)配置:

STM32F10XX里，可以通過(guò)BOOT[1:0]引腳選擇三種不同啟動(dòng)模式。

在啟動(dòng)延時(shí)之后，CPU從地址0x0000 0000獲取堆棧頂?shù)牡刂?，并從啟?dòng)存儲(chǔ)器的0x0000 0004指示的地址開(kāi)始執(zhí)行代碼。

因?yàn)楣潭ǖ拇鎯?chǔ)器映像，代碼區(qū)始終從地址0x0000 0000開(kāi)始，而數(shù)據(jù)區(qū)（SRAM）始終從地址0x2000 0000開(kāi)始。

BOOT1一般接地。

根據(jù)選 定的啟動(dòng)模式，主閃存存儲(chǔ)器，系統(tǒng)存儲(chǔ)器或SRAM可以按揭曉以下方式訪問(wèn)：

1 從主閃存存儲(chǔ)器啟動(dòng)：主閃存存儲(chǔ)器被映射到啟動(dòng)空間（0x0000 0000），但能夠 在它原有的地址（0x0800 0000）訪問(wèn)它，即閃存存儲(chǔ)器的內(nèi)容可以在兩個(gè)地址區(qū)域訪問(wèn)，0x0000 0000或0x0800 0000

2 從系統(tǒng)存儲(chǔ)器啟動(dòng)：系統(tǒng)存儲(chǔ)器被映射到啟動(dòng)空間，但能夠在它原有的地址（0x1fff f000）訪問(wèn)。

3 從內(nèi)置SRAM啟動(dòng)：只能在0x2000 0000開(kāi)始的地址區(qū)訪問(wèn)SRAM.

STM32的工作電壓為2.0~3.6V