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          智能型衛(wèi)星電源V-T曲線控制系統(tǒng)設計

          作者: 時間:2016-11-28 來源:網絡 收藏
          加快我國衛(wèi)星電源分系統(tǒng)數(shù)字化設計,充分發(fā)揮數(shù)字電路體積小、重量輕、功耗低、適應性強和可靠性高等優(yōu)點,提高電源分系統(tǒng)的電能重量比,我們以單片機AT89s52和溫度傳感器DS18B20為核心,設計了一種智能型統(tǒng)。

          衛(wèi)星電源分系統(tǒng)為整個衛(wèi)星正常運行提供了穩(wěn)定的電源,它是衛(wèi)星電能產生、儲存、變換、調節(jié)、傳輸分配和管理的重要分系統(tǒng)。其通過物理和化學過程,將太陽的光能、核能或化學能轉化為電能,并根據(jù)需要對電能進行存儲、調節(jié)和變換,然后向衛(wèi)星其他各分系統(tǒng)不間斷供電。我國的衛(wèi)星大都采用太陽能/蓄電池供電系統(tǒng)。蓄電池充電終壓控制采用電壓-溫度補償法,即V-T曲線控制。目前,常用的方法是利用熱電耦或鉑電阻作為蓄電池溫度傳感器,這種溫度補償?shù)挠布刂齐娐肥悄M電路,已經在我國各種型號的衛(wèi)星上獲得成功應用。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201611/322887.htm

          衛(wèi)星電源分系統(tǒng)


          某型號衛(wèi)星電源分系統(tǒng)工作原理框圖如圖1所示。



          圖1 衛(wèi)星電源系統(tǒng)原理


          該衛(wèi)星電源系統(tǒng)一次電源母線為全調節(jié)直流母線系統(tǒng),主要包括太陽電池陣、蓄電池組和電源控制器。在方案設計中,采用太陽電池供電陣、充電陣分陣設計。在光照期,太陽電池供電陣為母線長期負載供電,太陽電池充電陣對蓄電池組充電;在陰影期,由蓄電池組通過放電調節(jié)模塊為母線負載供電。當光照期衛(wèi)星出現(xiàn)峰值負載,且太陽電池供電陣輸出功率不能滿足母線負載供電需求時,由太陽電池充電陣經放電調節(jié)器,為母線補充能量。在此基礎上,若太陽電池陣(供電、充電陣)功率還不足,由蓄電池組經放電調節(jié)模塊補充供電,呈與太陽電池陣聯(lián)合供電工作模式。充電陣為負載供電優(yōu)于為蓄電池組充電,供電陣只有當太陽電池陣輸出電能富裕,才通過分流模塊調節(jié)太陽電池陣輸出富裕的功率,卸放掉多余的電流,保持一次電源母線輸出的穩(wěn)定。因此,衛(wèi)星在光照期和陰影期,電源系統(tǒng)的母線輸出電壓,均保持在一個穩(wěn)定的范圍內。


          V-T曲線控制原理


          圖1中的鎘鎳蓄電池組失效方式有泄漏、開路、短路和性能衰減等。在這些失效方式中開路失效出現(xiàn)的可能性非常小,主要存在裝配過程的機械損傷和質量控制出問題,通過加強質量控制和檢驗工作可以避免這種致命的失效。鎘鎳蓄電池組經長期使用,最主要的失效表現(xiàn)就是性能衰減。因此,在使用時采用電壓溫度補償下的充電控制方式,并由星務計算機參與控制管理,整個壽命期設置多條硬件控制V-T曲線和多點充放電比選擇,可根據(jù)衛(wèi)星運行狀態(tài)和蓄電池使用情況,通過遙控選擇相應的補償曲線,保證鎘鎳電池組工作處于良性循環(huán)。


          V-T曲線控制關系為:V=(Vs-KT)×N


          式中,Vs為電壓狀態(tài)值,T為溫度;K為溫度系數(shù);N為補償系數(shù)。


          當溫度T上升,電壓V下降,表明當蓄電池升高時,需要調節(jié)充電電壓使溫度降低,這就是V-T曲線補償。采用V-T曲線跟蹤補償方案控制蓄電池充電終止電壓,通過測量蓄電池組端電壓和單體溫度,根據(jù)預設的溫度補償電壓曲線確定充電結束狀態(tài)。同時,充電器內部設有保護性充電終止電壓控制,在電源控制計算機出現(xiàn)故障時,可以停止蓄電池充電,保證蓄電池組安全。


          數(shù)字溫度傳感器DS18B20


          DS18B20是美國DALLAS公司繼DS1820之后推出的增強型單總線數(shù)字溫度傳感器。它在測溫精度、轉換時間、傳輸距離、分辨率等方面較DS1820有了很大的改進。


          1 DS18B20的特點


          ● 單線制接口方式,僅需要一根信號線與CPU連接,傳送串行數(shù)據(jù),不需要外部元件。

          ● 每個芯片有惟一編碼,多個DS18B20可以并聯(lián)在惟一的單線上,實現(xiàn)多點測溫。

          ● 測溫范圍為-55~+125℃,分辨率的默認值12位。

          ● 測溫結果的數(shù)字量位數(shù)為9~12位,可編程選擇。

          ● 既可用數(shù)據(jù)線供電,也可用外部的電源(3.0~5.5V)供電。


          2 DS18B20的結構及功能


          DS18B20采用3腳PR-35封裝或8腳SOIC封裝。其內部主要包括寄生電源、溫度傳感器、64位激光ROM、高速暫存器,存儲用戶設定溫度上下限值的TH和TL觸發(fā)器、存儲與控制邏輯、8位循環(huán)冗余校驗碼發(fā)生器等七部分。


          其中,ROM由64位二進制數(shù)字組成,由廠家光刻,共分為8字節(jié),字節(jié)0的內容是該產品的廠家代號28H,字節(jié)1~6的內容是48位器件序列號,字節(jié)7是ROM前56位的校驗碼。每個DS18B20的64位序列號均不相同,它可以看做是該DS18B20的地址序列碼。ROM的作用是使每一個DS18B20的作用都不相同,這樣,就可以實現(xiàn)一根總線掛接多個DS18B20的目的。


          3 DS18B20的工作時序


          根據(jù)DS18B20的通信協(xié)議,主機控制DS18B20完成溫度轉換必須經過如下步驟。每一次讀寫之前都要對DS18B20進行復位,復位成功后發(fā)送一條ROM指令,再發(fā)送RAM指令。每一步操作必須嚴格按照時序規(guī)定進行。


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