stc12c5A60s2用ds18b20測溫

//晶振:12M
//單片機(jī)：stc12c5a60s2 1T
/******************************************
跳線設(shè)置:默認(rèn)
注意事項(xiàng):ds18b20切勿插反，有爆炸燙傷的危險(xiǎn)，方向是ds18b20的平面（有字的一面）朝旁邊的三極管Q4
***/
#include
#include
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
//數(shù)據(jù)口define interface
sbit dula = P2^6; //數(shù)碼管段選
sbit wela = P2^7; //數(shù)碼管位選
sbit DQ = P1^7; //18b20接口

uint wendu; //溫度值 variable of wenduerature

//不帶小數(shù)點(diǎn)
unsigned char code table[] = {0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,
0x07,0x7f,0x6f,0x77,0x7c,0x39,0x5e,0x79,0x71};
//帶小數(shù)點(diǎn)
unsigned char code table1[] = {0xbf,0x86,0xdb,0xcf,0xe6,0xed,0xfd,0x87,0xff,0xef};

/*************精確延時(shí)函數(shù)**************** */
// 數(shù)據(jù)表如下
/*
********************************************************************************************************************
延時(shí)時(shí)間 a的值 b的值 c的值 延時(shí)誤差（us）
10us 1 1 1 -0.5
20us 1 1 8 0
30us 1 1 15 +0.5
40us 2 1 9 0
50us 1 1 28 0
60us 1 1 35 +0.5
70us 1 1 42 +1
80us 1 1 48 0
90us 1 1 55 +0.5
100us 1 1 61 -0.5
200us 1 1 128 0
300us 3 1 63 +1.5
400us 2 1 129 0
500us 5 1 63 +0.5
600us 6 1 63 0
700us 7 1 63 -0.5
800us 1 3 175 +0.5
900us 9 1 63 -1.5
1ms 1 3 219 -1.5
2ms 2 3 220 +3
3ms 3 3 220 +3
Xms X 3 220 +3
(X的范圍為2到255)
*/

void Delay(unsigned char a1,b1,c1)
{
unsigned char a,b,c;
for(a=0;afor(b=0;bfor(c=0;c}

/*****************DS18B20******************/
void Init_Ds18b20(void) //DS18B20初始化send reset and initialization command
{
DQ = 1; //DQ復(fù)位,不要也可行。
Delay(1,1,1); //稍做延時(shí) 10us
DQ = 0; //單片機(jī)拉低總線
Delay(6,1,63); //600 us //精確延時(shí)，維持至少480us
//Delay(1,1,15); //20us
DQ = 1; //釋放總線，即拉高了總線
Delay(5,1,63); //500us //此處延時(shí)有足夠,確保能讓DS18B20發(fā)出存在脈沖。
}

uchar Read_One_Byte() //讀取一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)read a byte date
//讀數(shù)據(jù)時(shí),數(shù)據(jù)以字節(jié)的最低有效位先從總線移出
{
uchar i = 0;
uchar dat = 0;
for(i=8;i>0;i--)
{
DQ = 0; //將總線拉低，要在1us之后釋放總線
//單片機(jī)要在此下降沿后的15us內(nèi)讀數(shù)據(jù)才會有效。
_nop_(); //至少維持了1us,表示讀時(shí)序開始
dat >>= 1; //讓從總線上讀到的位數(shù)據(jù)，依次從高位移動到低位。
DQ = 1; //釋放總線，此后DS18B20會控制總線,把數(shù)據(jù)傳輸?shù)娇偩€上
Delay(1,1,1); //延時(shí)10us,此處參照推薦的讀時(shí)序圖，盡量把控制器采樣時(shí)間放到讀時(shí)序后的15us內(nèi)的最后部分
if(DQ) //控制器進(jìn)行采樣
{
dat |= 0x80; //若總線為1,即DQ為1,那就把dat的最高位置1;若為0,則不進(jìn)行處理,保持為0
}
Delay(1,1,8); //20us //此延時(shí)不能少，確保讀時(shí)序的長度60us。
}
return (dat);
}

void Write_One_Byte(uchar dat)
{
uchar i = 0;
for(i=8;i>0;i--)
{
DQ = 0; //拉低總線
_nop_(); //至少維持了1us,表示寫時(shí)序(包括寫0時(shí)序或?qū)?時(shí)序)開始
DQ = dat&0x01; //從字節(jié)的最低位開始傳輸
//指令dat的最低位賦予給總線,必須在拉低總線后的15us內(nèi),
//因?yàn)?5us后DS18B20會對總線采樣。
Delay(1,1,15); //必須讓寫時(shí)序持續(xù)至少60us
DQ = 1; //寫完后,必須釋放總線,
dat >>= 1;
Delay(1,1,1);
}
}

uint Get_Tmp() //獲取溫度get the wenduerature
{
float tt;
uchar a,b;
Init_Ds18b20(); //初始化
Write_One_Byte(0xcc); //忽略ROM指令
Write_One_Byte(0x44); //溫度轉(zhuǎn)換指令
Init_Ds18b20(); //初始化
Write_One_Byte(0xcc); //忽略ROM指令
Write_One_Byte(0xbe); //讀暫存器指令
a = Read_One_Byte(); //讀取到的第一個(gè)字節(jié)為溫度LSB
b = Read_One_Byte(); //讀取到的第一個(gè)字節(jié)為溫度MSB
wendu = b; //先把高八位有效數(shù)據(jù)賦于wendu
wendu <<= 8; //把以上8位數(shù)據(jù)從wendu低八位移到高八位
wendu = wendu|a; //兩字節(jié)合成一個(gè)整型變量
tt = wendu*0.0625; //得到真實(shí)十進(jìn)制溫度值
//因?yàn)镈S18B20可以精確到0.0625度
//所以讀回?cái)?shù)據(jù)的最低位代表的是0.0625度
wendu = tt*10+0.5; //放大十倍
//這樣做的目的將小數(shù)點(diǎn)后第一位也轉(zhuǎn)換為可顯示數(shù)字
//同時(shí)進(jìn)行一個(gè)四舍五入操作。
return wendu;
}

/****************數(shù)碼碼動態(tài)顯示函數(shù)**************/

void Display(uint wendu) //顯示程序
{
uchar A1,A2,A3;
A1 = wendu/100; //百位
A2 = wendu%100/10; //十位
A3 = wendu%10; //個(gè)位

P0 = table[A1]; //顯示百位
dula = 1; //打開段選,對應(yīng)74573的鎖存位,高電平不鎖存
dula = 0;
P0 = 0xFe;
wela = 1; //打開位選
wela = 0;
Delay(5,3,220);

P0 = table1[A2]; //顯示十位,使用的是有小數(shù)點(diǎn)的數(shù)組(因?yàn)閣endu值擴(kuò)大了10倍,雖然是十位,實(shí)際為個(gè)位)
dula = 1;
dula = 0;
P0 = 0xFd;
wela = 1;
wela = 0;
Delay(5,3,220);

P0 = table[A3]; //顯示個(gè)位
dula = 1;
dula = 0;
P0 = 0xFb;
wela = 1;
wela = 0;
Delay(5,3,220);
}

void main()
{
while(1)
{
Display(Get_Tmp());
}
}