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          10納米制程工藝手機(jī)涌現(xiàn) 7納米還會(huì)遠(yuǎn)嗎?

          作者: 時(shí)間:2016-11-07 來(lái)源:手機(jī)中國(guó) 收藏

            在智能手機(jī)行業(yè)蓬勃發(fā)展的今日,手機(jī)為我們的生活乃至工作協(xié)助了太多,不可否認(rèn)手機(jī)制造業(yè)從每五年的大跨步到現(xiàn)如今每年都有黑科技產(chǎn)出,并且在廠商的相互競(jìng)爭(zhēng)下還在高速向前,飛速進(jìn)步之中。這其中讓手機(jī)性能提升最為顯著的因素就要數(shù)處理器了,回首以往,處理器方面的進(jìn)步確實(shí)歷歷在目。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201611/339724.htm

            

           

            對(duì)于廣大國(guó)產(chǎn)手機(jī)來(lái)說(shuō),常用的處理器無(wú)非高通驍龍、聯(lián)發(fā)科以及麒麟這三大陣營(yíng)。以高通驍龍為例,回顧以往產(chǎn)品可以看到從最初的驍龍430,逐漸進(jìn)步到驍龍625,后來(lái)提升到驍龍652以及650,最后來(lái)到了現(xiàn)在的驍龍820和821。在這其中,CPU的架構(gòu)也是不斷提升的,主頻從最高1.4GHz提升到了2.2GHz。我們發(fā)現(xiàn)隨著型號(hào)的升級(jí),性能的數(shù)值也不斷加強(qiáng),但是有一項(xiàng)工藝卻越做越小。

            這項(xiàng)工藝就是處理器的制程,從最初的90nm,到后來(lái)65nm、45nm、32nm,以及后來(lái)比較常見(jiàn)的28nm,又逐步提升到了20nm,再到目前性能配置較高的16nm、14nm,并且少數(shù)10nm的制程工藝也出現(xiàn)在了機(jī)身上。這項(xiàng)工藝不同于我們的慣性思維,認(rèn)為往往尺寸越大的功能就越強(qiáng)。

            

          制程工藝回顧

           

            制程工藝回顧

            制程工藝作為處理器芯片的一項(xiàng)技術(shù),它發(fā)揮的作用是讓處理器能夠承載更多電子元件。一般來(lái)說(shuō)處理器要承載例如晶體管、電阻器以及電容等等一系列的電子元件,這些元件由于體積過(guò)于渺小,需要顯微鏡才能看到。而這些精密的電子元件之間通常用納米來(lái)計(jì)算距離,納米距離越小,意味著承載的元件就越多,如此一來(lái)手機(jī)的功能也就越全面。

            能夠盡可能多的承載電子元件是其中一方面,縮小電子元件的間距還有另一個(gè)作用那就是能使不同晶體管終端的電流容量降低,從而提升他們的交換頻率。因?yàn)槊總€(gè)晶體管在切換電子信號(hào)的時(shí)候,所消耗的動(dòng)態(tài)功耗會(huì)直接和電流容量相關(guān),從而使得運(yùn)行速度加快,能耗變小。明白了這一點(diǎn),也就不難理解為什么制程的數(shù)值越小,制程就越先進(jìn);元器件的尺寸越小,處理器的集成度越高,因此性能加強(qiáng),處理器的功耗反而越低的道理了。

            

           

            從目前的手機(jī)市場(chǎng)上看,大多數(shù)旗艦機(jī)型在處理器方面還是維持了14nm以及16nm制程,但是在三星10nm制程處理器準(zhǔn)備在年底量產(chǎn)的消息公布后,14nm以及16nm顯然已經(jīng)過(guò)了鼎盛時(shí)期。比如高通驍龍825、828和830處理器,預(yù)計(jì)這三款處理器都會(huì)采用10nm工藝制造,高通825將采用三核心的設(shè)計(jì),驍龍828則是六核心,兩個(gè)Kryo架構(gòu)大核心、四個(gè)小核心,最高頻率為2.4GHz。除了高通,聯(lián)發(fā)科的Helio X系列的芯片也試圖沖擊高端市場(chǎng),在年底Helio X30將采用臺(tái)積電的10nm FinFET Plus工藝,并于2017年第一季度進(jìn)行量產(chǎn)。

            

          Helio X30處理器

           

            Helio X30處理器

            三星的Exynos 8895預(yù)計(jì)會(huì)配備到明年的三星Galaxy S8之上,采用10nm工藝,標(biāo)準(zhǔn)主頻達(dá)3.0GHz,同時(shí)搭配全新GPU Mali-G71。而后的三星Exynos 9據(jù)網(wǎng)友爆料,將采用三星全新自主設(shè)計(jì)的CPU架構(gòu),或許會(huì)有10nm和7nm兩個(gè)版本。除了安卓,蘋(píng)果也會(huì)在A11處理器方面全權(quán)由臺(tái)積電包攬,采用10nm制程。

            處理器已經(jīng)從28nm逐步提升到現(xiàn)在普遍的14nm,那么除了10nm以外,電子元件的極限尺寸是多少呢?其實(shí)現(xiàn)在也已經(jīng)有7nm的概念出現(xiàn)了,但業(yè)內(nèi)專(zhuān)家們表示7nm的產(chǎn)品起碼要到2020年才能正式面世,今后甚至還會(huì)有5nm工藝,在2028年還會(huì)實(shí)現(xiàn)1nm工藝制程處理器。

            

           

            我們也不能在此斷定極限的尺寸到底是多少,畢竟這項(xiàng)工藝需要各個(gè)方面的共同協(xié)作,精密的電子元件是十分復(fù)雜的,需要考慮以何種方式存在能夠更強(qiáng)勁有效,保持穩(wěn)定狀態(tài)的同時(shí)又不因?yàn)轶w積太小,紊亂了電流。在技術(shù)層面上,還有很長(zhǎng)的一段路需要走,還要不斷探索和開(kāi)發(fā)新的途徑和元件材料,尋覓更簡(jiǎn)單有效的方法。



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