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          知識分享:一文看懂OLED生產(chǎn)技術(shù)

          作者: 時間:2016-11-24 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            AM平板顯示研發(fā)過程和技術(shù)難點

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201611/340712.htm

            AM技術(shù)的開發(fā)主要涉及到TFT背板和器件兩個方面。在技術(shù)路線的選擇上,目前國際上尚未統(tǒng)一,有多種技術(shù)方案在開發(fā)中。

            發(fā)光器件即OLED的性能決定了顯示屏的色彩表現(xiàn)力、功耗等品質(zhì),因此OLED器件技術(shù)的開發(fā)對產(chǎn)品競爭力的提高具有非常重要的意義。 OLED器件制備技術(shù)主要有兩個關(guān)鍵點,一個是開發(fā)高遷移率的傳輸材料和高效率、長壽命發(fā)光材料,另一個是開發(fā)新型器件結(jié)構(gòu),提高器件性能。因此,開發(fā)新型有機材料、設(shè)計新型器件結(jié)構(gòu)和改進真空蒸鍍技術(shù)將是研究的重點。

            目前,TFT背板中的溝道層半導(dǎo)體材料主要有非晶硅(a-Si)、微晶硅(μ-Si)、低溫多晶硅(LTPS)、單晶硅、有機物和氧化物等。由于 OLED是電流驅(qū)動型器件,需要穩(wěn)定的電流來控制發(fā)光特性。為了達到足夠的亮度,需要TFT的溝道材料具有較高的遷移率,以提供較高的電流密度,因此目前普遍應(yīng)用于TFT-LCD中的非晶硅TFT由于遷移率較低很難滿足要求。另外,與TFT-LCD所不同的是,需要TFT長時間處于開啟狀態(tài),非晶硅TFT的閾值電壓漂移問題也使其很難應(yīng)用在AMOLED中。從技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀來看,較有希望的是LTPS TFT和氧化物TFT等技術(shù),但也存在很多難點。

            目前,應(yīng)用在AMOLED中最成熟的TFT背板技術(shù)是低溫多晶硅(LTPS)技術(shù)。在LTPS技術(shù)中,最重要的工藝難點即為多晶硅溝道層的制備。工藝流程中首先使用PECVD等方法在不含堿離子的玻璃基板上淀積一層非晶硅,而后采用激光或者非激光的方式使非晶硅薄膜吸收能量,原子重新排列以形成多晶硅結(jié)構(gòu),從而減少缺陷并得到較高的電子遷移率。

            對LTPS結(jié)晶化技術(shù)而言,激光結(jié)晶化技術(shù)尤其是準(zhǔn)分子激光退火(ELA)技術(shù)目前在小尺寸應(yīng)用方面已經(jīng)較為成熟,全球已經(jīng)量產(chǎn)的AMOLED產(chǎn)品基本都使用了ELA技術(shù)。ELA技術(shù)的難點在于TFT的一致性問題,各像素間TFT特性的不同導(dǎo)致OLED的發(fā)光強度出現(xiàn)不均勻,進而導(dǎo)致面板成品率無法保障,因此提高ELA技術(shù)制備的TFT一致性一直是國內(nèi)外各單位研發(fā)的重點。另外,ELA技術(shù)在大尺寸基板的量產(chǎn)方面也存在較大的問題。

            另一方面,非激光結(jié)晶化技術(shù)在實現(xiàn)大尺寸基板量產(chǎn)并降低成本,以及在TFT均勻性方面具有很大優(yōu)勢。但非激光結(jié)晶化技術(shù)在現(xiàn)階段也同樣存在著技術(shù)難題。其中金屬誘導(dǎo)晶化(MIC)技術(shù)因為金屬污染導(dǎo)致的漏電流等問題,使得缺陷和壽命問題很難解決;固相結(jié)晶化(SPC)技術(shù)在大尺寸AMOLED的制備上具有較大的綜合性優(yōu)勢,但其載流子遷移率與激光結(jié)晶化技術(shù)相比較低,而且在量產(chǎn)技術(shù)方面仍然需要進一步完善。

            AMOLED制作工藝

            LTPS-AMOLED的制作工藝囊括了顯示面板行業(yè)的諸多尖端技術(shù),其主要分為背板段,前板段以及模組段三道工藝。 背板段工藝通過成膜,曝光,蝕刻疊加不同圖形不同材質(zhì)的膜層以形成LTPS(低溫多晶硅)驅(qū)動電路,其為發(fā)光器件提供點亮信號以及穩(wěn)定的電源輸入。其技術(shù)難點在于微米級的工藝精細度以及對于電性指標(biāo)的極高均一度要求。

            鍍膜工藝是使用鍍膜設(shè)備,用物理或化學(xué)的方式將所需材質(zhì)沉積到玻璃基板上(2);

            曝光工藝是采用光學(xué)照射的方式,將光罩上的圖案通過光阻轉(zhuǎn)印到鍍膜后的基板上(3、4、5);

            蝕刻工藝是使用化學(xué)或者物理的方式,將基板上未被光阻覆蓋的圖形下方的膜蝕刻掉,最后將覆蓋膜上的光阻洗掉,留下具有所需圖形的膜層(7、8)。

             

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            驅(qū)動背板工藝流程圖

            前板段工藝通過高精度金屬掩膜板(FMM)將有機發(fā)光材料以及陰極等材料蒸鍍在背板上,與驅(qū)動電路結(jié)合形成發(fā)光器件,再在無氧環(huán)境中進行封裝以起到保護作用。蒸鍍的對位精度與封裝的氣密性都是前板段工藝的挑戰(zhàn)所在。

            高精度金屬掩膜板(FMM):其主要采用具有極低熱變形系數(shù)的材料制作,是定義像素精密度的關(guān)鍵。制作完成后的FMM由張網(wǎng)機將其精確地定位在金屬框架上并送至蒸鍍段(2);

            蒸鍍機在超高真空下,將有機材料透過FMM蒸鍍到LTPS基板限定區(qū)域上(3);

            蒸鍍完成后將LTPS基板送至封裝段,在真空環(huán)境下,用高效能阻絕水汽的玻璃膠將其與保護板進行貼合。玻璃膠的選用及其在制作工藝上的應(yīng)用,將直接影響OLED的壽命(5、6)。

             

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            有機鍍膜段工藝流程圖

            模組段工藝將封裝完畢的面板切割成實際產(chǎn)品大小,之后再進行偏光片貼附、控制線路與芯片貼合等各項工藝,并進行老化測試以及產(chǎn)品包裝,最終呈現(xiàn)為客戶手中的產(chǎn)品。

            切割:封裝好的AMOLED基板切割為面板(pannel)(1);

            面板測試:進行面板點亮檢查(2);

            偏貼:將AMOLED面板貼附上偏光板(3);

            IC+FPC綁定:將驅(qū)動IC和柔性印刷線路板(FPC)與AMOLED面板的鏈接(4);

            TP貼附:將AMOLED面板與含觸控感應(yīng)器的強化蓋板玻璃(cover Lens)貼合(5);

            模組測試:模組的老化測試與點亮檢查(6)。

             

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            模組段工藝流程圖


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