PIC16C5X單片機(jī)的狀態(tài)寄存器
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時(shí)間：2016-12-02
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該寄存器包含有ALU的算術(shù)狀態(tài)位,RESET狀態(tài)位、大于512字節(jié)程序存儲(chǔ)器的頁(yè)面預(yù)選位。
狀態(tài)寄存器f3可以用作目標(biāo)寄存器。某些標(biāo)志位通過(guò)相應(yīng)的寫(xiě)來(lái)設(shè)定,而另外一些位是不能通過(guò)指令來(lái)改變的。TO、PD位是不可寫(xiě)的。因此一條指令對(duì)狀態(tài)寄存器執(zhí)行的結(jié)果會(huì)有所不同。例如CLR f3被除了TO和PD位之外的所有位清“0”,并把“Z”位置“1”,所以得到的狀態(tài)寄存器內(nèi)容為“000UU100”,其中,U表示不變化。
建議用BCF、BSF或MOVWF指令來(lái)改變狀態(tài)寄存器的內(nèi)容,這些指令只改變相應(yīng)的位,而不影響其它狀態(tài)位。
其它影響狀態(tài)位的指令可參考指令系統(tǒng)的說(shuō)明。
狀態(tài)寄存器包含8位數(shù)據(jù)位,其中低5位是狀態(tài)標(biāo)志位,高3位中的最高位PA2未用。PA0和PA1是存儲(chǔ)器頁(yè)面選擇位,其結(jié)構(gòu)如下表所示。
| 表1 狀態(tài)寄存器的結(jié)構(gòu) | |||||||
| PA2 | PA1 | PA0 | TO | PD | Z | DC | C |
| D7 | D6 | D5 | D4 | D3 | D2 | D1 | D0 |
| 下面我們介紹各位的意義。 [1].C(D0)：進(jìn)位/借位標(biāo)志位。在執(zhí)行ADDWF和SUBWF指令時(shí),最高位產(chǎn)生進(jìn)位或借位時(shí),C=“1”,在減法采用補(bǔ)碼運(yùn)算。 [2].DC(D1)：輔助進(jìn)位位。當(dāng)執(zhí)行ADDWF和SUBWF指令時(shí),低4位產(chǎn)生進(jìn)位或借位時(shí),DC=“1”。 [3].Z(D2)：零標(biāo)志位。當(dāng)算術(shù)操作結(jié)果為0時(shí),Z="1"。 [4].PD(D3)：低功耗標(biāo)志位。上電或執(zhí)行CLR WDT指令時(shí),PD=“1”。執(zhí)行SLEEP指令時(shí),PD=“0”。 [5].TO(D4)：WDT溢出標(biāo)志位。當(dāng)上電或執(zhí)行CLR WDT、SLEEP指令時(shí),TO=“1”,WDT溢出時(shí),TO=“0”。 [6].PA0,PA1(D5,6)：程序存儲(chǔ)器頁(yè)面選擇位。對(duì)于PIC16C56單片機(jī),PA0是程序存儲(chǔ)器頁(yè)面選擇位。PA1是通用讀寫(xiě)位。在PA=0時(shí),選擇0頁(yè)面,即000H-1FFH。PA0=1時(shí),選中1頁(yè),地址為200H-3FFH。 對(duì)于PIC16C57/58單片機(jī),PA0、PA1是程序存儲(chǔ)器頁(yè)面選擇位。它們的值從00-11H分別選中0-3頁(yè),即地址為000-1FFH、200H-3FFH、400H-5FFH、600H-7FFH。 [7].PA2(D7)：通用讀寫(xiě)位,未使用。 在復(fù)位時(shí),PA2,PA1,PA0被清“0”,上電或執(zhí)行CLR WDT指令時(shí),TO、PD都被置“1”,這兩位的變化如表2所示。上電復(fù)位時(shí),Z、DC、C標(biāo)志位狀態(tài)不定。在其它復(fù)位情況下（如WDT溢出）Z、DC、C狀態(tài)不變。上電復(fù)位TO、PD的狀態(tài)見(jiàn)表3。 |
| 表2 事件對(duì)TO、PD標(biāo)志位的影響 | |||
| 事件 | TO | PD | 說(shuō)明 |
| 上電 | 1 | 1 | 不影響PD標(biāo)志位 |
| WDT超時(shí)溢出 | 0 | X | |
| SLEEP指令 | 1 | 0 | |
| CLR WDT指令 | 1 | 1 | |
| 表3 復(fù)位后TO、PD標(biāo)志位的狀態(tài) | |||
| TO | PD | 復(fù)位原因 | |
| 0 | 0 | WDT超時(shí)溢出使SLEEP喚醒 | |
| 0 | 1 | WDT超時(shí)溢出（不在SLEEP狀態(tài)時(shí)） | |
| 1 | 0 | MCLR加低電平使SLEEP喚醒 | |
| 1 | 1 | 上電時(shí) | |
| X | X | MCLR加低電平 | |
| ADDWF指令后,進(jìn)位位C=1表示產(chǎn)生進(jìn)位,執(zhí)行SUBWF指令后,進(jìn)位位C=0表示借位,執(zhí)行ADDWF或SUBWF指令也將影響輔助進(jìn)位位DC狀態(tài)。DC表示低半字節(jié)到高半字節(jié)的進(jìn)位和借位。 |
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