PIC16C5X的I/O口
當“TRIS f”送入“1”時,Q1、Q2都截止,I/O腳成高阻狀態(tài),此時為輸入態(tài)。當執(zhí)行指令如MOVF 6,W,把當前I/O口的狀態(tài)讀入數(shù)據(jù)總線。當“TRIS f”送出“0”時,Q1、Q2的導(dǎo)通情況取決于數(shù)據(jù)鎖存器Q(非)的狀態(tài)。當寫入數(shù)據(jù)為“1”時,Q(非)輸出“0”,Q1導(dǎo)通,Q2,截止,I/O口輸出高電平。當數(shù)據(jù)為“0”時,Q(非)輸出“1”,Q2導(dǎo)通,Q1截止,I/O口輸出低電平。無論I/O腳置成輸入或輸出,執(zhí)行指令(如MOVF 6,W)都是將I/O端口的狀態(tài)讀入數(shù)據(jù)總線。 一些指令先讀后寫,如BCF、BSF指令整個端口狀態(tài)讀入CPU,執(zhí)行位操作后再將結(jié)果寫回去覆蓋原來的內(nèi)容,即輸出結(jié)果放在I/O口的數(shù)據(jù)鎖存器上,這點程序員需加以注意。特別當一個端口中一條或幾條引腳一會兒作輸入,一會兒又作輸出而又執(zhí)行BCF、BSF指令時。舉例說明:BSF 6,5指令的目的是要把B口的第5位置為高電平“1”,執(zhí)行這條指令時,先把整個B口當前的狀態(tài)讀入CPU,把第5位置成“1”后再把結(jié)果(8個位)重新輸出到B口的數(shù)據(jù)鎖存鎖存器。如果B口的某位用作雙向I/O口,且它在這時被定義為輸入態(tài),則在這條I/O腳上出現(xiàn)的輸入信號被再寫入這個I/O腳數(shù)據(jù)鎖存器,從而覆蓋原來的內(nèi)容。如果這個I/O腳保留為輸入方式,不會出現(xiàn)問題。但如果稍后這個I/O腳改為輸出態(tài),則數(shù)據(jù)鎖存器bit1端內(nèi)容可能和先前的不同了。 I/O輸出電路為CMOS互補推挽電路,有很強的帶負載能力,高電平輸出時具有20mA的拉電流,低電平輸出時允許25mA的灌電流。這種特性可直接用于驅(qū)動LED顯示器,為了改變某各引腳上的電平,這個引腳有效地輸出“0”或“1”時,不應(yīng)該同時又受到外部設(shè)備的驅(qū)動,因為由此引起的高輸出電流可能損壞芯片。 I/O操作指令周期的最后寫I/O口,如果為讀,數(shù)據(jù)須在指令周期開始前準備好。對于同一個口執(zhí)行先寫后讀,必須小心。指令序列應(yīng)滿足要求:在下一條讀I/O數(shù)據(jù)的指令執(zhí)行之前,應(yīng)使引腳的電平穩(wěn)定,否則引腳的先前狀態(tài)會被讀入CPU,而不是新狀態(tài)。建議最好用NOP指令或其他非I/O操作指令把讀寫指令隔開。 在電磁干擾環(huán)境惡劣的情況下,如鍵盤處于靜電放電ESD(Electronic Static Discharge)的環(huán)境中,由于電磁噪聲干擾,寄存器的內(nèi)容將受影響。若I/O控制寄存器的內(nèi)容發(fā)生改變,即使一只引腳從輸入變成輸出狀態(tài),程序依然繼續(xù)運行。此時程序從這一引腳讀取數(shù)據(jù),結(jié)果可能是錯誤的。面對這種情況,我們建議在一定時間間隔內(nèi)需重新定義I/O口的輸入和輸出狀態(tài)。如果程序安排上允許,最好是每次讀寫數(shù)據(jù)時設(shè)置I/O控制寄存器,雖然對于大多數(shù)時候不需要這樣做,只是提醒程序員注意電磁噪聲干擾問題。 |
評論