正確選擇閃存寫入緩沖區(qū)大小，優(yōu)化擦寫速度
加入技術交流群
圖3. 對小地址空間（64"512字節(jié)）進行寫入操作時，采用不同緩沖區(qū)大小與寫入時間關系
大容量寫入緩沖區(qū)的產品優(yōu)勢
再來對比Numonyx公司的M29EW與市場上的同類產品S29GL256P。M29EW具有1024字節(jié)的寫入緩沖區(qū)大小而S29GL256P最大的寫入緩沖區(qū)為64字節(jié)。為了說明問題，這里同時對兩種閃存芯片相同大小的地址空間進行擦寫操作，如圖4所示。測試結果表明，M29EW整體的寫入時間是S29GL256P的30%，寫入效率遠遠高于S29GL256P。究其原因很簡單，M29EW采用1024字節(jié)的寫入緩沖區(qū)大小，使得其在寫入時間相比最高采用64字節(jié)寫入緩沖區(qū)的S29GL256P，優(yōu)勢非常明顯。
圖4. M29EW與S29GL256P寫入速度比較
（均采用產品最大寫入緩沖區(qū)大小，M29EW是1024字節(jié)而S29Gl256P是64字節(jié)）
結論
綜上所述，我們對Numonyx公司的NOR型閃存M29EW進行了測試分析，并與市場上同類的S29GL系列產品進行了比較。分析結果表明，對于需要經常進行讀寫操作的電子產品，如移動電子設備，汽車電子設備來說，在設計過程中采用盡可能大的緩沖區(qū)大小，提高平均每字節(jié)寫入速度，是優(yōu)化提高讀寫速度的關鍵，同時也是最簡單易行的方法。在執(zhí)行相同的寫入操作時，選用1024字節(jié)的寫入緩沖區(qū)大小，可使寫入速度相比使用64字節(jié)緩沖區(qū)至少提高2.5倍以上。
評論