基于單片機(jī)的Flash在系統(tǒng)編程方法
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編程方法實(shí)現(xiàn)
系統(tǒng)配置和參數(shù)設(shè)置
TMS320DM642是TI公司的一款視頻圖像DSP，工作時(shí)鐘最高可達(dá)到600MHz，程序存儲(chǔ)器最大可調(diào)至272M×8位，其EMIF接口分4個(gè)空間，即CE0－CE3，F(xiàn)lash映射到CE1空間，其地址為0x9000 0000－0x90400000，上電時(shí)采用8位ROM加載方式。
Am29LV033C是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲(chǔ)器，其主要特點(diǎn)有：3.3V單電源供電，可使內(nèi)部產(chǎn)生高電壓進(jìn)行編程和擦除操作；只需向其命令寄存器寫入標(biāo)準(zhǔn)的微處理器指令，具體編程、擦除操作由內(nèi)部嵌入的算法實(shí)現(xiàn)，并且可以通過查詢特定的引腳和數(shù)據(jù)線監(jiān)控操作是否完成，可以對(duì)任一扇區(qū)進(jìn)行讀、寫或擦除操作，而不影響其他部分的數(shù)據(jù)。
由于4MB的Flash ROM有22根地址線，而DM642只有20根地址線，因此加入FPGA，對(duì)Flash進(jìn)行分頁，這里分8頁，每頁512KB，每頁內(nèi)含8塊，每塊64KB。
Am29LV033C有多條內(nèi)存指令，可以實(shí)現(xiàn)芯片ID的讀取、軟件復(fù)位、整片擦除、塊擦除等。在這里主要介紹燒寫時(shí)用到的指令，其擦寫命令如表1所示，表中的XXX表示任意地址，SA為塊地址，即地址線的第16位到21位，PA為燒寫地址，PD為燒寫數(shù)據(jù)。待燒寫程序（用戶程序）為USER.out，大小為2M；燒寫程序?yàn)镕BCT.out，大小為4K，地址分配如表2所示。
編程過程
第一步，對(duì)整個(gè)Flash進(jìn)行一遍擦除，因此Flash在編程時(shí)只能把“1”置為“0”，而不能“0”置為“1”。
第二步，判斷擦除結(jié)束。通過DQ6、DQ7均可完成判斷，當(dāng)DQ6位不再跳變時(shí)說明擦除結(jié)束。這里通過讀取最后一位數(shù)據(jù)是否為“0xFF”來完成判斷。
第三步，進(jìn)行軟件復(fù)位。軟件復(fù)位使Flash處于就緒狀態(tài)，當(dāng)Flash在進(jìn)行擦除，編程時(shí)軟件復(fù)位信號(hào)無效。
第四步，取得編程地址。如果地址超過最大地址則編程結(jié)束。
注意事項(xiàng)
對(duì)于不同的DSP，不同的Flash，在實(shí)現(xiàn)時(shí)可能不一樣，這里有幾個(gè)問題必須注意：
（1）文件1和文件2的.cmd文件要分配好各自的地址，地址空間不能重疊。
（2）不是每個(gè)DSP都可以實(shí)現(xiàn)在系統(tǒng)編程，如TMS320C6204就不行，而C621x，C64x等就可以。原因在于Flash在編程時(shí)速度較慢，一般為μs級(jí)，所以需要WE＃信號(hào)的有效時(shí)間較長。但是，一般的WE＃有效時(shí)間都只有幾十ns，這么短的時(shí)間不足以讓DSP把內(nèi)容寫進(jìn)Flash。C64x等之所以能實(shí)現(xiàn)在系統(tǒng)編程，是因?yàn)樵诰幊虝r(shí)DSP自動(dòng)延長了編程的有效時(shí)間。
（3）如果用戶程序不含加載器程序，那么用戶程序的目的地址就不能從Flash的前1K的地址開始。
（4）不同型號(hào)Flash的編程時(shí)序和指令可能會(huì)有所不同，編程之前要弄清該Flash的編程時(shí)序和指令。如果Flash要求有偏移地址，就需要加上基地址。
（5）對(duì)于程序的未初始化段不必?zé)隖lash，可以參考.map文件，里面對(duì)于各段有詳細(xì)說明。
結(jié)語
利用上面的方法，本文在TMS320DM642平臺(tái)中通過JTAG仿真頭，成功地實(shí)現(xiàn)了在系統(tǒng)編程，為程序的調(diào)試提供了一種非常方便的手段，也為用戶程序的升級(jí)提供了一種簡(jiǎn)單異行的方法，同時(shí)這個(gè)方法也在C6211環(huán)境下成功實(shí)現(xiàn)，其他DSP同樣可參考本方法。
評(píng)論