封裝技術(shù)是左右LED光源發(fā)光效率的關(guān)鍵特性

隨著LED照明應(yīng)用對(duì)于元件輸出要求漸增，傳統(tǒng)LED封裝不僅限制元件規(guī)格推進(jìn)，也不利散熱，新穎的無(wú)封裝LED具備更好的散熱條件，同時(shí)集成磊晶、晶粒與封裝制程，可更便利地搭配二次光學(xué)設(shè)計(jì)照明燈具…

　　LED光源應(yīng)用將繼LCD背光源應(yīng)用需求高峰后，逐步轉(zhuǎn)向至LED一般照明應(yīng)用上。但與LCD背光模塊設(shè)計(jì)不同的是，LCD背光模塊較不用考量光型與照明應(yīng)用條件，以單位模塊的發(fā)光效率要求為主；但LED照明應(yīng)用除亮度要求外，必須額外考量光型、散熱、是否利于二次光學(xué)設(shè)計(jì)，與配合燈具設(shè)計(jì)構(gòu)型要求等，實(shí)際上對(duì)于LED光源元件的要求更高。

越來(lái)越多集成電路使用的封裝技術(shù)，也開(kāi)始使用在LED光源器件制作上

可表面黏著加工的LED元件，利于大量加工生產(chǎn)，增加生產(chǎn)加工效能

　　早期封裝技術(shù)限制多 散熱問(wèn)題影響高亮度設(shè)計(jì)發(fā)展

　　早期LED光源元件，封裝材料主要應(yīng)用炮彈型封裝體，在高發(fā)光效率的藍(lán)光LED初期使用相當(dāng)常見(jiàn)，而在智能手機(jī)、行動(dòng)電話產(chǎn)品薄型化設(shè)計(jì)需求推進(jìn)下，采用表面黏著(surface-mount devices；SMD)型態(tài)的LED光源需求漸增，而采用表面黏著技術(shù)設(shè)計(jì)的LED光源元件，可利用卷帶式帶裝材料進(jìn)料加速生產(chǎn)加工效能，透過(guò)自動(dòng)化生產(chǎn)增加加工效率外，也帶來(lái)LED封裝技術(shù)的新應(yīng)用市場(chǎng)，加上后繼磊晶結(jié)構(gòu)、封裝技術(shù)雙雙進(jìn)步相互加持，LED光源材料發(fā)光效率漸能超越傳統(tǒng)燈具表現(xiàn)。　　以照明應(yīng)用需求觀察，照明燈具對(duì)于發(fā)光效能的要求越來(lái)越高，而LED光源目前左右光輸出效能的技術(shù)關(guān)鍵，發(fā)光效率主要由磊晶、晶粒與封裝技術(shù)方案左右表現(xiàn)。目前磊晶的單位發(fā)光效率已經(jīng)發(fā)展趨近極限，發(fā)光效率可再跳躍成長(zhǎng)的空間相對(duì)有限，而持續(xù)加大晶粒面積、改善封裝技術(shù)，是相對(duì)可以大幅增加單位元件發(fā)光效能的可行方案。但若要能再提升元件的性價(jià)比，晶粒面積增大化較無(wú)成本優(yōu)化空間，反而是封裝技術(shù)選擇將直接影響終端材料元件的成本，也就是說(shuō)，封裝技術(shù)將成為照明用LED的成本關(guān)鍵。

　　芯片級(jí)封裝導(dǎo)入LED 體積小、可靠度高

　　芯片級(jí)封裝(Chip Scale Package；CSP)為2013年LED業(yè)界最熱門(mén)的封裝技術(shù)方案，其實(shí)CSP在半導(dǎo)體業(yè)界并不是新技術(shù)，只是在LED光源元件應(yīng)用上尚屬新穎的先進(jìn)技術(shù)。在傳統(tǒng)半導(dǎo)體芯片級(jí)封裝應(yīng)用目的，在于縮小封裝處理后的元件最終體積，同時(shí)以改善散熱、提升芯片本身的應(yīng)用可靠度與穩(wěn)定性為主。而在LED發(fā)光元件的芯片級(jí)封裝主要定義為，封裝體與LED芯片接近或是封裝體體積不大于芯片的20%為主，而經(jīng)芯片級(jí)封裝的LED本身也必須為功能完整的封裝元件。

　　芯片級(jí)封裝主要是改善邏輯芯片接腳持續(xù)增加、元件散熱性能提升與芯片微縮目的，透過(guò)芯片級(jí)封裝集成效益，可以讓芯片的元器件寄生現(xiàn)象減少，同時(shí)可以增加Level 2封裝的元件集成度，而芯片級(jí)封裝在LED光源器件的應(yīng)用需求，也可達(dá)到顯著程度的效益。

　　典型芯片級(jí)封裝是不需要額外的次級(jí)基板、導(dǎo)線架等，而是可將芯片直接貼合在載板之上，芯片級(jí)封裝為將LED二極管的P/N電極制作于芯片底部，并可利用表面黏著自動(dòng)化方式進(jìn)行元件組裝，若比較必須打線進(jìn)行元件制作的制作流程，芯片級(jí)封裝可以對(duì)組裝與測(cè)試流程相對(duì)提升，同時(shí)達(dá)到降低加工復(fù)雜度與成本的雙重目的。

　　LED采芯片級(jí)封裝方案，元件可獲得更佳的散熱表現(xiàn)、高流明輸出、高封裝密度、更具彈性、簡(jiǎn)化基板等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)少了打線制程也可讓終端元件的可靠度提升。

　　無(wú)封裝LED方案熱門(mén) 高發(fā)光角度、發(fā)光效率

　　同樣也是追求元件的高亮度表現(xiàn)、低成本要求與更便利的生產(chǎn)條件目的，推進(jìn)了新穎的無(wú)封裝LED(Embedded LED Chip)的使用需求。以無(wú)封裝LED與芯片級(jí)封裝LED元件特性進(jìn)行比較，無(wú)封裝LED對(duì)于元件散熱效果表現(xiàn)更好，而無(wú)封裝LED制作技術(shù)，另集成磊晶、晶粒與封裝制程，元件亦可搭配二次光學(xué)設(shè)計(jì)集成，也能讓終端成品具備更高亮度、更大發(fā)光角與更小體積特點(diǎn)，同時(shí)可以達(dá)到壓縮制作成本目的，發(fā)光元件可提供燈具業(yè)者多元化與更具彈性的設(shè)計(jì)空間。

　　傳統(tǒng)封裝架構(gòu)中，為由反射杯構(gòu)成一個(gè)內(nèi)部腔體，再搭配芯片打線制程處理驅(qū)動(dòng)電力串接，雖然制程簡(jiǎn)單，但也造成終端元件的散熱能力因此受限。在新穎的LCD背光源與照明燈具設(shè)計(jì)要求，LED光源元件就必須在減小發(fā)光面積要求下同時(shí)增加單位元件的驅(qū)動(dòng)瓦數(shù)，散熱關(guān)鍵即成為這類(lèi)應(yīng)用需求的技術(shù)瓶頸。

　　無(wú)封裝LED可以將元件熱阻較傳統(tǒng)封裝下降約10倍，而無(wú)封裝LED不須設(shè)置反射杯腔體，也可因此省下反射杯制成的成本，優(yōu)化整體元件的性價(jià)比表現(xiàn)，同時(shí)也是無(wú)封裝LED技術(shù)優(yōu)勢(shì)，無(wú)封裝LED搭配特殊的螢光膠膜進(jìn)行貼合，也能讓LED的發(fā)光角度進(jìn)一步達(dá)到160度表現(xiàn)，在元件的發(fā)光效能、機(jī)構(gòu)特性與散熱優(yōu)勢(shì)均能有效提升?！　o(wú)封裝LED技術(shù)具極小發(fā)光面積、較大發(fā)光角度，相較于傳統(tǒng)封裝方案的光源元件表現(xiàn)，無(wú)封裝LED技術(shù)的光型表現(xiàn)更接近點(diǎn)狀光源，這種材料特性使得無(wú)封裝LED技術(shù)更適合搭配進(jìn)行二次光學(xué)處理設(shè)計(jì)，而較小的發(fā)光面積也表示元件的體積相對(duì)更小，亦可搭配更薄化的光學(xué)透鏡制作成LED光源模塊，尤其能應(yīng)用于部分機(jī)構(gòu)空間有限的燈具產(chǎn)品使用需求，例如，LCD直下式背光源或是平板燈具產(chǎn)品等。

　　若與芯片級(jí)封裝進(jìn)行比較，無(wú)封裝LED技術(shù)在制程中導(dǎo)入螢光膠膜的貼合制程，這在LED光源照明應(yīng)用可更容易控制發(fā)光表現(xiàn)特性，使燈具在制作流程中還要搭配發(fā)光色澤檢測(cè)、配對(duì)程序，大幅簡(jiǎn)化生產(chǎn)。

　　改善熱傳導(dǎo)架構(gòu) 無(wú)封裝LED熱阻表現(xiàn)佳

　　在LED傳統(tǒng)封裝中，芯片必須透過(guò)藍(lán)寶石基板和絕緣膠處理芯片熱度導(dǎo)熱，相對(duì)的在無(wú)封裝LED技術(shù)中，為利用覆晶(Flip-chip)的芯片結(jié)構(gòu)和金屬基板共晶制作技術(shù)概念，在無(wú)封裝LED元件的封裝體中可因?yàn)楦簿c金屬基板共晶的設(shè)計(jì)架構(gòu)，使得元件本身的熱阻表現(xiàn)更低，也因此無(wú)封裝LED技術(shù)在相同驅(qū)動(dòng)瓦數(shù)下，芯片的發(fā)光區(qū)核心溫度可有效降低，同時(shí)也能減少芯片溫度持續(xù)高溫可能造成元件失效或是壽命縮短問(wèn)題。

　　但無(wú)封裝LED也并非是完美的制程技術(shù)，因?yàn)橐_(dá)到無(wú)封裝LED設(shè)計(jì)目的，必須同時(shí)具備磊晶、晶粒、封裝制程與元件成品的表面黏著技術(shù)集成，集成的技術(shù)難度相當(dāng)高，尤其在關(guān)鍵的覆晶結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，無(wú)封裝LED要維持元件高可靠度表現(xiàn)其實(shí)難度相當(dāng)高，主要是要尋求高反射率、高導(dǎo)熱與附著良好的二極管材料，同時(shí)這些材料須具備高穩(wěn)定性特質(zhì)，也必須能耐受元件運(yùn)行時(shí)的高溫、高壓、高電流的環(huán)境條件。

　　此外，無(wú)封裝LED本身即無(wú)外層封裝體進(jìn)行保護(hù)，照明設(shè)備若需設(shè)置于高溫、高濕度惡劣環(huán)境中，也必須針對(duì)元件進(jìn)行保護(hù)層設(shè)計(jì)，以增加光源器件的使用壽命。

　　另外，在無(wú)封裝LED制程中，在封裝制程工作段為使用螢光膠膜替代傳統(tǒng)的封裝材料，而螢光膠膜內(nèi)部也有置入螢光粉，用以搭配LED光源與螢光粉產(chǎn)生白光，而螢光粉的選擇即會(huì)左右無(wú)封裝LED元件在照明應(yīng)用的可靠度、發(fā)光效率、高溫表現(xiàn)狀態(tài)。螢光膠膜畢竟與傳統(tǒng)封裝材料不同，在制程中需處理貼合與測(cè)試問(wèn)題，不只是生產(chǎn)設(shè)備差異，相關(guān)的制程設(shè)備也需要進(jìn)行優(yōu)化與改善，都會(huì)增加初期投產(chǎn)無(wú)封裝LED元件的復(fù)雜度。