90%效率反激電源深究-電容電感篇
為了達到較為明顯的演示效果,本篇文章當中使用的參數(shù)規(guī)格都是比較夸張的。輸入要求:AC90~275V,輸出5V~40A。 一個200W的反激式電源,(這么大的電源不一定能夠通過EMC,因為漏感和反激式的工作模式問題使大功率反激式EMC比較難過)。 因為這個電源電壓不高,電流大,次級整流的損耗大,估計按照此方法設(shè)計出來效率90%,一般輸出電壓越高的效率越好。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201612/326214.htm接下來說一下要用到的電源設(shè)計軟件。
1.SMPS Cal: 這是一款電源計算工具,用來做綜合評估,比如選擇什么拓補結(jié)構(gòu),需要用多大磁芯,電容容量,電流有效值,峰值這些。先讓自己心里有個大概。
2.saber 2007 這個是一款仿真軟件,設(shè)計電源的時候用這個來仿真原理性問題,仿真的最多的是開環(huán)性仿真。
3.PExprt:這是一款ansys里面的變壓器設(shè)計軟件,比較好用,和實際的吻合度高。
本篇文章主要對電解電容進行講解,并且使用saber來進行適當?shù)妮o助講解。后期的難點將會是變壓器部分。
芯片選用BO5269D,這款芯片頻率是65K,我們先用工具來看下需要多大磁芯,因為沒有特殊要求,用EE磁芯來設(shè)計這款電源。
計算出來是30000立方毫米,這個是參考設(shè)計,不是真正的定型,所以我們初選黃色標中的3款磁芯,自己心里面現(xiàn)在對磁芯有個大概的了解了。 然后我們打開反激式算法面,輸入相關(guān)參數(shù),再來看看電路部分,變壓器部分是個大概什么情況,讓自己心里面對這款即將設(shè)計的電源有個了解。但是不是按照這個參數(shù)來設(shè)計,不然這個產(chǎn)品設(shè)計出來都不知道怎么死的。到這里,都是沒什么技術(shù)含量的事情,但是卻是整個設(shè)計的基礎(chǔ)和宏觀架構(gòu)。
初級的電解電容是儲能電容,用于在電源工作時提供能量,因此在市電正弦波上升的時候給電容充電,下降沿的時候靠電容給變壓器提供能量。這時候就涉及到一個電容的波谷電壓。電源就是通過這個波谷電壓來選擇電容容量的。
圖1
通過波谷電壓來算電容容量算是設(shè)計上的一種習慣,一般波谷電壓取100V電壓溫升不會超過40度(溫升是電容溫度-室溫)。但是也有選擇70V甚至60V的,電容溫度一般都跑到了90度以上(此處不是指溫升)。波谷電壓也是計算變壓器的最小電壓。基本上同一個電路電容波谷電壓月底,電容溫升越高。電解電容的壽命現(xiàn)在基本上都按照比標準溫度降低10度,電容壽命增加一倍來估計電解電容壽命。實際工作中用這個方法是可行的。電容的計軟結(jié)果:
Saber的仿真
現(xiàn)在用saber來仿真電容的ESR參數(shù)特性,目前只仿出來了電容的ESR濾波特性,先看理想電容的頻率特性:
圖2
圖3
加入電容寄生電感后特性(包含PCB線路所產(chǎn)生的電感,設(shè)計時需要考慮),電容濾波就是靠這個特性的。后面會在仿真下數(shù)字電路和電源電路ESR的影響。
圖4
圖5
電容的ESR
電解電容的ESR數(shù)電和模電中的特性不多說,直接來說ESR在電源中展現(xiàn)出來的特性。在電源中ESR絕對不是正切值計算出來那么簡單的,展現(xiàn)出來的特性是比較復雜的。還是用saber來把ESR的特性仿真出來。下面的圖中給出理想電容仿真結(jié)果,以便對比。理想電容的波形是很漂亮的。
圖6
圖7
圖8
圖9
圖10
圖11
圖10是整流二極管的電流特性,圖11是ESR的仿真原理圖,最后總結(jié)下ESR特性。
圖12
另外,現(xiàn)在有些電源要測試連接電源時的沖擊電流,660uf電容的沖擊電流見圖12,達到了90A,實際做方案的時候需要考慮做開機啟動。
通過上面的仿真,總結(jié)出來電解電容在電源中特性:
二極管給電容充電時的損耗(主要是寄生電阻損耗):從圖12看出,市電在超過電解電容谷底電壓時充電,充電電流集中在這一段區(qū)域,電流很大,頻率低而且是正弦波,寄生電感可以忽略;
mos開啟寄生電阻損耗:這個損耗就是在對變壓器儲能的時候,寄生電阻對電流損耗;
mos開啟寄生電感儲能損耗:這個損耗就是在對變壓器儲能的時候,整個回路的電感都會儲能;
mos關(guān)斷寄生電感能量釋放:這個能量釋放會產(chǎn)生噪音,影響EMC,所以很多電源電解電容旁邊并聯(lián)個麥拉電容吸收這個能量;
所以電解電容在電源中叫濾波電容是針對市電而言的,對變換器來講,電容卻變成了一個損耗器件并會產(chǎn)生諧波。關(guān)于整流二極管的損耗,這里順便說一下,0.7V是指PN結(jié)的門檻電壓,不是指二極管導通的時候總電壓,兩邊的硅半導體依然有其電阻率,所以二極管的電壓是0.7V+I^2R(R為引腳電阻和硅半導體電阻)。因此選用電流更大的二極管其寄生電阻更?。ㄒ驗楣璋雽w寬度變寬)。
至于saber的仿真,其實是在仿真例子電源。5V40A做到90%效率難度是高的,所以必須的掌控好電源的每一個細節(jié)才能做到。只要把器件的寄生參數(shù)設(shè)計的合理,整個電源的效率在仿真階段就可以檢討了。
在對高效率設(shè)計不斷地追求過程中,其實更多的是在尋找一種全新的設(shè)計手法,重視從實際產(chǎn)品入手,憑借經(jīng)驗逐步進行調(diào)試來完成設(shè)計。這樣的設(shè)計方式比死磕書本和用公式推算來的有效率,并且隨著技術(shù)的發(fā)展,在未來將有更多的工具誕生來輔助我們進行設(shè)計和定位。
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