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          Vishay推出新系列VRPower?集成式DrMOS功率級解決方案

          作者: 時間:2016-12-06 來源:網(wǎng)絡 收藏

          新器件采用標準的6mm x 6mm PowerPAK MLP66-40L、新型5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L和4.5mm x 3.5mm PowerPAK MLP4535-22L封裝。

          賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 12 月11 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用3種PowerPAK?封裝尺寸的新系列VRPower?集成式DrMOS功率級解決方案,用以應對高功率和高性能的多相POL應用中的設計挑戰(zhàn)。

          Vishay Siliconix SiC789和SiC788采用MLP66-40L封裝和符合Intel? 4.0 DrMOS標準(6mm x 6mm)的占位;SiC620和SiC620R采用新型5mm x 5mm 的MLP55-31L封裝;SiC521采用4.5mm x 3.5mm的MLP4535-22L封裝。這些器件適用于需要大電流,電路板空間有限的計算和存儲設備、電信交換機和路由器、圖形卡、比特幣挖礦機中的DC/DC轉(zhuǎn)換器。

          SiC789和SiC788的6 mm x 6 mm封裝便于已經(jīng)采用Intel標準DrMOS 4.0占位的設計升級到更高的輸出功率,而新的5mm x 5mm和3.5mm x 4.5mm占位非常適合電路板空間受限,需要采用更多小尺寸電壓穩(wěn)壓器的新設計。PowerPAK MLP55-31L和MLP4535-22L在設計上還有多項改進和提高,改善了封裝的寄生效應和熱性能,充分發(fā)揮Vishay最先進的Gen IV MOSFET的動態(tài)性能。

          比如,SiC620R采用可雙面冷卻的MLP55-31L封裝,在典型的多相降壓轉(zhuǎn)換器里能夠輸出70A電流,效率達到95%。通過在封裝的正面和背面對器件進行冷卻,在占位比前一代封裝縮小33%的同時,損耗還減少了20%。在筆記本電腦和服務器、通信交換機及游戲機主板的外接電源里,3.5mm x 4.5mm尺寸的SiC521能夠連續(xù)輸出25A電流,峰值電流達40A。

          VRPower系列的極驅(qū)動IC兼容各種PWM控制器,支持5V和3.3V的三態(tài)PWM邏輯。另外,驅(qū)動IC整合了二極管仿真模式電路,能夠提高輕負載條件下的效率,自適應死區(qū)時間控制有助于進一步提高在所有負載點下的效率。器件的保護功能包括欠壓鎖定(UVLO)、擊穿保護,過熱報警功能在結(jié)溫過高時會向系統(tǒng)發(fā)出警報。

          器件規(guī)格表:



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