干貨分享：正激有源鉗位軟開關(guān)電源設(shè)計

近年來電源行業(yè)一直致力于80PLUS的產(chǎn)品研發(fā)，如何來達(dá)到85PLUS的要求呢。這對于一般的適配器沒有什么問題，很容易實(shí)現(xiàn)。但是對于pc電源或服務(wù)器電源這種帶多輸出中低直流電壓的電源來講，要達(dá)到85PLUS就不這么容易了。應(yīng)對這樣的問題使用雙晶體管正激電源再合適不過了，范圍從300W到1200W的被廠商廣泛使用，利用一些技術(shù)手段就可以滿足80PLUS的要求。本文介紹一種利用有源鉗位技術(shù)在雙晶體管正激上實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)的設(shè)計方法，并給出實(shí)際的案例和實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

雙晶體管正激有源鉗位軟開關(guān)的工作原理

雙晶體管正激有源鉗位軟開關(guān)主電路如圖1所示。

參閱圖2至圖7，詳細(xì)講述雙晶正激有源鉗位開關(guān)電源的工作過程如下：

(1)功率傳輸階段(t0～t1)，如圖2所示，該階段第一主開關(guān)管VT1和第二主開關(guān)管VT2同時導(dǎo)通，而鉗位開關(guān)管VTR1處于關(guān)斷狀態(tài)。加在變壓器上的輸入電壓使勵磁電流線性上升，初級向次級經(jīng)變壓器傳輸能量。次級VD1導(dǎo)通，VD2截止，L1上的電流線性上升，整流濾波后供給負(fù)載RL。在此條件下 VD1和VD2剛好ZVS下導(dǎo)通，因其體二極管先前已經(jīng)在導(dǎo)通狀態(tài)(如圖6所示)(2)諧振階段(t1～t2)，如圖3所示，在占空比的控制下，第一主開關(guān)管VT1和第二主開關(guān)管VT2在t1時刻同時關(guān)斷，變壓器磁芯極性反轉(zhuǎn)。因輸入電源和變壓器的勵磁電感的作用給VT1和VT2的寄生電容COSS1，COSS2 充電，由于電容電壓不能突變，第一主開關(guān)管VT1和第二主開關(guān)管VT2在ZVS狀態(tài)下關(guān)斷。同時變壓器的勵磁電流開始給鉗位開關(guān)管VTR1的寄生電容 COSS放電，經(jīng)VTR1的體二極管給鉗位電容CR1充電。次級VD1截止，VD2導(dǎo)通，L1經(jīng)過VD2續(xù)流繼續(xù)給負(fù)載RL供電。

(3)有源鉗位階段(t2～t3)，如圖4和圖5所示，在亡2時刻鉗位開關(guān)管VTR在ZVS狀態(tài)下開啟，由于VTR1的體二極管先前已開通，VTRl 的UDS電壓很低。鉗位開關(guān)管VTR1在整個階段處于開通狀態(tài)，變壓器勵磁電流經(jīng)過鉗位開關(guān)管VTR1繼續(xù)給鉗位電容CR1充電，鉗位電容CR1充滿以后經(jīng)變壓器勵磁電感放電。次級在整個階段由L1續(xù)流經(jīng)VD2給負(fù)載供電，VD1截止。

本文介紹的雙晶體管正激有源鉗位開關(guān)電源同時擁有單晶正激有源鉗位和雙晶正激兩者的優(yōu)點(diǎn)，適合于高壓中大功率應(yīng)用，并且磁芯得到有效的復(fù)位，磁芯利用率得到提高，占空比可以超過0.5，甚至可以達(dá)到0.7。如果輸入電壓為380V，占空比在0.7時，主開關(guān)管反壓也才634V左右，在高電壓應(yīng)用中有較大的好處，做到了零電壓開關(guān)，效率比雙晶正激有較大的提高，同時也減少了EMI的干擾。而次級波形無死區(qū)時間，適合采用自驅(qū)動同步整流，對低電壓大功率輸出有很大的好處，頻率也可以相應(yīng)的提高，可節(jié)省磁芯材料，減小體積，初次級開關(guān)管的電壓應(yīng)力也相應(yīng)減小。

雙晶正激有源鉗位軟開關(guān)電源還有另一種結(jié)構(gòu)，如圖8所示。其結(jié)構(gòu)與圖1所示的雙晶正激有源鉗位軟開關(guān)電源基本相似，只鉗位開關(guān)管VTR3以及鉗位電容CR3設(shè)置在副邊，鉗位電容CR3一端與變壓器的同名端相連，另一端與鉗位開關(guān)管VTR3的D極相連，鉗位開關(guān)管VTR3的S極與變壓器的異名端相連，請參閱圖8。其工作原理同在初級鉗位相差不多。實(shí)際波形結(jié)果

我們實(shí)際用一般雙晶體管正激的產(chǎn)品經(jīng)過改進(jìn)，將其調(diào)整為上述的有源鉗位方式，其實(shí)際的雙晶體管工作波形如圖9～圖12所示。

從以上實(shí)際的波形來看，兩個晶體管的UDS電壓比原來的硬開關(guān)低了不少，有利于設(shè)計中選擇MOSFET開關(guān)管，同時選擇一樣規(guī)格的材料其電壓余量提高不少，增加了產(chǎn)品可靠度。另外從圖中我們很明顯的可以看出在MOSFET的導(dǎo)通與關(guān)斷基本是零電壓導(dǎo)通與關(guān)斷，降低了開關(guān)損耗。同時對電磁兼容也有很大的好處。

從圖13可以看到正向電壓39V，負(fù)向電壓26V，占空比為0.42。所以次級整流部分的組件耐壓可以比原本的規(guī)格降下來很多，這對效率提升有很大的好處。

總結(jié)

本文介紹的線路在實(shí)際運(yùn)用中得到驗(yàn)證，充分發(fā)揮其優(yōu)點(diǎn)，對于材料選用余量及產(chǎn)品效率提升都有很大幫助。運(yùn)用這個線路做出1000W大功率服務(wù)器電源，目前不僅滿足80PLUS銀牌標(biāo)準(zhǔn)，再將二次輸出整流及材料的選擇稍加改善，可以順利達(dá)到金牌標(biāo)準(zhǔn)。所以，此線路可讓廣大電源設(shè)計者開拓思路，在線路選取上多一種選擇。