三晶體管電流源覆蓋寬范圍

它可在從幾十毫安到幾安的電流范圍下運行。要找到合適的器件并不困難，例如，LM10可用來制作性能更高的電路，但該IC沒有很多廠商可供貨，因此很可能出現(xiàn)停產(chǎn)。

圖1：2線式電流調(diào)節(jié)器。

紅外LED用作約1.05V的基準，由自舉電流源Q1驅(qū)動。Q2和Q3形成主電流調(diào)節(jié)器。R1提供啟動電流，R2設定參考電流的大小，R3設定流過Q2的電流，其控制流過調(diào)節(jié)器的99%的電流。在啟動時，R1的所有電流流入Q3的基極，其反過來使Q1和Q2導通，從而為Q3提供更多電流。這一情況將持續(xù)到D1開始導通且R3的電流形成足夠電壓來開始關閉Q3，從而產(chǎn)生負反饋。由于Q3調(diào)節(jié)Q2的電流，它也調(diào)節(jié)Q1的電流—其獲得相同偏置，但其發(fā)射極電阻R2將電流縮小。此時，Q1和Q2的電流將穩(wěn)定在R3或R2(較小程度上)所設定的值上。

維持Q1電流恒定要求其熱耦合到Q2，因為Q2將耗散掉電路內(nèi)大部分功率。實現(xiàn)這一點最容易的方式是Q1和Q2采用相同的晶體管，并將Q1和Q2通過螺栓固定在散熱器兩邊。此外，還可將Q1黏附在Q2上。在低電流情況下，可選用一個雙晶體管。第四種選擇是放棄熱跟蹤，通過降低R1來進行補償。由于Q2的耗散功率將是電壓的函數(shù)，這使Q1的電流降低也為電壓的函數(shù)，從而可以通過R1進行補償。但是，所有四種方法將在電源突然發(fā)生變化時導致熱瞬變，最后一種方法造成的熱瞬變幅度最大且時間最長。

Q2 的電流由D1 的電壓和Q3 的V_BE(通常為0.3V～0.4V)之間的差值除以R3，即(V_D1-V_BE)/R3設定。D1正向電壓的溫度系數(shù)幾乎與Q3的相同(相差0.25mV/K)，從而使調(diào)節(jié)器的總溫度系數(shù)約為0.07%/K。由于R3一般只有幾歐姆或更低，通過縮小R2來縮小電流最容易實現(xiàn)，縮小R2將改變D1的電流，從而改變R3的電壓。

由于啟動電流非常小，R1的阻值在很多情況下可能為幾兆歐；當D1未導通時，反饋完全為正。R2通常為200Ω～300Ω；由于Q2和Q3的增益相乘，即使主傳導電流為幾安，Q1和D1的電流也僅需1mA左右。

對于測試電路，電流在1.2V時下降5%。最低電壓由V_D1和Q1和Q3的V_sat設定。應當選擇飽和電壓較低的晶體管(例如Q3選擇2N3904，Q1和Q2選擇MJE210)。該最低電壓將隨著溫度而變化：在溫度較高時下降，在溫度較低時上升。主傳導晶體管使用了一個PNP，但電路可輕易地轉化成全為NPN。

將D1短接可關閉調(diào)節(jié)器；電流將會下降至僅流經(jīng)R1的量值。