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          工程師實戰(zhàn)經(jīng)驗:PSR開關(guān)電源設(shè)計之EMC設(shè)計技巧

          作者: 時間:2016-12-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            本文是作者多年從事PSR原邊反饋開關(guān)電源設(shè)計總結(jié)出的經(jīng)驗,上一章介紹了PSR原邊反饋開關(guān)電源設(shè)計中變壓器的“獨特”設(shè)計方法,本章將繼續(xù)為大家分享PSR原邊反饋開關(guān)電源中的EMC設(shè)計技巧,希望能給大家的實際設(shè)計帶來幫助。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201612/327349.htm

            先談?wù)凱CBLAYOUT注意點:

            大家都知道,EMC對地線走線畢竟有講究,針對PSR的初級地線,可以分為4個地線,如圖中所標示的三角地符號。這4個地線需采用“一點接地”的布局。

            先上電路圖:

            1.C8的地線為電源輸入地。

            2.R5的地為功率地。

            3.C2的地為小信號地。

            4.變壓器PIN3的地為屏蔽地。

            這4個地的交接點為C8的負端,即:輸入電壓經(jīng)整流橋后過C1到C8地,R5和變壓器PIN3的地分別采用單獨連線直接引致C8負端相連,連線盡量短;R5地線因考慮到壓降和干擾應(yīng)盡量寬些。

            C5,R10,U1PIN7和PIN8地線匯集致C2負端再連接于C8負端。

            若為雙面板,以上4條地線盡量不要采用過孔連接,不得以可以采用多個過孔陣列以減小過孔壓降。

            以上地線布局恰當,產(chǎn)品的共模干擾會很小。

            因PSR線路負載時工作在PFM狀態(tài)下的DCM模式,DI/DT的增大和頻率的提升,所以較難處理的是傳導150K~5M差模干擾。

            就依圖從左到右針對有影響EMC的元件進行逐個分析。

            1.保險絲

            將保險絲換用保險電阻理論上來講對產(chǎn)品效率是有負面影響的,但實際表現(xiàn)并不明顯,

            所以保險絲可以采用10/1W的保險電阻來降低150K附近的差模干擾,對通過5級能耗并無太大影響,且成本也有所降低。

            2.C1,L2,C8

            PSR工作在DCM模式,相對而言其輸入峰值電流會大很多,所以輸入濾波很重要。

            峰值電流的增大會導致低壓輸入時母線電壓較低,且C8的溫升也會增加;

            為了提高母線電壓和降低C8的溫升,需提高C1的容量和使用LOWESR的C1和C8。

            因為提高C1的容量后,C1和C8的工作電壓會上升,在輸出功率不變的情況下,輸入的峰值電流就會降低。

            因L2的作用,實際表現(xiàn)為增加C1的容量比增加C8的容量抑制EMC會更有效。

            一般取C1為6.8uF,C8為4.7uF效果較好,若受空間限制,采用8.2u與3.3u也比采用2個2.7u的EMC抑制效果好。

            L2一般從成本考慮采用色環(huán)電感,因色環(huán)電感的功率有限,電感量太大會嚴重影響效率,一般取330u~2mH,

            2mH是效率影響開始變得明顯,330u對差模干擾的作用不夠分量,為了使效率影響最低且對差模干擾抑制較佳,建議采用1mH。

            因為“一點接地”的布局匯集點在C8的負端,在C8負端輸入電流的方向是經(jīng)過C1和BD1流回輸入端,根據(jù)傳導測試的原理,這樣產(chǎn)生消極影響,所以需在C1與C8的地線上作處理,有空間的可以再中間增加磁珠跳線,空間受限可以采用PCBlayout曲線來實現(xiàn),雖然效果會弱些,但相比直線連接會改善不少。

            3.R6,D2,R2,C4

            RCD吸收對EMC的影響大家都應(yīng)該已經(jīng)了解,這里主要說下R6與D2對EMC的影響。

            R6的加入和D2采用恢復時間較慢的1N4007對空間輻射有一定的負作用,但對傳導有益。

            所以在整改EMC時此處的修改對空間輻射與傳導的取舍還得引起注意。

            4.R5

            R5既為電流檢測點也是限功率設(shè)置點。

            所以R5的取值會影響峰值電流也會影響OPP保護點。

            建議在OPP滿足的情況下盡量取大些。

            一般不低于2R,建議取2.2R。

            5.R4,R10,D3,R3,C2

            在前部分有提到VCC電壓的升高對EMC有惡性影響。因IC內(nèi)部的檢測有采用積分電路,所以當VCC電壓設(shè)置過高,就需要更長的積分時間,在周期不變的情況下,TON的時間就會增加,輸出功率不變的情況下MOS的峰值電流就會增加,在RCD和D4的吸收R7,C11上的峰值都會增加,且D3,R3,C2也對VCC有下拉和吸收作用,會使輸出電壓的過沖加劇,同時影響延時檢測的開啟時間。這一系列的變化對EMC的影響是不可忽視的。

            根據(jù)經(jīng)驗,結(jié)合變壓器漏感考慮,VCC電壓在滿載事最大值不宜超過19V,所以為使空載時VCC不至于太低導致蕩機,建議VCC電壓設(shè)計在15V,變壓器漏感最大不宜超過15%.

            6.C5

            C5是IC內(nèi)部延時檢測補償設(shè)置端。C5的取值大了會導致電壓檢測的周期加長,小了會導致電壓檢測的周期變短。檢測周期的變化會影響電壓的采樣率,也就會影響整個產(chǎn)品各處的電流紋波,對EMC也會造成一定影響,一般選取0.01~0.1uF。

            7.C3,C7

            前面提到C3和C7的容量取值對輸出電壓過沖的抑制作用和維持產(chǎn)品的穩(wěn)定性。但C3,C7的容量也不是越大越好,它會對EMC起消極作用。C3,C7容量的加大同樣會導致第5點講到的峰值電流加大,所以不能盲目選擇。

            對PSR原邊反饋控制開關(guān)電源的設(shè)計和調(diào)試經(jīng)驗講解到此就告一段落了,希望能給大家的實際設(shè)計帶來幫助。



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