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          基于FPGA低成本數(shù)字芯片自動測試儀的完整方案

          作者: 時間:2016-12-08 來源:網(wǎng)絡 收藏

          項目背景及可行性分析

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201612/327593.htm

          項目名稱:基于FPGA低成本數(shù)字芯片自動測試儀的研發(fā)

          研究目的:應用VertexⅡ Pro 開發(fā)板系統(tǒng)實現(xiàn)對Flash存儲器的功能測試。

          研究背景:

          隨著電路復雜程度的提高和尺寸的日益縮減,測試已經(jīng)成為迫切需要解決的問題,特別是進入深亞微米以及高級成度的發(fā)展階段以來,通過集成各種IP核,系統(tǒng)級芯片(SoC)的功能更加強大,同時也帶來了一系列的設計和測試問題。

          測試是VLSI設計中費用最高、難度最大的一個環(huán)節(jié)。這主要是基于以下幾個原因:

          1、目前的IC測試都是通過ATE(自動測試儀)測試平臺對芯片施加測試的。由于ATE的價格昂貴(通常都是幾百萬美元每臺),因此測試成本一直居高不下,這就是導致測試費用高的最主要原因。

          2、隨著VLSI器件的時鐘頻率呈指數(shù)增長,在這種情況下,高頻率、高速度測試的費用也相應的提高。

          3、VLSI器件中晶體管的集成度越來越高,使得芯片內部模塊變得更加難測,測試的復雜度越來越大,這又提高了測試成本。

          本次研究希望能夠利用FPGA部分實現(xiàn)ATE的測試功能,這樣就可以在某種程度上大幅度降低測試成本,同時有能夠滿足測試的要求。

          功能特點:

          完整的測試結構,較完善的測試功能。

          使用March C的優(yōu)化算法,測試時間較短。

          能夠覆蓋Flash存儲器的大部分故障。

          研究創(chuàng)新點:

          1、低成本、高性價比;

          2、具有開放架構;

          3、體積小、便攜.

          項目實施方案

          1 Flash存儲器的故障類型:

          1)固定型故障(SAF故障):存儲單元恒定的存儲1或0的功能型故障。

          < 2)變遷故障:存儲單元不能從0狀態(tài)變遷到1狀態(tài)(↑)或者不能從1狀態(tài)變遷到0狀態(tài)(↓)的故障。

          3)耦合故障(CF故障):一個存儲單元的值可能因為其他存儲單元狀態(tài)的改變而變化的故障。其形成的原因有短接或寄生效應。

          耦合故障有三種形式:反相、同勢、橋接/狀態(tài)。

          反相(CFins):一個存儲單元的狀態(tài)變化引起其他單元值變反的現(xiàn)象。

          同勢(CFids):一個存儲單元的狀態(tài)變化引起其他單元的值為一特定的邏輯值(0或1)的現(xiàn)象。

          橋接和狀態(tài)(SCF):一個存儲單元的確定狀態(tài)導致另一個存儲單元處于特定狀態(tài)的現(xiàn)象。

          4)數(shù)據(jù)維持失效(DRF):存儲單元經(jīng)過一段時間后無法維持自己的邏輯值的故障,這種失效一般是由上拉電阻斷開引起的。

          以上四種故障模型是所有存儲器都可能存在的失效模型。

          另外,F(xiàn)lash還有以下幾種失效模型。5)極編程干擾(GPD)和柵極擦除干擾(GED):對一個存儲單元的編程或擦除操作引起同一字線上的另外單元發(fā)生錯誤的編程或擦除操作。

          6)漏極編程干擾(DPD)和漏極擦除干擾(DED):對一個存儲單元的編程或擦除操作引起同一位線上的另外單元發(fā)生錯誤的編程或擦除操作。

          7)過度擦除(OE):對存儲器的過度擦除將會導致對該存儲單元的下一次編程不起作用,從而無法得到正確的操作結果。

          8)讀干擾(RD):對一個存儲單元的讀操作引起對該單元的錯誤編程。

          以上的故障都屬于陣列故障,還存在周邊電路故障。

          9)地址譯碼失效(ADF);特定的地址無法存取對應存儲單元,或多個單元同時被存取,或特定的存儲單元可以被多個地址存取。

          2 March C 算法:

          < 基于以上列出的Flash 存儲器的故障模型,需要選擇覆蓋率高,效率高的測試算法對其進行測試驗證。

          本次研究采用March C算法來實現(xiàn)。其表示為:

          {↓↑(w0);↑(r0,w1,);↑(r1,w0);

          ↓(r0,w1); ↓(r1,w0); ↓↑(w0)}

          其中,符號意義如下:

          ↑表示地址升序

          ↓表示地址降序

          ↓↑表示地址升序或或降序均可

          w0寫0操作

          w1寫1操作

          r0讀0操作,期望值為0

          r1讀1操作,期望值為1

          March C算法是運行時間為10N,其中N表示存儲器的存儲容量。

          其故障覆蓋率可達到90%以上。

          另外,研究過程中將對March算法進行優(yōu)化。

          3 硬件電路

          2.需要的開發(fā)平臺

          因為需要PowerPC進行處理,所以選擇高級板-Virtex-2 Pro(內置2個PowerPC,SDRAM, Ethernet,CF,SATA,音頻Codec)

          需要的基本功能:內部PowerPC處理器 、 SRAM Flash 、 USB1.1/2.0、 RS-232、 LCD顯示

          需要的其它資源

          1.FPGA與DUT接口、DUT模塊設計

          2.測試設備

          PC機、萬用表、示波器

          3.方針、開發(fā)工具

          ISE、EDK、CAD等。



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