適用于小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)的MOSFET逆變模塊設(shè)計(jì)

IC。在實(shí)際應(yīng)用中，當(dāng)負(fù)載電流非常大，或有沖擊電涌噪聲施加在VB或VS端時(shí)，VB可能在很短時(shí)間內(nèi)被拉到0V以下。除了對(duì)HVIC本身造成破壞外，還會(huì)使HVIC出現(xiàn)誤操作或閂鎖現(xiàn)象。當(dāng)HVIC出現(xiàn)閂鎖時(shí)，其行為將不可預(yù)測(cè)，而且，即使在恢復(fù)正常狀態(tài)后，也可能被電源端之間的過(guò)量電流損壞。這類現(xiàn)象與HVIC的設(shè)計(jì)規(guī)則緊密相關(guān)，在設(shè)計(jì)階段就應(yīng)排除這種隱患。當(dāng)HVIC產(chǎn)生誤操作時(shí)，誤操作導(dǎo)致的非正常關(guān)斷可能中斷正常的控制動(dòng)作，但不大可能導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的破壞。然而，如果高壓側(cè)SR閂鎖電路因電涌噪聲而異常開啟，高壓側(cè)功率 MOSFET將處于非控導(dǎo)通狀態(tài)，且不能在輸入信號(hào)的脈沖負(fù)沿到來(lái)時(shí)復(fù)位。這種行為很可能在逆變器的某一管腳上造成短路，進(jìn)而破壞功率模塊。為了防止這種現(xiàn)象，設(shè)計(jì)模塊的HVIC時(shí)，我們針對(duì)可能出現(xiàn)的工作和環(huán)境條件，將出現(xiàn)誤操作的可能性降到最低。同時(shí)，當(dāng)過(guò)量的電涌或沖擊噪聲施加在器件上時(shí)，電平漂移單元和SR閂鎖電路被設(shè)計(jì)成具有關(guān)斷優(yōu)先的特性。

　　結(jié)論

　　本文討論了面向小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的新型高集成、低噪聲MOSFET逆變模塊。該模塊專為100W無(wú)刷直流內(nèi)置電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)而開發(fā)。本文還討論了該模塊所采用的封裝技術(shù)、MOSFET和HVIC，以及其應(yīng)用特點(diǎn)。