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          堵住泄漏:當(dāng)心電容器漏電!

          作者: 時間:2016-12-09 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          最近,一位客戶提出了令人費(fèi)解的電路工作情況問題。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201612/328372.htm

          其電路使用一款運(yùn)算放大器在極低頻率下放大擴(kuò)音器輸出。他采用大型 (47 μF) AC 耦合電容器及高輸入阻抗 (100 kΩ) 為其測量獲得低轉(zhuǎn)角頻率。

          遺憾的是,運(yùn)算放大器輸出端出現(xiàn)了幾乎 1 伏特的大量 DC 失調(diào)。這是怎么回事?

          我最喜歡的一句名言是丹麥物理學(xué)家 Niels Bohr 說過的:“專家就是在一個非常狹窄領(lǐng)域犯了所有可犯錯誤的人?!蔽矣X得自己還不是一名專家,但這就是我犯過的一個錯誤。

          1

          摘自 TI E2E 社區(qū)高精度放大器論壇的客戶電路圖
          其運(yùn)算放大器輸出端出現(xiàn)了大量失調(diào)

          看看圖 1 中的客戶原理圖,C1 電容器值可為該失調(diào)源提供重要的線索。大型電容器(特別是電解質(zhì)與鉭質(zhì)電容器)可能有極大的泄漏電流。這可導(dǎo)致在輸入電阻器 R2 上產(chǎn)生電壓,運(yùn)算放大器會對其進(jìn)行放大。

          要知道泄漏電流來自哪里,我們先來看看電容器的基本結(jié)構(gòu)。

          2

          電容器的基本結(jié)構(gòu)為兩個間距為“d”的“A”面積電極板

          圖 2 中的電容器包括兩個由一些絕緣物質(zhì)(藍(lán)色顯示)隔開的電極板。該結(jié)構(gòu)中的電容 C 可通過以下方程式計(jì)算:

          該電容取決于:

          1. 電介質(zhì) εr(εo為自由空間介電常數(shù))的相對介電常數(shù)、
          2. 電極“A”的面積以及
          3. 他們的間距“d”。

          該結(jié)構(gòu)還會產(chǎn)生電阻:

          電阻 R 由介電材料“ρ”的電阻系數(shù)以及電極面積及其間距決定??上]有完美的絕緣介電材料。實(shí)際上 Teflon 也只有 1?1023至 1?1025(Ωm) 的有限電阻系數(shù)。

          R 被稱為“絕緣電阻”,與電容并列。此外,提高電容的因素還會導(dǎo)致絕緣電阻的降低。為了說明這種趨勢,我還針對幾個額定 10 V 電解質(zhì)電容器,繪制了絕緣電阻與電容的比值圖。[1] 見圖 3。

          3

          在相等電壓額定值下,電容器越大,電容器絕緣電阻越低

          電容器的絕緣電阻通常取決于電容器的額定電壓,但不是所有應(yīng)用電壓都一樣。

          因此,通過電容器的泄漏電流會因應(yīng)用電壓而發(fā)生極大的變化。[2](見圖 4)

          4

          DC 泄漏在極大程度上取決于應(yīng)用電壓

          通常,在 40% 的額定電壓下,泄漏電流將降至其額定值的 10%,如圖 4 所示。因此,既可提高電容器電壓額定值,降低泄漏電流,也可轉(zhuǎn)換至超低泄漏的電解化學(xué)類型。[3]

          我通常采用聚丙烯薄膜電容器實(shí)現(xiàn)低泄漏耦合應(yīng)用。如果我真正需要低泄漏,我就會去我同事 Thomas Kuehl 的辦公室借真空電容器(圖 5),盡管 47 μF 的真空電容器會很大!

          5

          50 pF、20 kV 的真空電容器

          在調(diào)試電路時,通常原理圖上沒有諸如耦合電容器絕緣電阻等組件,這就會帶來問題。無源組件將在理想模式下工作的假設(shè),只是我從我努力成為一名專家過程中了解到的眾多錯誤之一。我不知道我的下一個錯誤將是什么。

          參考資料:

          [1]《招商簡介》,Acacia Research 公司(2013 年 2 月);

          [2] 《具有導(dǎo)電聚合物的 SMD 固態(tài)鋁電容器》,Vishay OS-CON,文件編號 90021,2012 年 8 月 28 日;

          [3]《鉭質(zhì)電容器應(yīng)用手冊》,位于南卡羅來納州格林威爾的 Kemet Electronics 公司;

          [4] 作者:Williams, Tim,《電路設(shè)計(jì)人員手冊》,位于 Burlington MA 的Elsevier ltd.,? 2005 年版權(quán)所有。

          關(guān)于作者:John Caldwell 現(xiàn)任德州儀器高精度線性產(chǎn)品部應(yīng)用工程師,主要負(fù)責(zé)為運(yùn)算放大器與工業(yè)線性器件提供支持,專門從事針對傳感器、低噪聲設(shè)計(jì)及測量,以及電池干擾問題的高精度電路設(shè)計(jì)。John 畢業(yè)于弗吉尼亞理工學(xué)院,獲電氣工程學(xué)士學(xué)位及碩士學(xué)位,主攻生物電子與儀表研究。



          關(guān)鍵詞: 電容器漏

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