在同一條I2C總線上掛接多個(gè)DS1859器件

DS1859雙路、溫控電阻不允許用戶通過(guò)外部引腳改變其I2C從地址。相反，器件為主存儲(chǔ)器提供可編程I2C從地址。在具體應(yīng)用中，一條I2C總線可能需要接多個(gè)DS1859器件。由于所有DS1859出廠時(shí)的缺省I2C從地址都相同，因此，這些器件與I2C總線連接時(shí)，必須改變其中一個(gè)或多個(gè)器件的從地址。

本應(yīng)用筆記闡述了同一條I2C總線上接兩個(gè)DS1859時(shí)，如何改變其中一個(gè)器件的I2C從地址。這一方法可推廣應(yīng)用于掛接多個(gè)器件的情況。本文假定用戶可根據(jù)需要將DS1859的WPEN引腳轉(zhuǎn)換為邏輯高電平或邏輯低電平。

DS1859的獨(dú)特之處還在于每個(gè)器件有兩個(gè)從地址，其中一個(gè)可編程地址用來(lái)訪問(wèn)主存儲(chǔ)器，另一個(gè)固定地址(A0h)用來(lái)訪問(wèn)輔助存儲(chǔ)器。在本文的最后將討論如何訪問(wèn)輔助存儲(chǔ)器。

在同一條I2C總線上掛接兩個(gè)DS1859

當(dāng)同一條I2C總線上接兩個(gè)DS1859時(shí)，必須改變其中一個(gè)器件的從地址，另一個(gè)器件則保持其缺省地址(A2h)不變?？赏ㄟ^(guò)以下步驟來(lái)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。

將一個(gè)DS1859 (器件1)的WPEN引腳驅(qū)動(dòng)至信號(hào)地。

將另一個(gè)DS1859 (器件2)的WPEN引腳驅(qū)動(dòng)至高電平。

將器件2的MPEN位置為高(從器件地址A2h，表01h，寄存器89h，第2位)。該設(shè)置對(duì)兩個(gè)器件的MPEN位都有效，但是由于器件1的WPEN引腳接地，因此只有器件2被寫(xiě)保護(hù)。該步驟之后所有對(duì)從地址A2h的寫(xiě)操作都僅對(duì)器件1產(chǎn)生影響。
將器件1的從地址設(shè)置為任何期望的數(shù)值(00h - FEh，A2h除外)。進(jìn)行編程設(shè)置時(shí)，采用從地址A2h，表01h，字節(jié)8Ch。

將器件1的ADFIX位置為高(從地址A2h，表01h，寄存器89h，第4位)。

器件1的從地址即配置為第5步所指定的地址。

然后WPEN引腳可被驅(qū)動(dòng)至需要的邏輯電平，此時(shí)可以將MPEN位恢復(fù)至缺省值(0b)。

系統(tǒng)中連接多個(gè)DS1859

上述步驟也適用于同一條I2C總線接多個(gè)DS1859的情況。此時(shí)，除了某個(gè)從地址需要改變的器件外，所有器件均被置為寫(xiě)保護(hù)。

訪問(wèn)輔助存儲(chǔ)器

用戶應(yīng)該注意，只有主器件地址能被改變。而所有器件的輔助存儲(chǔ)器地址不能改變，仍然保持為A0h。I2C總線上只能有一個(gè)器件通過(guò)地址A0h訪問(wèn)輔助存儲(chǔ)器。然而，用戶可置位其它器件的ADEN位，并通過(guò)主器件地址及表00h來(lái)訪問(wèn)其它器件的輔助存儲(chǔ)器。

結(jié)論

如果I2C總線上連接了多個(gè)DS1859 (具有相同的缺省I2C地址)，并且這些器件已焊接在系統(tǒng)PCB上時(shí)，本應(yīng)用筆記對(duì)如何改變這些器件的I2C從地址進(jìn)行了闡述。