ESD增強型器件推動超高頻放大器在汽車電子中的應用
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仿真性能
利用DESSIS CAE仿真器可以獲取更多ESD的機制。過程仿真器DIOS作為基本射頻晶體管單元分析的第一步，可用在兩種配置下，即帶有或者不帶緩沖層。在ESD仿真中，要為物理模型設計一個HBM電路，且電容器的放電可以在時域內計算出來。由于反向脈沖負載下的基極－集電極的性能很差，因而常用來做分析。
參考電容可以達到3000V并且最高電流密度可達到12.6 mA/μm2(圖2)。對于普通的晶體管，場的異常高區(qū)域通常在集電極襯底層邊緣處，然而可以利用緩沖區(qū)來有效的降低它，這是由于ESD電流中的自由電子的補償作用分布的更深更廣。而且在內部基極連接處，很高的電流密度也會導致高能電場的產生。通過對很多案例分析發(fā)現，該處的硅已經融化了。
圖3中的電流-電壓(I-V)曲線顯示了緩沖層的作用。曲線是在很多時間段上繪制的，利用箭頭合標記來標明時間的發(fā)展方向。雪崩效應和電壓崩潰的并發(fā)造成了曲線前端的不穩(wěn)定，這是由自由空穴引起的但不影響ESD分析。帶有緩沖層的器件具有負斜率的I-V特性：如果雪崩效應在一點變得強烈，該處的電壓會上升。如果電壓穩(wěn)定并均衡，就不會出現電流擁擠的現象。
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在分散的射頻晶體管的生產向英飛凌的新流程“自排列雙極性方法”的過渡中，有機會對BFP460做新的設計。在新流程中，發(fā)射極是利用對n極層的沉積來取代以前摻雜砷的方法。該方法嚴格控制生產過程的參數，并在參數的小范圍內實現對晶體管高容量運行的控制。
例如平板射頻晶體管的直流電流增益(hFE)通常在一個很寬的范圍內分布，但在BFP460的生產中，卻在很小的范圍內(100到150之間)可控。
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盡管ESD增強的晶體管的適用范圍很廣(圖4)，但在超高頻的寬帶反饋的LNA(低噪聲放大器)中仍采用BFP460。這種特殊的LNA可在315和434MHz上增強RKE和TPMS的射頻芯片接收器的范圍和敏感度，它由九部分組成，其中包括BFP460晶體管。為了降低成本，用電阻和電容來替代貼片電感(感應器)。其應用板上帶有一種可選的低功耗極總帶通濾波器，中心頻率設為315MHz，并可重設為434MHz，可以用來降低通帶外被過濾掉的信號對RKE接收器的影響。應用板支持LNA以及濾波器的自測試，或者二者同時測試。
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LNA可以無條件的穩(wěn)定，并在300到1000MHz上具有良好的回波損失、增益以及噪聲等有良好的性能。它可以工作在315、434或者900MHz的ISM帶寬之內，且無需更改任何設置。感興趣的讀者可以通過與本文作者或者本雜志聯(lián)系以獲取LNA的物料清單?；贐FP460的應用板可以從英飛凌獲得。
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