基于ADuC7061和外部RTD構建的USB供電溫度監(jiān)控器
本應用中用到ADuC7061的特性如下:
1.內(nèi)置可編程增益放大器(PGA)的24位Σ-Δ型主ADC:PGA的增益在本應用的軟件中設置為32。
2.可編程激勵電流源,用來強制受控電流流經(jīng)RTD:雙通道電流源可在0 μA至2 mA范圍內(nèi)以200 μA步進配置,本例設置為200 μA。
3.ADuC7061中ADC的外部基準電壓源:對于本應用,我們采用比率式設置,將一個外部基準電阻(RREF)連接在外部VREF+ 和VREF- 引腳上?;蛘撸部梢栽贏DuC7061中提供1.2 V內(nèi)部基準電壓源。
4.ARM7TDMI內(nèi)核:功能強大的16/32位ARM7內(nèi)核集成了32 kB閃存和SRAM存儲器,用來運行用戶代碼,可配置并控制ADC,通過RTD處理ADC轉(zhuǎn)換,以及控制UART/USB接口的通信。
5.UART: UART用作與PC主機的通信接口。
6.兩個外部開關用來強制該器件進入閃存引導模式:使S1處于低電平,同時切換S2,ADuC7061將進入引導模式,而不是正常的用戶模式。在引導模式下,通過UART接口可以對內(nèi)部閃存重新編程。
本電路使用的RTD為100 Ω鉑RTD,型號為Enercorp PCS 1.1503.1.它采用0805表貼封裝,溫度變化率為0.385 Ω/°C。
注意,基準電阻RREF應為精密5.62 kΩ (±0.1%)電阻。
ADuC7061的USB接口通過FT232R UART轉(zhuǎn)USB收發(fā)器實現(xiàn),它將USB信號直接轉(zhuǎn)換為UART。除下圖所示的去耦外,USB電纜本身還應采用鐵氧體磁珠來增強EMI/RFI保護功能。本電路所用鐵氧體磁珠為Taiyo Yuden #BK2125HS102-T,它在100 MHz時的阻抗為1000 Ω。
本電路必須構建在具有較大面積接地層的多層電路板上。為實現(xiàn)最佳性能,必須采用適當?shù)牟季?、接地和去耦技術。
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