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          詳解DRAM、NAND和RRAM存儲(chǔ)器技術(shù)

          作者: 時(shí)間:2016-12-20 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          日前,存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司(Micron)在香港舉行了2014夏季分析師大會(huì),會(huì)上美光的高層管理人員就M、NAND和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及Micron的公司策略進(jìn)行了講解。

            首先,Micron公司CEO Mark Durcan講解了M和NAND存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)。他說(shuō),未來(lái)幾年M出貨量增長(zhǎng)速度將減緩。如圖1所示,2015年以后,DRAM出貨量的同比增速將從前些年的50%左右下降到20%左右。2014到2018年平均復(fù)合增長(zhǎng)率為21%。另外,DRAM的市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)將發(fā)生改變,移動(dòng)和企業(yè)市場(chǎng)的比例將增加,如圖2所示。DRAM主要供應(yīng)商已經(jīng)從2005年的6家洗牌到2013年的3家(三星、SK海力士和美光),這個(gè)格局將不會(huì)改變。

          詳解DRAM、NAND和RRAM存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)技術(shù)

            圖1:2014到2018年DRAM平均復(fù)合增長(zhǎng)率為21%

          詳解DRAM、NAND和RRAM存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)技術(shù)

            圖2:DRAM在移動(dòng)和企業(yè)市場(chǎng)的比例將增加

            至于NAND市場(chǎng),2014到2018年平均復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)為31%,強(qiáng)于DRAM。其應(yīng)用將更多轉(zhuǎn)向SSD固態(tài)硬盤和移動(dòng)設(shè)備,如圖3所示。

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            圖3:NAND應(yīng)用將更多轉(zhuǎn)向SSD固態(tài)硬盤和移動(dòng)設(shè)備

            接下來(lái),Micron公司總裁(president)Mark Adams和研發(fā)副總裁Scott DeBoer談及了存儲(chǔ)器技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。這也是本文的重點(diǎn)。

            DRAM:至少還有兩個(gè)節(jié)點(diǎn)

            DeBoer先生說(shuō),DRAM的復(fù)雜度在25nm節(jié)點(diǎn)以后上升較快,節(jié)點(diǎn)變化對(duì)存儲(chǔ)器性能的改善不像以前那么奏效。每片晶圓產(chǎn)出的容量增長(zhǎng)趨緩,工廠出片能力也受阻。

            然而,DRAM工藝在20nm以后至少還要有兩個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)有待開(kāi)發(fā)。傳統(tǒng)節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品依然重要,產(chǎn)品特性成為關(guān)鍵。20nm的DRAM芯片著重于產(chǎn)品的差異化,以高密度、HMC和高級(jí)移動(dòng)產(chǎn)品為將成為優(yōu)先考慮。

            隨著半導(dǎo)體線寬的不斷縮小,每個(gè)裸片上的容量將繼續(xù)增加。在20nm節(jié)點(diǎn)以后,每個(gè)裸片要有4GB到16Gb的容量才合算,如下圖所示。

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            圖4:4Gb至16Gb將成為最優(yōu)DRAM裸片尺寸

            據(jù)介紹,Micron的DRAM芯片正在從25nm向20nm過(guò)渡,20nm產(chǎn)品的產(chǎn)能正在爬坡。2015年,Micron有兩個(gè)20nm工廠將投產(chǎn)。Micron設(shè)在日本廣島的20nm工廠進(jìn)展迅速,同時(shí)在美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州Boise市正在進(jìn)行十幾納米和幾納米節(jié)點(diǎn)的研發(fā)。

            NAND:從現(xiàn)在的16nm平面轉(zhuǎn)向3D

            NAND技術(shù)的演變較DRAM更具戲劇性。平面NAND工藝將在16nm節(jié)點(diǎn)終結(jié)。3D NAND芯片會(huì)很快登場(chǎng)。

            DeBoer先生說(shuō),16nm平面MLC在成本、性能、密度選項(xiàng)和可靠性方面得以優(yōu)化,是Micron NAND歷史上產(chǎn)能爬坡最快的一代。而16nm TLC(1個(gè)存儲(chǔ)單元存放3位元)將是量產(chǎn)的最后一代技術(shù),之后馬上向3D遷移。

            最初的3D NAND產(chǎn)品將以32層MLC、256Gb裸片的形式出現(xiàn),然后TLC很快跟進(jìn),面向高性能SSD應(yīng)用。DeBoer說(shuō),Micron/Intel工藝架構(gòu)將成就業(yè)界最高的存儲(chǔ)密度

            NAND芯片從平面向3D工藝的遷移出于顯著的成本和空間考慮。16nm以下NAND產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)成本驟增,而獲得的效能改進(jìn)并不合算??紤]到16nm較好的性能,以及對(duì)3D NAND的工藝的信心,所以存儲(chǔ)器廠商選擇16nm作為最后的平面節(jié)點(diǎn)。

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            圖5:16nm以后節(jié)點(diǎn)遷移成本驟增

            雖然第一代3D NAND開(kāi)發(fā)成本較高,但隨后會(huì)很快下降。就單位比特的成本來(lái)看,Micron的32層3D NAND成本有望于2015年下半年與16nm平面TLC交叉,如下圖所示。

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            圖6:2015年后期3D NAND將開(kāi)始顯現(xiàn)成本優(yōu)勢(shì)

            3D封裝很重要

            芯片封裝技術(shù)幾乎和硅工藝同等重要。封裝技術(shù)的進(jìn)步對(duì)芯片性能的貢獻(xiàn)差不多也遵循摩爾定律,如下圖所示。3D封裝的重要性與日俱增,對(duì)尺寸和系統(tǒng)性能都有幫助;創(chuàng)新的封裝形式增進(jìn)了存儲(chǔ)器與處理器之間的互動(dòng)。Micron的3D封裝技術(shù)正在走向成熟,2015年將進(jìn)行小批量生產(chǎn)。

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            圖7:封裝技術(shù)也遵循摩爾定律

            新興存儲(chǔ)器技術(shù)

            DeBoer說(shuō),新型存儲(chǔ)器有兩層含義,即存儲(chǔ)信息的物理機(jī)制,以及新的工藝架構(gòu)。他說(shuō),Micron目前不便透露更多的細(xì)節(jié),明年會(huì)公布這些新的存儲(chǔ)器種類。Micron每年都投入相當(dāng)大的研發(fā)預(yù)算來(lái)開(kāi)發(fā)新型存儲(chǔ)技術(shù)。除了公司自身的研發(fā)工作,Micron還有與外部伙伴的聯(lián)合項(xiàng)目。DeBoer相信Micron在此領(lǐng)域具有很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。這兩種技術(shù)路徑都在研發(fā)當(dāng)中,并分別于2015和2017年實(shí)現(xiàn)首批生產(chǎn)。

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            圖8:Micron的存儲(chǔ)技術(shù)時(shí)間表

            雖然沒(méi)有明確透露新型存儲(chǔ)器的種類,不過(guò)顯然其中之一是Resistive RAM,或RRAM,即記憶電阻。DeBoer描述了新技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。DRAM和NAND這兩種主流存儲(chǔ)技術(shù)各有利弊,但它們?cè)谌萘亢脱舆t方面鴻溝難以彌合。如下圖所示,DRAM具有出色的延遲特性,但耐久性、非易失性和成本較差,而NAND的延遲特性則不可救藥。新技術(shù)將彌合這道鴻溝,它將能夠在延遲、耐久性、非易失性和成本方面取得很好的平衡。

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            圖9:新技術(shù)將在延遲、耐久性、非易失性和成本方面取得很好的平衡



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