同步圖形存儲器IS42G32256的原理與應用
摘 要: IS42G32256是高速度16M bit CMOS同步圖形存儲器(SGRAM),適用于高性能計算機的顯示卡、圖形工作站、電視機頂盒、游戲卡、二維/三維圖形處理等場合。對其功能、特點、工作原理及其應用進行了介紹。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201612/333180.htm關鍵詞: SGRAM CMOS IS42G32256 圖形處理
半導體存儲器是計算機系統(tǒng)的重要組成部分,隨著計算機技術的迅速發(fā)展,CPU的速度越來越高,以往采用的普通動態(tài)存儲器(DRAM)速度低,帶寬窄,已無法適應高速CPU。為了適應各種實際應用的需要,出現(xiàn)了采用新技術的DRAM。其中同步DRAM(SDRAM)的出現(xiàn),大大地提高了存儲器的速度,改善了其性能。在高性能計算機系統(tǒng)中,常用SDRAM作為主存儲器和顯示存儲器。如果將圖形特點加入到SDRAM中,即得到同步圖形存儲器,簡稱SGRAM。
IS42G32256是高速16M bit CMOS同步圖形存儲器,性能優(yōu)良,速度快,適合于圖形工作站、顯示卡、電視機頂盒、游戲卡、二維/三維圖形處理等高性能、高帶寬的應用場合。
它具有以下特點:①256K×32位×2存儲體結構;②所有輸入采樣和輸出都在同一個系統(tǒng)時鐘的上升沿同步動作;③雙重內(nèi)部存儲體控制;④單3.3V±3V電源;⑤可編程方式寄存器指定突發(fā)范圍為1、2、4、8字節(jié)或整頁,/CAS等待周期為2和3周期,突發(fā)類型為順序和交替;⑥突發(fā)讀寫操作;⑦刷新能力為自動和自舉刷新;⑧每32ms刷新2048周期;⑨輸入輸出電平與TTL電平兼容;⑩100引腳PQFP封裝(14mm×20mm)。
它具有以下圖形特點:①SMRS周期:裝載屏蔽寄存器,裝載顏色寄存器;②寫每位;③塊寫(8列)
1 工作原理
IS42G32256 SGRAM的基本組成是兩個結構為1024×256×32位的存儲體,功能框圖見圖1。它比普通的DRAM增加了一個可編程的方式寄存器,方式寄存器存儲的數(shù)據(jù)用來控制SGRAM的各種操作方式。通過編程設置/CAS等待周期、突發(fā)類型、尋址方式、突發(fā)范圍、測試方式和各種特殊操作,使SGRAM具有各種不同的應用。方式寄存器的內(nèi)容缺省時是不定的,因此,上電時必須設置,當/CS、/CAS、/RAS、/WE和DSF為低電平時方式寄存器被寫入,同時,A0~A10也被寫入。它分成不同區(qū)域:A0~A2用于突發(fā)范圍,A3用于突發(fā)類型,A4~A6用于/CAS等待周期,A7、A8、A10僅供感廠家用或用于測試方式,SGRAM正常操作時,必須設置為低電平,A9用于可編程寫突發(fā)范圍。
DQM用于屏蔽輸入輸出操作。DQM操作和時鐘同步,讀等待周期為2周期,寫等待周期為0周期,DQM也用于存儲系統(tǒng)的設備選擇和總線控制,DQM0控制DQ0~DQ7,DQM1控制DQ8~DQ15,DQM2控制DQ16~DQ23,DQM3控制DQ24~DQ31。
DSF定義特殊功能,控制SGRAM的圖形應用。DSF為低電平時,SGRAM的功能與普通存儲器相同,只有當DSF為高電平時,才具有圖形功能。SGRAM的功能,諸如/RAS激活、寫和用WCBR(方式寄存器設置命令)改變SGRAM的功能等,都由DSF控制。
SGRAM有兩種特殊方式寄存器:顏色寄存器和屏蔽寄存器,用于寫每位和塊寫。當AS和DSF為高電平,/CS、/RAS、/CAS和/WE為低電平時裝載顏色寄存器,通過DQ引腳裝入與DQ相關的數(shù)據(jù)。
當時鐘允許CKE=1時,允許時鐘信號加入SGRAM;當CKE=0時,輸出狀態(tài)和突發(fā)地址被凍結,芯片進入低功耗狀態(tài)。
存儲體選擇(A10):SGRAM是由兩個262144×32bit存儲體組成的,當A10為低電平時,選擇A存儲體,否則選擇B存儲體。
地址輸入(A0~A9):譯碼262144個存儲單元需要18位地址,采用多路復用器輸入地址A0~A9,10位行地址通過/RAS和A10鎖存,8位列地址通過/CAS、/WE和A10鎖存。
寫每位是選擇數(shù)據(jù)屏蔽位寫入的功能,儲存在內(nèi)部寄存器中,當它有效時,用于數(shù)據(jù)的每一位寫。塊寫允許訪問周期連續(xù)的8列數(shù)據(jù)同時寫入。塊寫時序圖見圖2。
引腳功能參見表1,引腳圖略。
2 上電順序
①電源必須把CKE和DQM拉為高電平,在輸入數(shù)據(jù)之前或者上電時其它引腳為空操作,時鐘信號也必須同時加入;②VDD到達確定電壓后,空操作至少要延遲200μs;③兩個存儲體必須預充電;④在兩個最小刷新周期之前使內(nèi)部電路穩(wěn)定;⑤在一個方式寄存器設置周期之前,若方式寄存器的內(nèi)容缺省,應編程設置/CAS等待周期、突發(fā)范圍和突發(fā)類型。在方式寄存器設置周期的時鐘周期末,設備操作已準備好。按上述順序上電后,所有的輸出均為高阻態(tài)。其它任何操作順序都不能保證輸出為高阻態(tài)。(次序④和⑤可以交換)。
3 典型應用
IS42G32256是16bit SGRAM,頻率高達100MHz,比同屬的高速EDODRAM速度高,它與系統(tǒng)時鐘(即CPU頻率)同步工作,使CPU實現(xiàn)無等待操作,從而提高計算機系統(tǒng)的工作速度。它的圖形特點使其在高性能計算機系統(tǒng)、圖形工作站、電視機頂盒、游戲卡及二維/三維圖形處理等方面得到了廣泛應用。最典型的應用是在顯卡中作顯存。普通顯卡或娛樂級顯卡對顯存的性能要求不是很高,但要求性價比高,一般用4MB的EDORAM或SDRAM就行了,而專業(yè)級顯卡要求對CPU依賴小,顯存盡可能大、快,為了讓工作盡可能在顯卡內(nèi)完成,要求顯存多多益善,以免緩慢的磁盤拖后腿,為了提高顯卡的帶寬,采用最高檔和最快的顯存,SGRAM是高檔顯存之一。ELSA和耕宇等公司生產(chǎn)的顯卡都用到了8MB或16MB的SGRAM作顯存。IS42G32256SGRAM在顯示卡中的應用框圖見圖3,由3DFXV00D00加速芯片、SGRAM、ROM和連接器等組成,V00D00芯片是顯卡的核心部分,處理原來得靠CPU處理的三維圖像數(shù)據(jù),使圖像處理能力極大提高。ROM(或EPROM)用來存放視頻BIOS程序,8片IS42G32256SGRAM構成16MB的顯存,提高了顯卡的帶寬,可用作專業(yè)級的顯卡。
隨著計算機技術和半導體技術的飛速發(fā)展,不斷涌現(xiàn)采用新技術的存儲器,以適應各種不同的應用需要。SGRAM以其高帶寬、高速度、低功耗,特別是在圖形處理方面的特點,使其在圖像處理等場合得到了廣泛應用。
參考文獻
1 ISSI IS42G32256 256K×32×2(16Mbit)SynchronousGraphics RAM.Advance Information 1998
2竇振中編.單片機外圍器件實用手冊-存儲器分冊.北京:北京航空航天大學出版社,1998
(收稿日期:1999-07-28)
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