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          IC認(rèn)證中無(wú)線產(chǎn)品測(cè)試要求解析

          作者: 時(shí)間:2016-12-23 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          IC是Industry Canada的英文縮寫,是加拿大工業(yè)部的縮寫,IC規(guī)定了模擬和數(shù)字終端設(shè)備的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn),并規(guī)定對(duì)在加拿大銷售的無(wú)線產(chǎn)品必須通過(guò)IC的認(rèn)證。因此IC認(rèn)證是無(wú)線電子電器產(chǎn)品進(jìn)入加拿大市場(chǎng)的通行證和必備條件。

          根據(jù)IC制定的標(biāo)準(zhǔn)RSS-GEN以及標(biāo)準(zhǔn)ICES-003e中的相關(guān)要求,無(wú)線產(chǎn)品(如手機(jī))必須符合相關(guān)EMC和RF的限值,并且符合RSS-102中SAR的要求。以GSM850/1900包含GPRS功能的模塊或者手機(jī)為例,EMC測(cè)試中有RE輻射騷擾,CE傳導(dǎo)騷擾的測(cè)試。在SAR的評(píng)估中,無(wú)線模塊的實(shí)際使用距離在20cm以上的,可以按照相關(guān)規(guī)定用類似FCC中定義的MPE的方式來(lái)評(píng)估輻射安全的情況。在這里我們以GSM850/1900Mhz GSM手機(jī)為例談一談IC認(rèn)證中的RF射頻項(xiàng)目。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201612/333468.htm

          1.輸出功率Output Power

          按照GSM協(xié)議規(guī)定,EUT(在本文指GSM終端設(shè)備)可以由基站控制其發(fā)射功率,基站通過(guò)下行SACCH信道,發(fā)出命令控制其發(fā)射功率級(jí)別,每個(gè)功率級(jí)別相差2dB。當(dāng)EUT遠(yuǎn)離基站造成信號(hào)減弱時(shí),基站可以命令EUT發(fā)出較大功率直至33dBm(GSM 850功率等級(jí)5),以克服遠(yuǎn)距離傳輸或建筑物遮擋所造成的信號(hào)損耗。當(dāng)手機(jī)離基站很近信號(hào)很強(qiáng)時(shí),基站可以命令手機(jī)發(fā)出較小功率,直至5dBm(GSM 850功率等級(jí)15),以減少手機(jī)對(duì)相鄰?fù)诺赖挠脩舻母蓴_,并延長(zhǎng)手機(jī)電池的使用時(shí)間。該項(xiàng)測(cè)試是為了驗(yàn)證EUT是否符合協(xié)議中的要求。認(rèn)證測(cè)試時(shí),也只需要測(cè)試最大發(fā)射功率是否滿足要求即可(GSM850MHz的限值為33±3dBm, GSM1900MHz的限值為30±3dBm)。

          測(cè)試方法:按下圖配置搭建,用CMU200或者Agilent 8960與EUT建立鏈接,頻譜儀可以用R&S的FSU也可以用Agilent的頻譜儀表。

          下面以R&S的FSU頻譜為例,F(xiàn)SU頻譜設(shè)置如下:

          ? 1.測(cè)試前先將EUT至FSU的路徑衰減校準(zhǔn)值加至FSU上;

          ? 2.設(shè)置RBW=1MHz,VBW=1MHz。具體設(shè)置分別為路徑為:FSU/BW/RES BW MANUAL和FSU/BW/VIDEO BW MANUAL;

          ? 3.設(shè)置FREQUENCY SPAN=40 MHz。具體設(shè)置路徑為:FSU/SPAN/SPAN MANUAL;

          ? 4.置SWEEP TIME=AUTO。具體設(shè)置路徑為:FSU/BW/SWEEP TIME MANUAL;

          ? 5.850頻段時(shí)中心頻率分別設(shè)為:824.2 MHz,836.6 MHz,848.8 MHz;1900頻段時(shí)中心頻率分別設(shè)為1850.2 MHz,1880 MHz,1909.8 MHz。具體設(shè)置路徑為:FSU/FREQ/CENTER;

          ?6.按“MAX HOLD”鍵,以調(diào)出需要的圖形。具體設(shè)置路徑為:FSU/TRACE/MAX HOLD;
          ?
          7.如果波峰太高顯示不出來(lái),則可以設(shè)置REF LEVEL POSITION的值來(lái)使整個(gè)波形都顯示出來(lái)。具體設(shè)置路徑:FSU/AMPT/NEXT/REF LEVEL POSITION;

          ? 8.在波形取一個(gè)Peak值。具體操作如下:按FSU的“MKR→”鍵,在彈出的選鍵中按“PEAK”即可;

          測(cè)試結(jié)果如圖:

          2.占用帶寬和發(fā)射帶寬Occupied Bandwidth

          占用帶寬是指以指定信道的中心頻率為中心,包含總發(fā)射功率99% 能量時(shí)對(duì)應(yīng)的頻帶寬度。占用帶寬還可以定義為:占用帶寬是指這樣一種帶寬,在此頻帶的頻率下限之下和頻率上限之上所發(fā)射的平均功率分別等于某一給定發(fā)射的總平均功率的0.5%。占用帶寬過(guò)窄會(huì)使信息失真,占用帶寬過(guò)寬會(huì)產(chǎn)生鄰道干擾。根據(jù)調(diào)制方式的不同,有兩種方法可用來(lái)計(jì)算占有帶寬。他們分別是功率百分比法和功率下降-26dB法。

          功率百分比法:包含整個(gè)傳輸信號(hào)功率的某一特定百分?jǐn)?shù)的那部分頻率帶寬定義為占有帶寬。

          功率下降-26dB法:占有帶寬也可以被定義為在信號(hào)峰值功率所在頻率點(diǎn)的兩邊,信號(hào)功率分別下降-26dB時(shí)兩頻率點(diǎn)之間的距離間隔。

          測(cè)試目的:驗(yàn)證EUT發(fā)射沒(méi)有占用過(guò)多的帶寬而產(chǎn)生臨道干擾。

          測(cè)試步驟(以功率百分比法為例):

          按圖一進(jìn)行連接(頻譜儀更換為Agilent頻譜儀),采用agilent頻譜上的Occupied Bandwidth選件我們也可以測(cè)量出占用帶寬,結(jié)果如下圖:

          3.傳導(dǎo)雜散發(fā)射 Conducted Spurious Emission

          雜散發(fā)射是必要帶寬之外的一個(gè)或多個(gè)頻率的發(fā)射,其發(fā)射電平可降低而不致影響相應(yīng)信息的傳輸。雜散發(fā)射包括諧波發(fā)射、寄生發(fā)射、互調(diào)產(chǎn)物及變頻產(chǎn)物。一般傳導(dǎo)雜散發(fā)射是指天線連接器處或電源引線引起的任何雜散發(fā)射。帶外發(fā)射是指在普遍認(rèn)可的工作頻率范圍之外任何發(fā)射的功率至少要比發(fā)射功率(P 單位:瓦)低 43 + 10log(P) dB,以GSM1900的發(fā)射功率等級(jí)為+30 dBm 到 0 dBm,即可得一常數(shù)其限值-13dBm。

          測(cè)試方法:按圖一進(jìn)行連接(頻譜儀可以替換為Agilent頻譜儀),先將EUT至接收機(jī)或頻譜儀的路徑衰減校準(zhǔn),并將對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償值加至接收機(jī)或頻譜儀,然后按照如下截圖所示機(jī)型設(shè)置。

          測(cè)試結(jié)果如圖:

          頻率穩(wěn)定度 Frequency Stability

          發(fā)射機(jī)的每個(gè)信道都有一個(gè)標(biāo)稱的射頻中心工作頻率,用f0表示。實(shí)際工作頻率與標(biāo)稱工作頻率的最大偏差值為Δf,則頻率穩(wěn)定度的定義為:

          公式中K為頻率穩(wěn)定度,單位為ppm(part per million百萬(wàn)分比)。它是衡量通信設(shè)備質(zhì)量好壞的重要指標(biāo)之一。

          測(cè)試方法:由于通用基站Agilent 8960和R&S 都有頻率穩(wěn)定性的測(cè)試功能,因此測(cè)試時(shí),只需要將EUT和基站直接連起來(lái),利用基站測(cè)試即可。

          測(cè)試條件:頻率穩(wěn)定度的測(cè)試應(yīng)該在-30°到+50°環(huán)境溫度下分別進(jìn)行如:

          ?正常工作電壓狀態(tài)下,在-30 °C 的環(huán)境放置半小時(shí)后測(cè)量數(shù)值,接著在-20 °C溫度環(huán)境中放置半小時(shí)后測(cè)試數(shù)值,同樣以每間隔10°C上升溫度直到50°C,測(cè)試數(shù)值;

          ?在高電壓狀態(tài)下和低電壓狀態(tài)下,測(cè)試步驟與正常工作電壓狀態(tài)下原理相同;

          除以上為大家詳細(xì)介紹的射頻測(cè)試項(xiàng)目外,典型RF射頻項(xiàng)目還包括Band Edge,輻射雜散發(fā)射(RSE),有效輻射功率(EIRP)等測(cè)試項(xiàng)目,IC認(rèn)證中所有測(cè)試項(xiàng)目和其定義測(cè)試方法和要求均與FCC類似



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