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          脈沖Vds-id 的測(cè)試參數(shù)

          作者: 時(shí)間:2016-12-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          漏極電壓Vd,從0至4V進(jìn)行掃描,在每個(gè)Vd掃描之后,門極電壓Vg步進(jìn)到下一個(gè)數(shù)值。傳統(tǒng)的只有直流的Vds-id和通過4200-RBT,偏置T型接頭的直流IV測(cè)試之間的主要區(qū)別是SMU的數(shù)量。通過偏置T型接頭進(jìn)行的直流IV測(cè)試,使用2個(gè)SMU[2],其源和本體連接到地(SMA的同軸電纜屏蔽層)。
          Vds–id-pulse測(cè)試如圖7所示。由于脈沖測(cè)試是UTMS(用戶測(cè)試模塊),所以參數(shù)是通過圖7所示的表格界面來改變的。對(duì)于脈沖Vds-id[3],門極電壓不是階梯的,所以將下一個(gè)Vds-id曲線附加到圖上之前,必須輸入每一個(gè)門極電壓。
          圖7.脈沖Vds-id UTM definition選項(xiàng)頁(yè)

          請(qǐng)注意,直流和脈沖測(cè)試的參數(shù)都可以很容易的進(jìn)行修改,允許對(duì)晶體管行為特性進(jìn)行交互式觀察。下面章節(jié)運(yùn)行Pulse IV測(cè)試部分會(huì)涵蓋運(yùn)行Vds-id測(cè)試的程序。


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