關(guān)于高亮度LED測(cè)試基礎(chǔ)知識(shí)加油站 I

正向電壓測(cè)試
要理解新的結(jié)構(gòu)單元材料，如石墨烯、碳納米管[1]、硅納米線[2]或者量子點(diǎn)，在未來的電子器件中是如何發(fā)揮其功效的，就必須采用那些能在很寬范圍上測(cè)量電阻、電阻率、遷移率和電導(dǎo)率的計(jì)測(cè)手段。這常常需要對(duì)極低的電流[3]和電壓進(jìn)行測(cè)量。對(duì)于那些力圖開發(fā)這些下一代材料并使之商業(yè)化的工程師而言，在納米尺度上進(jìn)行精確的、可重復(fù)的測(cè)量的能力顯得極為重要。

光學(xué)測(cè)試
光學(xué)測(cè)量中也需要使用正向電流偏置[4]，因?yàn)殡娏髋cHBLED的發(fā)光量密切相關(guān)?？梢杂霉怆姸O管或者積分球來捕捉發(fā)射的光子，從而可以測(cè)量光功率?？梢詫l(fā)光變換為一個(gè)電流，并用電流計(jì)或者一個(gè)信號(hào)源－測(cè)量單元的單個(gè)通道來測(cè)量該電流。

反向擊穿電壓測(cè)試
對(duì)HBLED施加的反向偏置電流可以實(shí)現(xiàn)反向擊穿電壓[5]（VR）的測(cè)試。該測(cè)試電流的設(shè)置應(yīng)當(dāng)使所測(cè)得的電壓值不再隨著電流的輕微增加而顯著上升。在更高的電壓下，反向偏置電流的大幅增加所造成的反向電壓的變化并不顯著。VR的測(cè)試方法是，在一段特定時(shí)間內(nèi)輸出低反向偏置電流，然后測(cè)量HBLED兩端的電壓降。其結(jié)果一般為數(shù)十伏特。