最常用的電子元器件及使用常識(shí)

　　電阻

　　電阻在電路中用“R”加數(shù)字表示，如：R1表示編號(hào)為1的電阻。電阻在電路中的主要作用為分流、限流、分壓、偏置等。

　　1、參數(shù)識(shí)別：電阻的單位為歐姆(Ω)，倍率單位有：千歐(KΩ)，兆歐(MΩ)等。換算方法是：1兆歐=1000千歐=1000000歐電阻的參數(shù)標(biāo)注方法有3種，即直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法。

　　a、數(shù)標(biāo)法主要用于貼片等小體積的電路，如：472 表示 47×100Ω(即4.7K); 104則表示100K

　　b、色環(huán)標(biāo)注法使用最多，現(xiàn)舉例如下：四色環(huán)電阻 五色環(huán)電阻(精密電阻)

　　2、電阻的色標(biāo)位置和倍率關(guān)系如下表所示：

　　顏色 有效數(shù)字 倍率 允許偏差(%)

　　銀色 / x0.01 ±10

　　金色 / x0.1 ±5

　　黑色 0 +0 /

　　棕色 1 x10 ±1

　　紅色 2 x100 ±2

　　橙色 3 x1000 /

　　黃色 4 x10000 /

　　綠色 5 x100000 ±0.5

　　藍(lán)色 6 x1000000 ±0.2

　　紫色 7 x10000000 ±0.1

　　灰色 8 x100000000 /

　　白色 9 x1000000000 /

　　電容

　　1、 電容在電路中一般用“C”加數(shù)字表示(如C13表示編號(hào)為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性 主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對(duì)交流信號(hào)的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號(hào)的頻率和電容量有關(guān)。容抗XC= 1/2πf c (f表示交流信號(hào)的頻率，C表示電容容量) 電話機(jī)中常用電容的種類有電解電容、瓷片電容、貼片電容、獨(dú)石電容、鉭電容和滌綸電容等。

　　2、 識(shí)別方法：電容的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。電容的基本單位用法拉(F)表示，其它單位還有：毫法 (mF)、微法(uF)、納法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=103毫法=106微法=109納法=1012皮法.容量大的電容其容量值在電容上 直 接標(biāo)明，如10 uF/16V容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 數(shù)字表示法：一般用三位數(shù)字表示容量大小，前兩位表示有效數(shù)字，第三位數(shù)字是倍率。如：102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF

　　3、電容容量誤差

　　如：一瓷片電容為104J表示容量為0. 1 uF、誤差為±5%。

　　晶體二極管

　　晶體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示，如： D5表示編號(hào)為5的二極管。

　　1、 作用：二極管的主要特性是單向?qū)щ娦裕簿褪窃谡螂妷旱淖饔孟?，?dǎo)通電阻很小;而在反向電壓作用下導(dǎo)通電阻極大或無窮大。正因?yàn)槎O管具有上述特性，無 繩電話機(jī)中常把它用在整流、隔離、穩(wěn)壓、極性保護(hù)、編碼控制、調(diào)頻調(diào)制和靜噪等電路中。電話機(jī)里使用的晶體二極管按作用可分為：整流二極管(如 1N4004)、隔離二極管(如1N4148)、肖特基二極管(如BAT85)、發(fā)光二極管、穩(wěn)壓二極管等。

　　2、識(shí)別方法：二極管的識(shí)別很簡(jiǎn)單， 小功率二極管的N極(負(fù)極)，在二極管外表大多采用一種色圈標(biāo)出來，有些二極管也用二極管專用符號(hào)來表示P極 (正極)或N極(負(fù)極)，也有采用符號(hào)標(biāo)志為“P”、“N”來確定二極管極性的。發(fā)光二極管的正負(fù)極可從引腳長(zhǎng)短來識(shí)別，長(zhǎng)腳為正，短腳為負(fù)。

　　3、測(cè)試注意事項(xiàng)：用數(shù)字式萬用表去測(cè)二極管時(shí)，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負(fù)極，此時(shí)測(cè)得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚?，這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。

　　穩(wěn)壓二極管

　　穩(wěn)壓二極管在電路中常用“ZD”加數(shù)字表示，如：ZD5表示編號(hào)為5的穩(wěn)壓管。

　　1、穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓原理：穩(wěn)壓二極管的特點(diǎn)就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。這樣，當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動(dòng)，或其它原因造成電路中各點(diǎn)電壓變動(dòng)時(shí)，負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變。

　　2、故障特點(diǎn)：穩(wěn)壓二極管的故障主要表現(xiàn)在開路、短路和穩(wěn)壓值不穩(wěn)定。在這3種故障中，前一種故障表現(xiàn)出電源電壓升高;后2種故障表現(xiàn)為電源電壓變低到零伏或輸出不穩(wěn)定。

　　常用穩(wěn)壓二極管的型號(hào)及穩(wěn)壓值如下表：

　　型號(hào) 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761

　　穩(wěn)壓值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V

　　電感

　　電感在電路中常用“L”加數(shù)字表示，如：L6表示編號(hào)為6的 電感。電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。直流可通過線圈，直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻，壓降很小;當(dāng)交流信號(hào)通過線圈時(shí)，線圈兩端 將會(huì)產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì)，自感電動(dòng)勢(shì)的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過，所以電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。電感在電路中可與 電容組成振蕩電路。

　　電感一般有直標(biāo)法和色標(biāo)法，色標(biāo)法與電阻類似。如：棕、黑、金、金表示1uH(誤差5%)的電感。

　　電感的基本單位為：亨(H) 換算單位有：1H=103mH=106uH。

　　變?nèi)荻O管

　　變?nèi)荻O管是根據(jù)普通二極管內(nèi)部 “PN結(jié)” 的結(jié)電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一

　　原理專門設(shè)計(jì)出來的一種特殊二極管。

　　變?nèi)荻O管在無繩電話機(jī)中主要用在手機(jī)或座機(jī)的高頻調(diào)制電路上，實(shí)現(xiàn)低頻信號(hào)調(diào)制到高

　　頻信號(hào)上，并發(fā)射出去。在工作狀態(tài)，變?nèi)荻O管調(diào)制電壓一般加到負(fù)極上，使變?nèi)荻O管

　　的內(nèi)部結(jié)電容容量隨調(diào)制電壓的變化而變化。

　　變?nèi)荻O管發(fā)生故障，主要表現(xiàn)為漏電或性能變差：

　　(1)發(fā)生漏電現(xiàn)象時(shí)，高頻調(diào)制電路將不工作或調(diào)制性能變差。

　　(2)變?nèi)菪阅茏儾顣r(shí)，高頻調(diào)制電路的工作不穩(wěn)定，使調(diào)制后的高頻信號(hào)發(fā)送到對(duì)方被對(duì)

　　方接收后產(chǎn)生失真。

　　出現(xiàn)上述情況之一時(shí)，就應(yīng)該更換同型號(hào)的變?nèi)荻O管。

　　晶體三極管

　　晶體三極管在電路中常用“Q”加數(shù)字表示，如：Q17表示編號(hào)為17的三極管。

　　1、 特點(diǎn)：晶體三極管(簡(jiǎn)稱三極管)是內(nèi)部含有2個(gè)PN結(jié)，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型兩種類型，這兩種類型的三極管從工 作特性上可互相彌補(bǔ)，所謂OTL電路中的對(duì)管就是由PNP型和NPN型配對(duì)使用。電話機(jī)中常用的PNP型三極管有：A92、9012、9015等型號(hào); NPN型三極管有：A42、9014、9018、9013等型號(hào)。

　　2、晶體三極管主要用于放大電路中起放大作用，在常見電路中有三種接法。為了便于比較，將晶體管三種接法電路所具有的特點(diǎn)列于下表，供大家參考。

　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器

　　1、場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。尤其用場(chǎng)效管做整個(gè)電子設(shè)備的輸入級(jí)，可以獲得一般晶體管很難達(dá)到的性能。

　　2、場(chǎng)效應(yīng)管分成結(jié)型和絕緣柵型兩大類，其控制原理都是一樣的。如圖1-1-1是兩種型號(hào)的表示符號(hào)：

　　3、場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較：

　　(1)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。

　　(2)場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。

　　(3)有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。

　　(4)場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。

　　最常用的電子元件型號(hào)

　　整流二極管：

　　1N4001~1N4007 50V~1000~/1。0A 1N5391~1N5399 50V~1000V/1。5A 1N5400~1N5408 50V~1000V/3。0A

　　開關(guān)二極管：

　　1N4148 1N4150 1N4448

　　肖特基二極管：

　　1N5817~1N5819 20V~40V/1。0A 1N5820~1N5822 20V~40V/3。0A 1N60 1N60P小電流低壓降

　　光電耦合器：

　　4N35 4N36 4N37

　　晶體三極管：

　　PNP：8550 9012 9015 A92

　　NPN：8050 9013 9014 9018

　　D/A轉(zhuǎn)換器：

　　AD7520 AD7521 AF7530 AD7521

　　8位：DAC0830 DAC0832 (D/A )12位：AD7541 (D/A)

　　8位：ADC0802 ADC0803 ADC0804 ADC0831 ADC0832 ADC0834 ADC0838(A/D)

　　跨導(dǎo)運(yùn)算變壓器：

　　CA3080 CA3080A OTA

　　BiMOS運(yùn)算變壓器：

　　CA3140 CA3140A

　　DB3 雙向觸發(fā)二極管

　　快恢復(fù)二極管：

　　FR101~FR107 50V~1000/1。0A

　　三位半A/D轉(zhuǎn)換器：

　　ICL7106 ICL7107 ICL7116 ICL7117

　　載波穩(wěn)零運(yùn)算放大器：

　　ICL7650

　　CMOS電源電壓變換器：

　　ICL7660/MAX1044

　　單片函數(shù)發(fā)生器：

　　ICL8038

　　通用計(jì)數(shù)器：

　　ICM7216 ICM7216B ICM7216D 10MHz

　　帶BCD輸出10MZ通用計(jì)數(shù)器：

　　ICM7226A ICM7226B

　　單/雙通用定時(shí)器：

　　ICM7555 ICM7555

　　DTMF 收發(fā)器：

　　ISO2-CMOS MT8880C

　　JFET輸入運(yùn)算放大器：

　　LF351

　　FJET輸入寬帶高速雙運(yùn)算放大器：

　　LF353

　　三端可調(diào)電源：

　　LM117 LM317A LM317

　　低功耗四運(yùn)算放大器：

　　LM124 LM124 LM324 LM2920

　　三端可調(diào)負(fù)電壓調(diào)整器：

　　LM137 LM337

　　低功耗四電壓比較器：

　　LM139 LM239 LM339 LM2901 LM3302

　　可關(guān)斷開關(guān)電源：

　　LM1575-3.3、 LM2575-3.3、LM2575HV-3.3、LM1575- 5.0、LM2575-5.0、LM2575HV-5.0、LM1575-12、LM2575-12、 LM2575HV-12、LM1575-15, LM2575-15、LM2575HV-15、LM1575- ADJ、LM2575-ADJ LM2576-3.3、LM2576HV-3.3、LM2576-5.0、LM2576HV- 5.0、LM2576-12、LM2576HV-12、LM2576-15、LM2576HV-15、 LM2576-ADJ

　　低功耗雙運(yùn)算放大器：

　　LM158 LM258 LM358 LM2904

　　低功耗雙電壓比較器：

　　LM193 LM293 LM393 LM2903

　　通用運(yùn)算放大器：

　　LM201 LM301 LM741

　　精密電壓 頻率轉(zhuǎn)換器：

　　LM231A LM231 LM331A LM331

　　微功耗基準(zhǔn)電壓二極管：

　　LM285 LM358

　　精密運(yùn)算放大器：

　　LM308A

　　低壓音頻小功率放大器：

　　LM386

　　帶溫度穩(wěn)定器精密電壓基準(zhǔn)電路：

　　LM299 LM399 LM3999

　　可調(diào)電壓基準(zhǔn)電路：

　　LM431

　　鎖相環(huán)音頻譯碼器：

　　LM657 LM657C

　　雙低噪聲音頻功率放大器：

　　LM831 LM833

　　雙定時(shí)LED電子鐘電路：

　　LM8365

　　單片函數(shù)發(fā)生器;

　　MAX038 0。1~20MZ

　　5V電源多通道RS232驅(qū)動(dòng)器/接收器：

　　MAX232

　　七路達(dá)林頓驅(qū)動(dòng)器：

　　MC1413 MC1416

　　編碼器/譯碼器：

　　MC145026 MC145027 MC145028

　　MC145023-5/8 RS232驅(qū)動(dòng)器：

　　MC145403 MC145404 MC145405 MC145408

　　RS232驅(qū)動(dòng)器/接收器：

　　MC145406 MC145407

　　四施密特可控線路驅(qū)動(dòng)器：

　　MC1489 MC1489A SN55189 SN55189A SN75189 SN75189A

　　低功率調(diào)頻發(fā)射系統(tǒng)：

　　MC2833

　　低功率調(diào)頻窄頻帶接收器：

　　MC3362

　　雙運(yùn)算放大器：

　　MC4558

　　MC7800系列 1。0A三端正電壓穩(wěn)壓器：

　　MC7805(5.0V)、 LM340-5(5.0V)、MC7806(6.0V)、MC7808 (8.0V)、MC7809(9.0V)、MC7812(12V)、LM340-12(12V)、 MC7815(15V)、LM340-15(15V)、MC7818(18V)、MC7824 (24V)

　　MC78L00系列 0。5A三端正電壓穩(wěn)壓器：

　　MC78M05(5.0V)、MC78M06(6.0V)、MC78M08(8.0V)、MC78M09 (9.0V)、MC78M12(12V)、MC78M15(15V)、MC78M18(18V)、 MC78M20(20V)、MC78M24(24V)

　　MC78T00系列 3。0A正電壓穩(wěn)壓器：

　　MC78T05(5.0V)、MC78T08(8.0V)、MC78T12(12V)、MC78T15 (15V)

　　MC7900系列 1。0三端負(fù)電壓穩(wěn)壓器：

　　MC7905(5.0V)、MC7905.2(5.2V)、MC7906(6.0V)、MC7908 (8.0V)、MC7912(12V)、MC7915(15V)、MC7918(18V)、 MC7924(24V)

　　MC79L00系列 0。1A 三端負(fù)電壓穩(wěn)壓器：

　　MC79L05(5.0V)、MC79L12(12V)、MC79L15(15V)、MC79L18 (18V)、MC79L24(24V)

　　MC79M00系列 0。5A 三端負(fù)電壓穩(wěn)壓器：

　　MC79M05(5.0V)、MC79M08(8.0V)、MC79M12(12V)、MC79M15 (15V)

　　Microchip PIC 系列單片機(jī)RS232通訊應(yīng)用：

　　3。579545MHZ--60HZ 17級(jí)分頻振蕩器：

　　MM5369

　　雙向可控硅輸出光電耦合器：

　　MOC3009 MOC3012 (250V) MOC3020 MOC3023 (400V)

　　DTMF雙音頻接收器：

　　MT8870C MT8870C-1

　　DTMF 收發(fā)器：

　　MT8888C

　　單時(shí)基電路：

　　NE555 NE555Y SA555 SE555

　　雙時(shí)基電路：

　　NE556 SA556 SE556

　　音頻壓縮擴(kuò)展器：

　　NE570 NE571 SA571

　　低電壓飄移運(yùn)算放大器：

　　OP07 OP77

　　低噪音精密運(yùn)算放大器：

　　OP27

　　低噪音高精密運(yùn)算放大器：

　　OP37

　　精密低電壓微功耗運(yùn)算放大器：

　　OP90

　　高效光電耦合器：

　　PC817 PC827 PC837 PC847

　　無線遙控發(fā)射編碼器芯片：

　　PT2262

　　無線遙控接收解碼器芯片：

　　PT2272

　　脈寬市制PWM：

　　SG2524 SG3524

　　電力線調(diào)制解詰器電路：

　　ST7537

　　音頻功率放大器：

　　TDA1521/TDA1521Q 2×12W Hi-Fi

　　TDA2030 14W Hi-fi

　　TDA2616/TDA2616Q 2×12W Hi-Fi

　　FM 單片調(diào)頻接收電路：

　　TDA7000T TDA7010T

　　FM MTS 單片調(diào)節(jié)器頻接收電路：

　　TDA7021T

　　低電壓鎖相環(huán)立體解碼器：

　　TDA7040T

　　低電壓?jiǎn)?雙聲道功率放大器：

　　TDA7050

　　低功耗JFET輸入運(yùn)算放大器：

　　TL062 TL064

　　低噪聲JFET輸入運(yùn)算放大器：

　　TL071 TL072 TL074

　　JFET輸入寬帶高速運(yùn)算放大器：

　　TL081 TL082 TL084

　　脈寬調(diào)制PWM：

　　TL494

　　精密開關(guān)模式脈寬調(diào)制控制：

　　TL594

　　光電耦合器：

　　TLP521-1/TLP521-2/TLP521-4

　　PWM Switch：

　　TOP100/TOP101/TOP102/TOP103/TOP104 TOP200/TOP201/TOP202/TOP203/TOP204/TOP214 TOP209/TOP210

　　線性八外圍驅(qū)動(dòng)器陣列：

　　ULN2803 ULN2804

　　(八 路NPN達(dá)林頓連接晶體管陣系列特別適用于低邏輯電平數(shù)字電路(諸如TTL, CMOS或PMOS/NMOS)和較高的電流/電壓要求之間的接口，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)，工業(yè)用和消費(fèi)類產(chǎn)品中的燈、繼電器、打印錘或其它類似負(fù)載中。所有 器件具有集電極開路輸出和續(xù)流箝位二極管，用于抑制躍變。ULN2803的設(shè)計(jì)與標(biāo)準(zhǔn)TTL系列兼容，而ULN2804 最適于6至15伏高電平CMOS或PMOS。

　　二級(jí)管的分類及特性

　　一、根據(jù)構(gòu)造分類

　　半導(dǎo)體二極管主要是依靠PN結(jié)而工作的。與PN結(jié)不可分割的點(diǎn)接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內(nèi)。包括這兩種型號(hào)在內(nèi)，根據(jù)PN結(jié)構(gòu)造面的特點(diǎn)，把晶體二極管分類如下：

　　1、點(diǎn)接觸型二極管

　　點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結(jié)型相比 較，點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因?yàn)闃?gòu)造簡(jiǎn)單，所以價(jià)格便宜。對(duì)于小信號(hào)的檢波、整流、調(diào)制、混頻和限幅等一 般用途而言，它是應(yīng)用范圍較廣的類型。

　　2、鍵型二極管

　　鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細(xì)絲而形成的。其特性介于點(diǎn)接觸型二 極管和合金型二極管之間。與點(diǎn)接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結(jié)電容量稍有增加，但正向特性特別優(yōu)良。多作開關(guān)用，有時(shí)也被應(yīng)用于檢波和電源整流(不 大于50mA)。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時(shí)被稱金鍵型，熔接銀絲的二極管有時(shí)被稱為銀鍵型。

　　3、合金型二極管

　　在N型鍺或硅的單晶片上，通過合金銦、鋁等金屬的方法制作PN結(jié)而形成的。正向電壓降小，適于大電流整流。因其PN結(jié)反向時(shí)靜電容量大，所以不適于高頻檢波和高頻整流。

　　4、擴(kuò)散型二極管

　　在高溫的P型雜質(zhì)氣體中，加熱N型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成P型，以此法PN結(jié)。因PN結(jié)正向電壓降小，適用于大電流整流。最近，使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉(zhuǎn)移到硅擴(kuò)散型。

　　5、臺(tái)面型二極管

　　PN結(jié)的制作方法雖然與擴(kuò)散型相同，但是，只保留PN結(jié)及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺(tái)面形，因而得名。初期生產(chǎn) 的臺(tái)面型，是對(duì)半導(dǎo)體材料使用擴(kuò)散法而制成的。因此，又把這種臺(tái)面型稱為擴(kuò)散臺(tái)面型。對(duì)于這一類型來說，似乎大電流整流用的產(chǎn)品型號(hào)很少，而小電流開關(guān)用 的產(chǎn)品型號(hào)卻很多。

　　6、平面型二極管

　　在半導(dǎo)體單晶片(主要地是N型硅單晶片)上，擴(kuò)散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N 型硅單晶片上僅選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的PN結(jié)。因此，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結(jié)合 的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認(rèn)為是穩(wěn)定性好和壽命長(zhǎng)的類型。最初，對(duì)于被使用的半導(dǎo)體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對(duì)平面型 二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號(hào)很少，而作小電流開關(guān)用的型號(hào)則很多。

　　7、合金擴(kuò)散型二極管

　　它是合金型的一種。合金材料是容易被擴(kuò)散的材料。把難以制作的材料通過巧妙地?fù)脚潆s質(zhì)，就能與合金一起過擴(kuò)散，以便在已經(jīng)形成的PN結(jié)中獲得雜質(zhì)的恰當(dāng)?shù)臐舛确植?。此法適用于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。

　　8、外延型二極管

　　用外延面長(zhǎng)的過程制造PN結(jié)而形成的二極管。制造時(shí)需要非常高超的技術(shù)。因能隨意地控制雜質(zhì)的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。

　　9、肖特基二極管

　　基本原理是：在金屬(例如鉛)和半導(dǎo)體(N型硅片)的接觸面上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結(jié)的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓 程度只有40V左右。其特長(zhǎng)是：開關(guān)速度非?？欤悍聪蚧謴?fù)時(shí)間trr特別地短。因此，能制作開關(guān)二極和低壓大電流整流二極管。

　　二、根據(jù)用途分類

　　1、檢波用二極管

　　就原理而言，從輸入信號(hào)中取出調(diào)制信號(hào)是檢波，以整流電流的大小(100mA)作為界線通常把輸出電流小于100mA的叫檢波。鍺材料點(diǎn)接觸型、工作頻 率可達(dá)400MHz，正向壓降小，結(jié)電容小，檢波效率高，頻率特性好，為2AP型。類似點(diǎn)觸型那樣檢波用的二極管，除用于檢波外，還能夠用于限幅、削波、 調(diào)制、混頻、開關(guān)等電路。也有為調(diào)頻檢波專用的特性一致性好的兩只二極管組合件。

　　2、整流用二極管

　　就原理而言，從輸入交流中得到輸出 的直流是整流。以整流電流的大小(100mA)作為界線通常把輸出電流大于100mA的叫整流。面結(jié)型，工作頻率小于KHz，最高反向電壓從25伏至 3000伏分A～X共22檔。分類如下：①硅半導(dǎo)體整流二極管2CZ型、②硅橋式整流器QL型、③用于電視機(jī)高壓硅堆工作頻率近100KHz的2CLG 型。

　　3、限幅用二極管

　　大多數(shù)二極管能作為限幅使用。也有象保護(hù)儀表用和高頻齊納管那樣的專用限幅二極管。為了使這些二極管具有特別強(qiáng)的限制尖銳振幅的作用，通常使用硅材料制造的二極管。也有這樣的組件出售：依據(jù)限制電壓需要，把若干個(gè)必要的整流二極管串聯(lián)起來形成一個(gè)整體。

　　4、調(diào)制用二極管

　　通常指的是環(huán)形調(diào)制專用的二極管。就是正向特性一致性好的四個(gè)二極管的組合件。即使其它變?nèi)荻O管也有調(diào)制用途，但它們通常是直接作為調(diào)頻用。

　　5、混頻用二極管

　　使用二極管混頻方式時(shí)，在500～10,000Hz的頻率范圍內(nèi)，多采用肖特基型和點(diǎn)接觸型二極管。

　　6、放大用二極管

　　用二極管放大，大致有依靠隧道二極管和體效應(yīng)二極管那樣的負(fù)阻性器件的放大，以及用變?nèi)荻O管的參量放大。因此，放大用二極管通常是指隧道二極管、體效應(yīng)二極管和變?nèi)荻O管。

　　7、開關(guān)用二極管

　　有在小電流下(10mA程度)使用的邏輯運(yùn)算和在數(shù)百毫安下使用的磁芯激勵(lì)用開關(guān)二極管。小電流的開關(guān)二極管通常有點(diǎn)接觸型和鍵型等二極管，也有在高溫 下還可能工作的硅擴(kuò)散型、臺(tái)面型和平面型二極管。開關(guān)二極管的特長(zhǎng)是開關(guān)速度快。而肖特基型二極管的開關(guān)時(shí)間特短，因而是理想的開關(guān)二極管。2AK型點(diǎn)接 觸為中速開關(guān)電路用;2CK型平面接觸為高速開關(guān)電路用;用于開關(guān)、限幅、鉗位或檢波等電路;肖特基(SBD)硅大電流開關(guān)，正向壓降小，速度快、效率 高。

　　8、變?nèi)荻O管

　　用于自動(dòng)頻率控制(AFC)和調(diào)諧用的小功率二極管稱變?nèi)荻O管。日本廠商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓， 使其PN結(jié)的靜電容量發(fā)生變化。因此，被使用于自動(dòng)頻率控制、掃描振蕩、調(diào)頻和調(diào)諧等用途。通常，雖然是采用硅的擴(kuò)散型二極管，但是也可采用合金擴(kuò)散型、 外延結(jié)合型、雙重?cái)U(kuò)散型等特殊制作的二極管，因?yàn)檫@些二極管對(duì)于電壓而言，其靜電容量的變化率特別大。結(jié)電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，用作調(diào)諧 回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路，常用于電視機(jī)高頻頭的頻道轉(zhuǎn)換和調(diào)諧電路，多以硅材料制作。

　　9、頻率倍增用二極管

　　對(duì)二極管的頻率倍增作用 而言，有依靠變?nèi)荻O管的頻率倍增和依靠階躍(即急變)二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變?nèi)荻O管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動(dòng)頻率控制用的變?nèi)?nbsp;二極管的工作原理相同，但電抗器的構(gòu)造卻能承受大功率。階躍二極管又被稱為階躍恢復(fù)二極管，從導(dǎo)通切換到關(guān)閉時(shí)的反向恢復(fù)時(shí)間trr短，因此，其特長(zhǎng)是急 速地變成關(guān)閉的轉(zhuǎn)移時(shí)間顯著地短。如果對(duì)階躍二極管施加正弦波，那么，因tt(轉(zhuǎn)移時(shí)間)短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產(chǎn)生很多高頻諧波。

　　10、穩(wěn)壓二極管

　　是代替穩(wěn)壓電子二極管的產(chǎn)品。被制作成為硅的擴(kuò)散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。作為控制電壓和標(biāo)準(zhǔn)電壓使用而制作的。二極管工作時(shí) 的端電壓(又稱齊納電壓)從3V左右到150V，按每隔10%，能劃分成許多等級(jí)。在功率方面，也有從200mW至100W以上的產(chǎn)品。工作在反向擊穿狀 態(tài)，硅材料制作，動(dòng)態(tài)電阻RZ很小，一般為2CW型;將兩個(gè)互補(bǔ)二極管反向串接以減少溫度系數(shù)則為2DW型。

　　11、PIN型二極管(PIN Diode)

　　這是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導(dǎo)體(或低濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體)構(gòu)造的晶體二極管。PIN中的I是"本征"意義的英文略語。當(dāng)其工作頻率超過 100MHz時(shí)，由于少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)和"本征"層中的渡越時(shí)間效應(yīng)，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏 置或直流反向偏置時(shí)，"本征"區(qū)的阻抗很高;在直流正向偏置時(shí)，由于載流子注入"本征"區(qū)，而使"本征"區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗?fàn)顟B(tài)。因此，可以把PIN二極管作 為可變阻抗元件使用。它常被應(yīng)用于高頻開關(guān)(即微波開關(guān))、移相、調(diào)制、限幅等電路中。

　　12、 雪崩二極管 (Avalanche Diode)

　　它是在外加電壓作用下可以產(chǎn)生高頻振蕩的晶體管。產(chǎn)生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對(duì)晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時(shí)間，所以 其電流滯后于電壓，出現(xiàn)延遲時(shí)間，若適當(dāng)?shù)乜刂贫稍綍r(shí)間，那么，在電流和電壓關(guān)系上就會(huì)出現(xiàn)負(fù)阻效應(yīng)，從而產(chǎn)生高頻振蕩。它常被應(yīng)用于微波領(lǐng)域的振蕩電路 中。

　　13、江崎二極管 (Tunnel Diode)

　　它是以隧道效應(yīng)電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P 型區(qū)的N型區(qū)是高摻雜的(即高濃度雜質(zhì)的)。隧道電流由這些簡(jiǎn)并態(tài)半導(dǎo)體的量子力學(xué)效應(yīng)所產(chǎn)生。發(fā)生隧道效應(yīng)具備如下三個(gè)條件：①費(fèi)米能級(jí)位于導(dǎo)帶和滿帶 內(nèi);②空間電荷層寬度必須很窄(0.01微米以下);簡(jiǎn)并半導(dǎo)體P型區(qū)和N型區(qū)中的空穴和電子在同一能級(jí)上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。 其主要參數(shù)有峰谷電流比(IP/PV)，其中，下標(biāo)"P"代表"峰";而下標(biāo)"V"代表"谷"。江崎二極管可以被應(yīng)用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中 (其工作頻率可達(dá)毫米波段)，也可以被應(yīng)用于高速開關(guān)電路中。

　　14、快速關(guān)斷(階躍恢復(fù))二極管 (Step Recovary Diode)

　　它也是一種具有PN結(jié)的二極管。其結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)是：在PN結(jié)邊界處具有陡峭的雜質(zhì)分布區(qū)，從而形成"自助電場(chǎng)"。由于PN結(jié)在正向偏壓下，以少數(shù)載流子 導(dǎo)電，并在PN結(jié)附近具有電荷存貯效應(yīng)，使其反向電流需要經(jīng)歷一個(gè)"存貯時(shí)間"后才能降至最小值(反向飽和電流值)。階躍恢復(fù)二極管的"自助電場(chǎng)"縮短了 存貯時(shí)間，使反向電流快速截止，并產(chǎn)生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設(shè)計(jì)出梳狀頻譜發(fā)生電路?？焖訇P(guān)斷(階躍恢復(fù))二極管用于脈沖和高次諧波電路 中。

　　15、肖特基二極管 (Schottky Barrier Diode)

　　它是具有肖特基特性的"金屬半導(dǎo)體結(jié)"的二極管。其正向 起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的，所以， 其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微，所以其頻率響僅為RC時(shí)間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快 速開關(guān)的理想器件。其工作頻率可達(dá)100GHz。并且，MIS(金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。

　　16、阻尼二極管

　　具有較高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降小，高頻高壓整流二極管，用在電視機(jī)行掃描電路作阻尼和升壓整流用。

　　17、瞬變電壓抑制二極管

　　TVP管，對(duì)電路進(jìn)行快速過壓保護(hù)，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率(500W-5000W)和電壓(8.2V～200V)分類。

　　18、雙基極二極管(單結(jié)晶體管)

　　兩個(gè)基極，一個(gè)發(fā)射極的三端負(fù)阻器件，用于張馳振蕩電路，定時(shí)電壓讀出電路中，它具有頻率易調(diào)、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。

　　19、發(fā)光二極管

　　用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成，體積小，正向驅(qū)動(dòng)發(fā)光。工作電壓低，工作電流小，發(fā)光均勻、壽命長(zhǎng)、可發(fā)紅、黃、綠單色光。

　　三、根據(jù)特性分類

　　點(diǎn)接觸型二極管，按正向和反向特性分類如下。

　　1、一般用點(diǎn)接觸型二極管

　　這種二極管正如標(biāo)題所說的那樣，通常被使用于檢波和整流電路中，是正向和反向特性既不特別好，也不特別壞的中間產(chǎn)品。如：SD34、SD46、1N34A等等屬于這一類。

　　2、高反向耐壓點(diǎn)接觸型二極管

　　是最大峰值反向電壓和最大直流反向電壓很高的產(chǎn)品。使用于高壓電路的檢波和整流。這種型號(hào)的二極管一般正向特性不太好或一般。在點(diǎn)接觸型鍺二極管中，有SD38、1N38A、OA81等等。這種鍺材料二極管，其耐壓受到限制。要求更高時(shí)有硅合金和擴(kuò)散型。

　　3、高反向電阻點(diǎn)接觸型二極管

　　正向電壓特性和一般用二極管相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高，但反向電流小，因此其特長(zhǎng)是反向電阻高。使用于高輸入電阻的電路和高阻負(fù)荷電阻的電路中，就鍺材料高反向電阻型二極管而言，SD54、1N54A等等屬于這類二極管。

　　4、高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管

　　它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對(duì)高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管而言，有SD56、1N56A等等。對(duì)高傳導(dǎo)鍵型二極管而言，能夠得到更優(yōu)良的特性。這類二極管，在負(fù)荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。