華亞科被高薪挖角 大陸存儲點燃DRAM主導權(quán)大戰(zhàn)

　　中國大陸紫光集團長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導權(quán)，隨著三大體建廠計劃預定2018年量產(chǎn)，三大體系將正面對決。

　　長鑫目前已網(wǎng)羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設計公司相關(guān)人員，構(gòu)成中日臺的存儲研發(fā)團隊。長鑫日前正式曝光相關(guān)投資計劃，預定第一期在合肥空港經(jīng)濟示范區(qū)興建第一座12吋晶圓廠，明年7月動工，目前團隊已逾50位員工，預定明年要達千人規(guī)模、2018年上看2，000人，這也是為何急于對臺挖角的關(guān)鍵。

　　大陸發(fā)展自主存儲已列入大陸國家發(fā)展目標，多方勢力積極主導地位，其中，紫光列名國家級發(fā)展存儲廠商外，也獲大基金支持，今年8月整并武漢新芯成立長江存取公司，由紫光集團董事長趙偉國出任長江存儲公司董事長，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總經(jīng)理丁文武出任副董事長，武漢新芯執(zhí)行長楊士寧擔任執(zhí)行長。

　　三大存儲布局重讀

　　據(jù)臺灣媒體報道，近期大陸三股勢力正如火如荼點燃DRAM主導權(quán)大戰(zhàn)，長江存儲傳已評估到南京設立12吋廠，聯(lián)電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠同步研發(fā)25、30納米制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)合作的合肥長鑫，由前中芯國際執(zhí)行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰(zhàn)2018年，搶當大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。

　　盡管大陸布局自制3DNANDFlash雛形漸現(xiàn)，長江存儲將與已購并飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3DNAND技術(shù)，由于門檻較高，長江存儲仍有機會急起直追國際存儲器大廠，然值得注意的是，全球存儲器產(chǎn)業(yè)將率先上演大陸力爭DRAM主導權(quán)戲碼。

　　目前大陸DRAM勢力處于戰(zhàn)國時代，至少有三股DRAM勢力全面競逐版圖，除了長江存儲之外，還有聯(lián)電旗下福建晉華，其主要操盤手為前瑞晶總經(jīng)理、現(xiàn)任聯(lián)電資深副總陳正坤，第三股DRAM勢力則是合肥市政府結(jié)合GigaDevice及王寧國人馬成立的合肥長芯。

　　長江存儲與旗下武漢新芯原本是扮演大陸存儲器中心角色，將統(tǒng)籌3DNAND和DRAM兩大存儲器技術(shù)發(fā)展，然大陸政府傳出針對長江存儲DRAM布局進行規(guī)范，若是自行研發(fā)DRAM技術(shù)必須先量產(chǎn)3DNAND，但若對外購買技術(shù)則無此限制，使得長江存儲積極與國際大廠合作，以加速DRAM量產(chǎn)，并獲得專利保護傘。

　　長江存儲除了積極與美光洽談DRAM技術(shù)專利授權(quán)，業(yè)界亦傳出正著手評估自建或購并現(xiàn)有晶圓廠的可能性，甚至有意跟隨臺積電腳步評估在南京設立12吋晶圓廠，長江存儲執(zhí)行長楊士寧則表示，將以購并現(xiàn)有晶圓廠為第一考量。

　　近期武漢新芯12吋新廠已經(jīng)動起來，單月產(chǎn)能規(guī)劃30萬片，涵蓋NANDFlash和DRAM芯片，然業(yè)界預期長江存儲兩大產(chǎn)品線的生產(chǎn)基地，最終仍會分開進行。至于大陸另外兩個DRAM陣營亦加快腳步展開研發(fā)自制，希望搶在長江存儲之前先量產(chǎn)DRAM技術(shù)，以爭取大陸DRAM產(chǎn)業(yè)寶座。

　　聯(lián)電與福建晉江地方政府合作成立的福建晉華新廠已經(jīng)動工，預計2018年進入量產(chǎn)，業(yè)界傳出大陸注資近新臺幣100億元，讓聯(lián)電在南科廠同時進行25、30納米技術(shù)研發(fā)，預計2017年底完成技術(shù)開發(fā)，福建晉華則配合在2018年下半裝機，屆時聯(lián)電南科廠DRAM技術(shù)將快速轉(zhuǎn)到福建晉華量產(chǎn)。

　　盡管福建晉華至少要投入25納米以下制程技術(shù)，才有機會獲得大陸官方青睞，但聯(lián)電采取較謹慎作法，避免一下子投入25納米技術(shù)開發(fā)面臨失敗風險，遂同時研發(fā)30納米作為備案。

　　大陸第三股DRAM勢力系由王寧國操刀的合肥長鑫，原本合肥市政府和GigaDevice投資的廠房，傳出主要投入DRAM相關(guān)存儲器IC設計，然近期業(yè)界傳出該陣營將豪擲逾新臺幣1，000億元，同時進行DRAM研發(fā)和制造。

　　目前大陸這三股DRAM勢力持續(xù)進行招兵買馬，并雙頭并進朝向技術(shù)專利授權(quán)及自主技術(shù)研發(fā)模式發(fā)展，希望趁著大陸DRAM主導權(quán)還未底定之前先卡好位，預期2018年這三大DRAM陣營將力拚量產(chǎn)并陷入激戰(zhàn)。

　　齊齊挖角華亞科

　　中國大陸兩大體系紫光和合肥長鑫同步鎖定挖角華亞科制程相關(guān)人才，其中由合肥市政府主導的存儲研發(fā)團隊合肥長鑫，開出三倍高薪和紫光集團的雙倍薪較勁，在存儲界丟出一顆震撼彈，凸顯中國大陸建立存儲自主技術(shù)的決心。

　　大陸高薪挖角的行動，也將讓本月才正式并入美光的華亞科，甚至臺塑集團旗下的南亞科，明年將有大批人才跳槽，如何挽留這些人才，將成為首要課題。

　　中國大陸已將存儲列為國家發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)重項扶植項目，除了明定紫光集團為指標廠外，各地方政府也積極整合，希望列入國家級補助計劃之列。

　　不過在爭取和國外技術(shù)授權(quán)后，以武岳鋒為首的大陸基金，和國家大基金都各自積極整合尋求突圍，其中以合肥與中國大陸NANDFlash設計公司兆易創(chuàng)新(Gigadevice)合作的合肥長鑫和清華紫光集團最為積極。

　　消息人士透露，合肥長鑫除了計劃和武岳鋒基金并入的美商矽成(ISSI)合并，也挖角華亞科前資深副總劉大維，展開大批挖角華亞科人才行動。據(jù)了解，合肥長鑫開出現(xiàn)有華亞科三倍的高薪進行挖角，且鎖定人數(shù)高達兩百人，遠高于紫光集團出的雙倍薪，已有不少人決定投效。

　　另外，華亞科前董事長高啟全跳槽紫光集團擔任資深副總裁，紫光納入武漢新芯整合成立長江存儲公司后，也挖角前華亞科主管廠務的子弟兵施能煌擔任紫光集團高級副總裁，并相繼帶走近十位子弟兵，投入在武漢興建3DNANDFlash的建廠及后續(xù)自主研發(fā)DRAM技術(shù)作業(yè)。臺系存儲人才面臨空前的挖角行動。

　　而連同瑞晶前總經(jīng)理陳正坤帶領的臺系團隊，投入為福建晉華興建利基型DRAM代工廠，明年可謂臺系DRAM人才大舉向大陸靠攏的一年。