大陸韓國擴(kuò)產(chǎn)競賽 Flash后年產(chǎn)能恐過剩

　　儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起，南韓存儲大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲產(chǎn)能;紫光集團(tuán)旗下的長江存儲武漢廠，也預(yù)定本月底正式動土，都為2018年供給過于求再現(xiàn)，埋下隱憂。

　　目前各市調(diào)機構(gòu)均看好明年NANDFlash仍處于供不應(yīng)求局面，但南韓存儲大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠，在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴(kuò)充產(chǎn)能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場投下新變數(shù)。

　　稍早三星和美光也都宣布進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)行動。三星也正于京畿道平澤建設(shè)新廠，預(yù)定2017年上半啟用，第一期投資額15.6兆韓元(134億美元)，估計12寸晶圓產(chǎn)量可達(dá)20萬片，雖然三星還未敲定生產(chǎn)項目，但市場推測，因三星DRAM市占已接近跨過50%門檻，有反托辣斯法要求分割疑慮，應(yīng)仍會以發(fā)展3DNANDFlash為主。

　　半導(dǎo)體設(shè)備廠透露，目前六大NANDFlash芯片廠都有持續(xù)擴(kuò)充NANDFlash芯片計劃，不過在各家從2D轉(zhuǎn)3DNAND芯片，因制程難度高，造成供應(yīng)不足，使今年NAND芯片供應(yīng)短缺，預(yù)料隨3DNAND芯片下半年制程逐步順利，缺貨問題會逐漸紓解。

　　大陸NANDFLASH狂飆，2020年產(chǎn)能拼增近7倍

　　中國大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。集邦科技旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠，以及國際大廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年大陸當(dāng)?shù)豊ANDFlash月產(chǎn)能達(dá)59萬片，相較于2015年成長近7倍。

　　集邦預(yù)估，2012～2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元成長率達(dá)47%，其終端消費端需求年平均位元成長率亦高達(dá)46%，顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。拓墣研究經(jīng)理林建宏表示，中國大陸在突破存儲自制缺口的政策方針下，將發(fā)展NANDFlash晶圓制造，可由NANDFlash產(chǎn)品特性、3DNAND需求、新興市場的成長空間及國際半導(dǎo)體大廠在大陸投資四大方向切入。

　　在NANDFlash產(chǎn)品特性部分，產(chǎn)品在消費性應(yīng)用下，價格是主要考量，因此生產(chǎn)成本的控制至為關(guān)鍵。大陸廠商宜透過折舊認(rèn)列年限調(diào)整、租賃、稅負(fù)與資金成本等因素操作為切入點。

　　在制程微縮部分，NANDFlash在進(jìn)入2x奈米世代后，制程微縮帶來的成本優(yōu)勢越來越不明顯，推遲國際NANDFlash大廠技術(shù)進(jìn)程，因此3DNANDFlash成為成本繼續(xù)降低的重要方法。林建宏指出，產(chǎn)品由2D走到3D，需有新的技術(shù)領(lǐng)域加入，若能整合跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，能成為大陸廠商追趕的機會。

　　在市場需求上，雖然NANDFlash產(chǎn)業(yè)短期仍處于供過于求，但長期而言新興市場仍有成長空間。大陸隨著一帶一路政策發(fā)展的策略，對開發(fā)其周遭新興市場需求有相當(dāng)助益，妥善安排資源與發(fā)揮對新興國家的影響力，將是大陸?yīng)氂械膬?yōu)勢所在，也可創(chuàng)造出更多元的NANDFlash需求。

　　另外，國際半導(dǎo)體廠商積極投入大陸市場，在當(dāng)?shù)嘏囵B(yǎng)有經(jīng)驗和技術(shù)的人才，支持廠房運維的高度需求，有助降低大陸當(dāng)?shù)貥I(yè)者發(fā)展自主NANDFlash制造的門檻。大陸透過廣大的人力和市場成功吸引國際廠商的進(jìn)駐，為大陸發(fā)展NANDFlash產(chǎn)業(yè)帶來最好機會。

　　目前在大陸當(dāng)?shù)厣a(chǎn)NANDFlash的業(yè)者以三星為主，英特爾已決定將大連廠改為NANDFlash廠，預(yù)計自今年第4季加入生產(chǎn)行列。在當(dāng)?shù)貥I(yè)者部分，武漢新芯已決定新建存儲晶圓廠，將從3月底開始進(jìn)行建廠工程，目標(biāo)最快在2018年年初開始生存儲芯片，初期規(guī)畫將以目前最先進(jìn)的3D-NANDFlash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來中國大陸極力發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下，將開始進(jìn)入新的里程碑。