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          利用大功率數(shù)字源表構(gòu)建多源測量單元(SMU)系統(tǒng)-連載六

          作者: 時(shí)間:2017-01-12 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          進(jìn)行布線和夾具設(shè)計(jì)時(shí),考慮系統(tǒng)安全性也很重要。為了確定操作人員以及儀器會遇到什么危險(xiǎn),要對各種故障情況進(jìn)行思考,包括因操作人員失誤以及因器件狀態(tài)變化而帶來的故障。

          大電流測試的潛在危險(xiǎn)之一是火災(zāi)或或燒傷危險(xiǎn)。在大電流測試期間,要使待測器件處于封閉狀態(tài),這樣,即使器件出現(xiàn)故障,也可以使用戶免遭火災(zāi)或飛濺物體的傷害。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201701/337877.htm

          觸電危險(xiǎn)是高壓測試的潛在危險(xiǎn)之一。如果儀器(或器件)能夠輸出42V以上的直流電壓,那么隨時(shí)都存在觸電危險(xiǎn)。正確的測試系統(tǒng)配置必須包括保護(hù)操作人員和未受訓(xùn)練用戶免遭觸電危險(xiǎn)的裝置。

          上電后,用戶應(yīng)當(dāng)無法接入內(nèi)部有高壓的系統(tǒng)。安全互鎖是限制接入的一種裝置。吉時(shí)利的所有現(xiàn)代源測量單元(SMU)都包括互鎖裝置,因此,只有當(dāng)互鎖線路工作時(shí),才會啟動大功率?;ユi旨在與每個(gè)系統(tǒng)接入點(diǎn)的常開開關(guān)一起使用。當(dāng)使用多個(gè)具有觸電危險(xiǎn)的儀器時(shí),要將這些儀器連接在一起,這樣,如果系統(tǒng)接入點(diǎn)開啟,所有儀器的輸出都被禁用。當(dāng)遇到多個(gè)接入點(diǎn)時(shí),每個(gè)接入點(diǎn)都需要單獨(dú)的開關(guān),而且所有這些開關(guān)都應(yīng)當(dāng)串聯(lián)。具體說明參見圖1。

          所有儀器的5V電源都是組合的,從外部通過開關(guān)連接,并用于啟動互鎖。當(dāng)使用多個(gè)源測量單元(SMU)的5V電源時(shí),可以使用肖特基二極管,以防止每個(gè)源測量單元(SMU)的5V電源彼此后驅(qū)動。肖特基二極管是首選,因?yàn)樗鼈兙哂休^低的正向電壓;因此,它們不太可能影響啟動互鎖線路所需的電壓。

          根據(jù)測試設(shè)置中源測量單元(SMU)的數(shù)量,一個(gè)源測量單元(SMU)的5V電源可能驅(qū)動系統(tǒng)中另一個(gè)源測量單元(SMU)的互鎖線路。為此,要核對儀器指標(biāo)中的安全互鎖引腳,以確定驅(qū)動每個(gè)源測量單元(SMU)互鎖引腳所需的電流大小。此外,還要核對5V電源引腳指標(biāo),以確定其電流容量。作為選擇,可以使用外部電源來驅(qū)動源測量單元(SMU)的互鎖線路。

          圖 1 一個(gè)具有多個(gè)接入點(diǎn)的系統(tǒng)連接多個(gè)源測量單元(SMU)時(shí)的配置

          除了操作人員的安全,保護(hù)系統(tǒng)測試儀器安全也很重要。要認(rèn)真考慮器件故障的可能影響。圖2給出N-溝道FET在漏極-源極擊穿電壓附近進(jìn)行關(guān)閉狀態(tài)漏電流測試的常見配置。在門極端電壓較低的源測量單元(SMU),確保器件處于關(guān)閉狀態(tài)。在源極端電壓較低的源測量單元(SMU)將對源端電流進(jìn)行直接測量。不過,如果在漏極-源極之間出現(xiàn)意外擊穿,那么3kV的源測量單元(SMU)有可能損壞200V的源測量單元(SMU)。在門極和漏極之間也存在著同樣的受損可能。

          圖 2 在器件擊穿或故障情況下,2657A型源測量單元(SMU)有可能損壞任何一個(gè)2636A型源測量單元(SMU)

          為了在器件擊穿或器件故障情況下保護(hù)耐壓較低的源測量單元(SMU),可以使用過壓保護(hù)器件。在正常情況下,過壓保護(hù)器件應(yīng)當(dāng)不會給測試電路帶來什么影響,但遇到過壓情況時(shí),將對電壓進(jìn)行嵌位。吉時(shí)利2657A-PM-200型200V保護(hù)模塊,可以用于包含2657A型以及電壓較低源測量單元(SMU)的測試系統(tǒng)。在過壓情況下,該保護(hù)模塊將在微秒之內(nèi)將外部高壓源嵌位在2V左右。在非嵌位情況下,在較低電壓的源測量單元(SMU)中將保持皮安級電流源和測量能力。[1]

          當(dāng)器件故障致使儀器遭受大電流時(shí),也可能造成儀器損壞。要確保所有接入端的儀器都能夠處置器件端口正常出現(xiàn)的電流。為了限制器件故障導(dǎo)致較大電流而帶來的儀器損壞,要使用串聯(lián)電阻器限制通過任意儀器的最大電流。在擊穿電壓或漏電流特性分析期間,用戶必須小心限制通過器件的電流大小,這樣,才能保證測試不是破壞性的。雖然源測量單元(SMU)具有設(shè)定的電流限制,但在對負(fù)載變化做出響應(yīng)時(shí),這些主動限制會耗費(fèi)一定的時(shí)間(所謂的“瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間”)。當(dāng)負(fù)載阻抗變化非常迅速時(shí),可能出現(xiàn)超出設(shè)定限制的電流。增加串聯(lián)電阻,可以迫使該端口在瞬態(tài)條件下也能保持最大電流的平穩(wěn)。

          要保證選擇滿足測試系統(tǒng)最大電流、最大電壓和最大功率額定值的電阻器。這種電阻器一般將起到兩個(gè)作用。在晶體管開啟狀態(tài)特性分析期間,通常以與門極串聯(lián)的方式添加電阻,從而使高增益器件中常見的門極電壓振鈴和振動達(dá)到最小。此外,在晶體管關(guān)閉狀態(tài)特性分析中,通常利用電阻器來限制擊穿期間流過的最大電流,防止過早的器件故障。



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