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          CMOS IC的IDDQ測試

          作者: 時間:2017-01-12 來源:網(wǎng)絡 收藏
          測試介紹

          此測試涉及在輸入端處于VDD或VSS并且輸出端未連接時,測量CMOS IC的VDD電源耗電流。圖1是一個CMOS反相器的測試設置框圖。在這個例子中,2601/2602用于源電壓(VDD)并測量產(chǎn)生的靜態(tài)電流。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201701/337971.htm

          圖1. 測量一個CMOS反相器的靜態(tài)電流

          雖然這個例子示出的IC只有一個極,但是許多IC具有數(shù)以千計的柵極。因而,通常要使用預定的一系列測試向量(即施加至輸入端的邏輯1和0的模式)減少靜態(tài)電流的測量次數(shù),并且必須保證全部柵極都被切換或者所需IC邏輯狀態(tài)都經(jīng)過測試。

          在整個測試中對IC的VDD引腳施加恒定電壓使IC保持在工作狀態(tài)。一個好的CMOS器件僅在開關時從VDD電源消耗大電流;在靜態(tài)條件下的耗電流極低。與涉及的缺陷類型有關,一顆有瑕疵IC的IDDQ將會高得多。測量時,將測試向量施加至IC輸入端,然后經(jīng)過規(guī)定的建立時間后,測量產(chǎn)生的電流。完成測量后,將測量電流與預設閾值相比較以確定器件通過還是失效。此閾值通常設定為微安或納安級而且通常由多顆完好IC的IDDQ統(tǒng)計分析確定。隨著器件變得越來越復雜,IDDQ測試不能總是用簡單閾值測試執(zhí)行。在某些情況下,必須對被測器件(DUT)進行IDDQ數(shù)據(jù)統(tǒng)計分析以便可靠地確定通過/失效狀態(tài)。2600系列源表非常適于這兩種測試方案。

          測試系統(tǒng)配置

          圖2是面向CMOS IC,基于2600系列的

          IDDQ測試系統(tǒng)。

          圖2. IDDQ測試系統(tǒng)配置

          如圖2所示,260X的HI和LO端子連至CMOS IC的VDD和VSS端子。在整個測試過程中,260X為IC提供恒定的直流電壓。IC的輸入端連至“數(shù)字測試系統(tǒng)”,這確保切換了全部柵極或?qū)崿F(xiàn)了要求的邏輯狀態(tài)。假設此測試系統(tǒng)還控制著機械位置、DUT探測和處置好/壞器件。

          對260X的控制可以像標準可編程儀器那樣,通過IEEE-488總線(GPIB)或者RS-232發(fā)送獨立指令實現(xiàn)。260X上的這兩種通信接口都是標準的。但是,為實現(xiàn)最大吞吐量,可以將完整的測試腳本下載至儀器的測試腳本處理器,然后執(zhí)行幾乎獨立于PC主機(系統(tǒng)控制器)的全部測試。當260X通過GPIB連接至主控制器時,它實際上能通過其RS-232端口控制另一臺儀器。因此,在適當情況下,260X能發(fā)送ASCII命令字符串至數(shù)字控制系統(tǒng)并從數(shù)字控制系統(tǒng)接收數(shù)據(jù)。

          為進一步提升速度,外部硬件觸發(fā)器用于同步IDDQ測量和測試向量的使用。260X配備的14條數(shù)字輸入/輸出線路能用于數(shù)字控制(在此例中為通過/失效狀態(tài))或用作輸入或輸出觸發(fā)線路。

          當向量被發(fā)送至CMOS IC時,數(shù)字測試系統(tǒng)觸發(fā)260X。當IDDQ值被評估完后,260X返回一個觸發(fā)信號至數(shù)字測試系統(tǒng),數(shù)字測試系統(tǒng)生成另一個測試向量。此過程重復進行直至產(chǎn)生全部測試向量或者IC未能通過測試。測試完成后,260X向其數(shù)字I/O(DIO)端口寫入預先確定的位模式用于向數(shù)字測試系統(tǒng)指示器件的通過/失效狀態(tài)。

          當IDDQ測試的通過/失效狀態(tài)僅通過源電流與閾值電平的比較來確定時,260X至少有兩種方法完成這種測量和檢查。如果需要IDDQ的實際值,那么260X能測量電流并將測量值與閾值進行比較。如果電流超出閾值電平,那么測試失敗;否則,測試通過。260X能按要求將任意或全部測量值以及通過/失效狀態(tài)返回至PC主機。如果無需IDDQ的實際值,那么260X能配置為數(shù)字比較器以實現(xiàn)更高的測試吞吐量。將260X的電流箝位極限設為閾值。施加測試向量并確定260X的箝位狀態(tài)。如果耗電流試圖超出此極限,那么260X將“進入箝位”并將電流箝在此極限。當發(fā)生此情況時,IDDQ測試失敗。如果電流未超出此閾值,那么設備將不會進入箝位狀態(tài)并且測試通過。由于無需用測量確定儀器的箝位狀態(tài),所以后面的方法通常比前面的快。如前所述,復雜器件的IDDQ測試不能總用簡單閾值測試來實現(xiàn)。在某些情況下,必須對被測器件(DUT)進行IDDQ數(shù)據(jù)統(tǒng)計分析以便可靠地確定通過/失效狀態(tài)。在從260X獲取全部測試數(shù)據(jù)后,PC主機就能進行數(shù)據(jù)分析。但數(shù)據(jù)傳輸?shù)倪^程相當慢,會顯著影響測試吞吐量。

          如果不需要保存讀數(shù),那么數(shù)據(jù)傳輸?shù)拇鷥r太大了。用于設置測試腳本處理器

          的測試腳本語言包括數(shù)學庫及其它功能,能在儀器中進行大量分析,從而無需傳輸全部數(shù)據(jù)。260X的深存儲器進一步提供了便利。每條SMU通道的兩個非易失緩沖器能保存多達100,000個讀數(shù)。易失存儲器能用于更多數(shù)據(jù)的存儲。



          關鍵詞: CMOSICIDDQ測

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