電容測量注意事項

電容測量有串聯(lián)模式(Cs-D, Cs-Rs)和并聯(lián)模式(Cp-D, Cp-Rp)

當使用串聯(lián)模式測量

Cs的計算是如下圖（即直接使用虛部，認為虛部的值就是電容值）：

這種情況下，Cs的值等于C，僅僅在Rp值非常大（1/Rp <<1）并且L的電抗可以忽略（ωL<<1/ωC）的情況下。通常，在高頻時候，L不可忽略，但是Rp則在很多情況下可以忽略。對于高值電容，c的電抗相對Rp來說非常??；而低值電容，其本身的Rp就很大。因此，大多數(shù)電容可以使用下面的等效圖來表示：

Figure5-5（a）和Figure5-5(b)示出了陶瓷電容器的典型阻抗特性和Cs-D特性：

我們可以從高頻區(qū)的諧振點，認知到L的存在。

電容測量應當注意到，測量是和電容值相關的。

高值電容的測量：

它屬于低阻抗測量，因此必須把接觸電極、測量夾具、電纜中的接觸電阻和殘余阻抗減到最小。這里應當使用4端、5端或者4端對測量方法。為了避免電磁場耦合影響，應當按照下圖方式連接電纜：

此外為了進行精準測量，必須進行開路，短路校準補償。特別是對于施加直流偏置電壓的電解電容器，應該在偏置設置為On，并且為0V的時候進行開路短路補償。

低值電容測量：

屬于高阻抗測量。接觸電極間的雜散電容比殘余阻抗有更大的影響。應該使用3端（屏蔽2T）、5端（屏蔽4T）或4端對（4TP）測量。正確的接地、開路/短路補償可以把雜散電容影響減小到最小。

除了電容量以外，損耗因素D和等效串聯(lián)電阻ESR也是需要測量的電容參數(shù)。對于低D值，或者低ESR值的測量需要格外注意。即使使用4端測量，測試夾具和電纜間的接觸電阻、殘余阻抗也會影響測量結果。