開關(guān)電源的測(cè)量

2 容易引發(fā)系統(tǒng)失效的關(guān)鍵參數(shù)測(cè)試

以下的測(cè)試項(xiàng)目除了是指在靜態(tài)負(fù)載的情況下測(cè)試的結(jié)果，只有噪聲(noise)測(cè)試需要用到動(dòng)態(tài)負(fù)載。

2.1Phase點(diǎn)的jitter

圖一

對(duì)于典型的PWM開關(guān)電源，如果phase點(diǎn)jitter太大，通常系統(tǒng)會(huì)不穩(wěn)定（和后面提到的相位裕量相關(guān)），對(duì)于200~500K的PWM開關(guān)電源，典型的jitter值應(yīng)該在1ns以下。

2.2Phase點(diǎn)的塌陷

有時(shí)候工程師測(cè)量到下面的波形，這是典型的電感飽和的現(xiàn)象。對(duì)于經(jīng)驗(yàn)不夠豐富的工程師，往往會(huì)忽略掉。電感飽和會(huì)讓電感值急劇下降，類似于短路了，這樣會(huì)造成電流的急劇增加，MOS管往往會(huì)因?yàn)闇囟鹊募眲≡黾佣鵁龤?。這時(shí)需要更換飽和電流更大的電感。

圖二

2.3Shoot through測(cè)試

測(cè)試的目的是看上MOS管導(dǎo)通時(shí)，有沒有同時(shí)把下管打開，從而導(dǎo)致電源直接導(dǎo)通到地而引起短路。如圖三所示藍(lán)色曲線（Vgs_Lmos）就是下管在上管導(dǎo)通的同時(shí)，被帶了起來，如果藍(lán)色曲線的被帶起來的尖峰超過了MOS管的Vth要求，同時(shí)持續(xù)時(shí)間（Duration）也超過了datasheet要求，從而就會(huì)有同時(shí)導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。當(dāng)然，這是大家最常見到的情況。

圖三

下面這種情況有非常多的人會(huì)忽視，甚至是一些比較有經(jīng)驗(yàn)的電源測(cè)試工程師。下面組圖四是下管打開，上管關(guān)閉時(shí)候的波形（圖4-1是示意圖，圖4-2示實(shí)際測(cè)試圖）。雖然沒有被同時(shí)帶起的情況，但是請(qǐng)注意上下管有交叉的現(xiàn)象，而且交叉點(diǎn)的電平遠(yuǎn)高于MOS管規(guī)定的Vth值，這是個(gè)嚴(yán)重的shoot through現(xiàn)象。最直接的后果就是MOS管燒毀！