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          結型場效應管(JFET)的基礎知識

          —— CMOS集成電路電阻的應用分析
          作者: 時間:2017-01-03 來源:網(wǎng)絡 收藏

            結構與符號:

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201701/342381.htm

             

           

            在N區(qū)兩側擴散兩個P+區(qū),形成兩個PN結。兩個P+區(qū)相連,引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s。

            導電原理:

             

           

            (1)VGS=0時,N型棒體導電溝道最寬(N型區(qū))。有了VDS后,溝道中的電流最大。

            (2)VGS<0時,耗盡層加寬(主要向溝道一測加寬),并向溝道中間延伸,溝道變窄。

            當VGS

             

           

            加上負VGS電壓和VDS電壓以后,VGD的負壓比VGS大,所以,二個反偏PN結的空間電荷區(qū)變得上寬下窄,使溝道形成楔形。

             

           

            通過VGS改變半導體內(nèi)耗盡層厚度(溝道的截面積)控制iD,稱為體內(nèi)場效應器件;MOSFET主要通過改變襯底表層溝道的厚度來控制iD,稱為表面場效應器件。

            的伏安特性(以N溝道為例):伏安特性曲線和電流方程與耗盡型MOSFET相似。但VGS必定要反向偏置。

             

           

           

           

           

           

           

           

           

           

           

           

           

           



          關鍵詞: JFET

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