國(guó)家存儲(chǔ)器基地動(dòng)土　要建3座全球最大3D NAND廠

　　傾大陸國(guó)家之力的中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)存儲(chǔ)器基地正式于2016年12月30日開(kāi)工，而此項(xiàng)目前身為武漢新芯存儲(chǔ)器基地，在歷經(jīng)中國(guó)紫光與武漢新芯合體后，重新找地建新廠，強(qiáng)調(diào)要打造全球單座潔凈室面積最大的3DNANDFlash新廠。

　　紫光集團(tuán)于2016年12月30日在大陸武漢東湖高新區(qū)舉移動(dòng)土典禮，宣布中國(guó)國(guó)家存儲(chǔ)器基地正式開(kāi)工，該建設(shè)項(xiàng)目聯(lián)合紫光集團(tuán)、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)地方基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投等共同出資，項(xiàng)目總投資金額達(dá)240億美元。

　　紫光集團(tuán)暨長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)趙偉國(guó)典禮中強(qiáng)調(diào)，國(guó)家存儲(chǔ)器基地正式動(dòng)土開(kāi)工不僅僅是一個(gè)項(xiàng)目的開(kāi)工，更代表大陸存儲(chǔ)器芯片規(guī)模化發(fā)展的突破，而存儲(chǔ)器基地也是中國(guó)積體電路產(chǎn)業(yè)單向投資最大的項(xiàng)目。

　　存儲(chǔ)器基地位于武漢東湖高新區(qū)“武漢未來(lái)科技城”，據(jù)悉，此項(xiàng)目前身為2016年5月才動(dòng)土的武漢新芯存儲(chǔ)器基地，而在7月武漢全城淹水后，中國(guó)紫光與武漢新芯合組長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司，高層在重新視察后，南移至同位于武漢東湖高新區(qū)的豹澥地段。

　　該地占地1,968公畝(約595萬(wàn)坪)，官方宣布將建設(shè)全球單座潔凈室面積最大的3DNANDFlash廠房3座，以及1座總部大樓和落干配套建筑，核心廠房與設(shè)備每平方公尺投資將超過(guò)3萬(wàn)美元，同樣預(yù)期于2018年完成建廠投產(chǎn)，2020年完成整個(gè)項(xiàng)目，總產(chǎn)能同先前目標(biāo)，將達(dá)到一個(gè)月30萬(wàn)片，官方預(yù)估年產(chǎn)值逾100億美元。

　　業(yè)界人士指出，雖然紫光集團(tuán)強(qiáng)調(diào)技術(shù)自主研發(fā)，但近期已積極對(duì)臺(tái)展開(kāi)大規(guī)模挖角移動(dòng)，值得有關(guān)單位和企業(yè)密切注意。