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          被三星/SK海力士夾擊 3D Xpoint成為美光的唯一希望

          作者: 時(shí)間:2017-01-05 來(lái)源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 收藏

            眾所周知,美光在韓國(guó)雙雄的攻擊下,DRAM和Flash業(yè)務(wù)發(fā)展都不如預(yù)期,于是從早幾年開(kāi)始,這個(gè)美國(guó)存儲(chǔ)的僅存碩果之一就和Intel一起開(kāi)發(fā)3D Xpoint技術(shù)。這種新型的存儲(chǔ)技術(shù)將會(huì)在未來(lái)給Intel和美光帶來(lái)新的成長(zhǎng)激勵(lì)。尤其是對(duì)美光來(lái)說(shuō),在現(xiàn)狀和未來(lái)的表現(xiàn)都不夠好的環(huán)境下,這似乎是美光的最后救命稻草。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201701/342478.htm

            回顧存儲(chǔ)的發(fā)展歷程。3D Xpoint是自NAND Flash推出以來(lái),最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì),3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者:

            (1)比NAND Flash快1000倍;

            (2)成本只有DRAM的一半;

            (3)使用壽命是NAND的1000倍;

            (4)密度是傳統(tǒng)存儲(chǔ)的10倍;

            而得益于這些優(yōu)勢(shì),3D Xpoint能被廣泛應(yīng)用在游戲、媒體制作、基因組測(cè)序、金融服務(wù)交易和個(gè)體化治療等領(lǐng)域。以上只是3D Xpoint的一些應(yīng)用示例。但從以上介紹,我們可以看出,3D Xpoint未來(lái)的應(yīng)用非常有潛力。

          被三星/SK海力士夾擊 3D Xpoint成為美光的唯一希望

            Source:techreport

            從美光的公告我們可以看出,2017年,他們將會(huì)從3D Xpoint上獲得收益。但美光并沒(méi)有詳細(xì)說(shuō)明會(huì)從3D Xpoint上獲得多少收益,美光同樣沒(méi)有介紹未來(lái)將會(huì)有哪些客戶使用這個(gè)新技術(shù)。

            就我所看,2017年,美光從3D Xpoint上獲取的收益并不會(huì)太多,但可預(yù)期的是,未來(lái)數(shù)年,美光能從其身上獲得更大的成長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力。

            英特爾與美光雙方宣稱,3D XPoint能夠提供千倍于當(dāng)前NAND產(chǎn)品的使用壽命水平。假設(shè)這里的參考對(duì)象為現(xiàn)代(15納米至20納米)MLC NAND,那么其使用壽命將達(dá)到數(shù)百萬(wàn)次全盤(pán)寫(xiě)入; 不過(guò)在市場(chǎng)營(yíng)銷材料當(dāng)中,我們看到相關(guān)產(chǎn)品的寫(xiě)入次數(shù)可以達(dá)到數(shù)千萬(wàn)次。

            如果我們假定其全盤(pán)寫(xiě)入次數(shù)為300萬(wàn)次(即1000倍于現(xiàn)代MLC閃存),那么一塊基于3D XPoint技術(shù)的256 GB驅(qū)動(dòng)器將能夠提供總計(jì)高達(dá)768 PB的數(shù)據(jù)寫(xiě)入能力。這相當(dāng)于五年內(nèi)每天寫(xiě)入420 TB數(shù)據(jù),或者每秒寫(xiě)入4.9 GB數(shù)據(jù)。

            對(duì)于目前依賴于NAND技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備而言,3D XPoint將消除任何可能出現(xiàn)的使用壽命問(wèn)題——不過(guò)相對(duì)于耐久性幾乎無(wú)限的DRAM來(lái)說(shuō),3D XPoint仍然要略遜一籌。企業(yè)最終是否會(huì)利用3D XPoint取代DRAM還是要取決于實(shí)際應(yīng)用情況,特別是對(duì)于那些要求使用DRAM的企業(yè)級(jí)工作負(fù)載來(lái)說(shuō)更是如此。

          被三星/SK海力士夾擊 3D Xpoint成為美光的唯一希望

            3D XPoint的延遲水平在10納秒級(jí)別,但英特爾與美光雙方并沒(méi)有明確指出這一數(shù)字到底來(lái)自讀取延遲還是寫(xiě)入延遲。從英特爾方面提供的圖表來(lái)看,10納秒級(jí)別應(yīng)該是指讀取延遲,因此NAND寫(xiě)入延遲的計(jì)量單位應(yīng)該是毫秒(一般來(lái)講,全頁(yè)寫(xiě)入的延遲為1到2毫秒),而圖表中列出的NAND延遲為數(shù)十微秒的說(shuō)法與NAND的讀取延遲相符。

            寫(xiě)入延遲往往遠(yuǎn)高于此,再結(jié)合英特爾與美光雙方作出的“速度可達(dá)NAND上千倍”的說(shuō)明,那么我們猜測(cè)3D XPoint的寫(xiě)入延遲應(yīng)該在100納秒級(jí)別甚至是毫秒級(jí)別。不過(guò)更復(fù)雜的是,3D XPoint以bit為訪問(wèn)層級(jí),而NAND以頁(yè)為訪問(wèn)層級(jí),因此在不考慮外界因素的前提下比較二者的延遲水平相當(dāng)困難。

            無(wú)論如何,3D XPoint的性能表現(xiàn)應(yīng)該更接近于DRAM而且優(yōu)于NAND,不過(guò)考慮到英特爾與美光都沒(méi)有就延遲給出明確參數(shù),因此我們作出斷言恐怕還為時(shí)尚早。


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