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          盤點(diǎn)+分析:Flash原廠2016年財(cái)報(bào)

          作者: 時(shí)間:2017-01-18 來(lái)源:中國(guó)閃存市場(chǎng) 收藏
          編者按:2016年Flash原廠加速向3D NAND切換,除了研發(fā)成本增加,切換過(guò)程中也很容易出現(xiàn)產(chǎn)能損失,同時(shí)還需要更新舊設(shè)備,增加新設(shè)備,以及擴(kuò)大生產(chǎn)空間,從而導(dǎo)致Flash原廠NAND Flash產(chǎn)出減少,以及投資成本增加。

            2016年市場(chǎng)NAND 持續(xù)缺貨,據(jù)分析,到2016年底NAND 每GB價(jià)格已回升到2014年底水平,至0.25美元/GB,價(jià)格的飛速且大幅上漲不僅對(duì)市場(chǎng)造成了巨大影響,想必也有助于原廠、東芝、SK海力士、美光等營(yíng)收和利潤(rùn)的增長(zhǎng),但實(shí)際上大多數(shù)都不如2015年。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201701/342995.htm

            

            2016年雖然受Note 7停產(chǎn)和停售影響, Q3營(yíng)收和凈利潤(rùn)較預(yù)期減少,但受惠Memory、OLED等半導(dǎo)體芯片需求增長(zhǎng),以及Galaxy S7銷量?jī)?yōu)于預(yù)期,累積前三季營(yíng)收達(dá)148.5兆韓元,凈利潤(rùn)15.6兆韓元,雖然扭轉(zhuǎn)了連續(xù)兩年?duì)I收和凈利潤(rùn)雙雙下滑的頹勢(shì),但較2015年同期幾乎零增長(zhǎng)。不過(guò),三星制定了2017年?duì)I收利潤(rùn)超過(guò)30兆韓元的目標(biāo)。


          盤點(diǎn)+分析:Flash原廠2016年財(cái)報(bào)


            注:三星初步預(yù)估2016年Q4營(yíng)收為53兆韓元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為9.2兆韓元,正式Q4財(cái)報(bào)將在2017年1月底發(fā)布。

            三星自2013年成功量產(chǎn)V-NAND,2016年除了西安廠量產(chǎn)V-NAND,在Q2已將Fab 16工廠16nm MLC產(chǎn)線轉(zhuǎn)向48層V-NAND,2016年底V-NAND生產(chǎn)比重已突破35%。2017年三星新工廠Fab 17和Fab 18也都將投入V-NAND生產(chǎn),3D技術(shù)也將向64層提升,預(yù)計(jì)三星V-NAND生產(chǎn)比重在2017年Q1可達(dá)到45%,Q2將達(dá)到50%以上,在3D NAND爆發(fā)元年將有很大的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

            2016年三星股價(jià)漲幅超過(guò)60%


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            東芝/西部數(shù)據(jù)(WD SanDisk)

            2015年?yáng)|芝曝出財(cái)務(wù)造假,影響股價(jià)跌幅超過(guò)50%。東芝2016年4月-6月?tīng)I(yíng)收1.21兆日元,凈利潤(rùn)798億日元,實(shí)現(xiàn)了自2015年的財(cái)務(wù)造假事件之后的首次盈利,7月-9月?tīng)I(yíng)收1.372兆日元,凈利潤(rùn)355億日元,可見(jiàn)東芝財(cái)務(wù)狀況已扭虧為盈,股價(jià)也基本回到了2015年初的水平。不過(guò),受東芝子公司西屋電氣的一項(xiàng)核電業(yè)務(wù)收購(gòu)案影響,東芝2016年底股價(jià)重挫40%,2017年仍將面臨巨大的挑戰(zhàn)。

            東芝2016年財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)


          盤點(diǎn)+分析:Flash原廠2016年財(cái)報(bào)



          盤點(diǎn)+分析:Flash原廠2016年財(cái)報(bào)


            東芝采用BiCS(Bit Cost Scaling)架構(gòu)在2016年量產(chǎn)48層3D NAND,單Die容量為256Gb,僅用于自家閃存產(chǎn)品,年底已小量生產(chǎn)64層3D NAND,2017年將主力切換到64層量產(chǎn)。東芝改造的Fab 2工廠已開(kāi)始小規(guī)模投產(chǎn)48層3D NAND,預(yù)計(jì)2017年將切換至64層量產(chǎn)。東芝計(jì)劃在未來(lái)3年內(nèi)投資額達(dá)8600億日元,其中包括將在2017年3月開(kāi)始建設(shè)的新工廠Fab 6,2018年Q3開(kāi)始量產(chǎn)3D NAND,以及更新現(xiàn)有設(shè)備等。

            另外,西部數(shù)據(jù)已在2016年5月完成了對(duì)閃迪(SanDisk)的收購(gòu),并于Q3整合了兩家的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)。未來(lái)西部數(shù)據(jù)仍在NAND Flash技術(shù)與資源上與東芝保持合作關(guān)系。

            2016年?yáng)|芝股價(jià)走勢(shì)


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            SK海力士

            海力士還未被SK集團(tuán)收購(gòu)以前,由于2008年爆發(fā)的全球金融危機(jī)讓其陷入了嚴(yán)重的債務(wù)危機(jī),當(dāng)時(shí)虧損高達(dá)4.75兆韓元。2011年SK集團(tuán)收購(gòu)海力士,并逆境大手筆投資研發(fā)和生產(chǎn),終于在2013年扭虧為盈,之后依然保持較高的營(yíng)收和利潤(rùn)成長(zhǎng)。


          盤點(diǎn)+分析:Flash原廠2016年財(cái)報(bào)


            2016年SK海力士累積前三季營(yíng)收11.8兆韓元,較2015年同期下滑18%,凈利潤(rùn)則下滑63%,這是被SK集團(tuán)收購(gòu)后首次出現(xiàn)營(yíng)收和利潤(rùn)下滑。3D NAND采用36層制造,并在2016年初積極向各家合作伙伴送樣,開(kāi)始規(guī)模試產(chǎn),第三代48層3D NAND已在年底開(kāi)始銷售。2017年SK海力士計(jì)劃提升至72層3D NAND量產(chǎn),將在Q1推出樣品,Q2開(kāi)始小批量生產(chǎn),從堆疊層數(shù)來(lái)看,已經(jīng)趕上甚至反超競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,但同時(shí)也將面臨著更大的量產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。

            另外,為了提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,SK海力士計(jì)劃與硬盤大廠希捷合作,將設(shè)立合資公司,目標(biāo)是搶占快速成長(zhǎng)的SSD市場(chǎng)。

            SK海力士2016年價(jià)格漲幅超過(guò)70%


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            美光

            由于美光DRAM業(yè)務(wù)約占整體營(yíng)收60%,受PC市場(chǎng)需求下滑影響,2016年前三季度凈利潤(rùn)虧損高達(dá)4.8億美元,在Q4終于扭虧為盈。2016年美光32層3D NAND MLC版本單Die容量32GB,TLC版本容量48GB,是目前除原廠品牌之外,市場(chǎng)3D SSD的主要貨源之一,64層3D NAND已于2016年12月送樣,2017年將逐步進(jìn)入量產(chǎn)階段。


          盤點(diǎn)+分析:Flash原廠2016年財(cái)報(bào)


            美光2015年擴(kuò)建的Fab 10x于2016年投產(chǎn),英特爾2015年宣布獨(dú)自投資55億美元升級(jí)設(shè)備的大連Fab68工廠,在2016年Q3開(kāi)始試產(chǎn)32層3D NAND,預(yù)計(jì)2017年中期轉(zhuǎn)至64層量產(chǎn)。

            美光2016年股價(jià)漲幅超一倍


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